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BL24C16AIIC,I2C,EEPROM,存储器,24,16k,16产品简介BL24C16A提供16384比特串行电可擦写存储器，组成2048个字节，每页16个字节，共128页。优势特点1.工作电压：1.7~5.5V2.标准IIC接口通信协议3.硬件写保护4.内部上电复位5.最高1M工作频率6.超低功耗设计，静态功耗小于1μA[详细]
BL24C128AIIC,I2C,EEPROM,存储器,24,128k,128产品简介BL24C128A提供131072比特串行电可擦写存储器，组成16384个字节，每页64个字节，共256页。优势特点1.工作电压：1.7~5.5V2.标准IIC接口通信协议3.硬件写保护4.内部上电复位5.最高1M工作频率6.超低功耗设计，静态功耗小于1μA7.额外ID存储器，提供芯片ID和产品[详细]
BL24C08FIIC,I2C,EEPROM,存储器,24,8k,08产品简介BL24C08F提供8192比特串行电可擦写存储器，组成1024个字节，每页16个字节，共64页。优势特点1.工作电压：1.7~5.5V2.标准IIC接口通信协议3.硬件写保护4.内部上电复位5.最高1M工作频率6.超低功耗设计，静态功耗小于1μA[详细]
BL24C08AIIC,I2C,EEPROM,存储器,24,8k,08产品简介BL24C08A提供8192比特串行电可擦写存储器，组成1024个字节，每页16个字节，共64页。优势特点1.工作电压：1.7~5.5V2.标准IIC接口通信协议3.硬件写保护4.内部上电复位5.最高1M工作频率6.超低功耗设计，静态功耗小于1μA[详细]
BL24C04FIIC,I2C,EEPROM,存储器,24,2K,04产品简介BL24C04A提供4096比特串行电可擦写存储器，组成512个字节，每页16个字节，共32页。优势特点1.工作电压：1.7~5.5V2.标准IIC接口通信协议3.硬件写保护4.内部上电复位5.最高1M工作频率6.超低功耗设计，静态功耗小于1μA[详细]
BL24C04AIIC,I2C,EEPROM,存储器,24,4k,04产品简介BL24C04A提供4096比特串行电可擦写存储器，组成512个字节，每页16个字节，共32页。优势特点1.工作电压：1.7~5.5V2.标准IIC接口通信协议3.硬件写保护4.内部上电复位5.最高1M工作频率6.超低功耗设计，静态功耗小于1μA[详细]
BL24C02FIIC,I2C,EEPROM,存储器,24,2K,02产品简介BL24C02F提供2048比特串行电可擦写存储器，组成256个字节，每页16个字节，共16页。优势特点1.工作电压：1.7~5.5V2.标准IIC接口通信协议3.硬件写保护4.内部上电复位5.最高1M工作频率6.超低功耗设计，静态功耗小于1μA[详细]
BL24C02AIIC,I2C,EEPROM,存储器,24,2k,02产品简介BL24C02A提供2048比特串行电可擦写存储器，组成256个字节，每页16个字节，共16页。优势特点1.工作电压：1.7~5.5V2.标准IIC接口通信协议3.硬件写保护4.内部上电复位5.最高1M工作频率6.超低功耗设计，静态功耗小于1μA[详细]
E3000 Pro系列U.2 SSD数据中心级别的服务器U.2 PCIe SSD加载数据中心级别的控制器，性能出色，针对密集型数据读写的设计，支持2TB~8TB容量段，最高可支持传输性能为R=3500MB/s, W=3000MB/s。在同规格中，实现超低功耗，为数据中心提供解决方案。[详细]
E3000 Pro系列 M.2 PCIE 2280 SSDPCIe Gen3×4，超高速企业级M.2 PCIe SSD遵循PCle Gen3x4标准，支持256GB~2TB容量段，内建高性能的外置DDR4缓存芯片，最高可支持传输性能为R=3500MB/s, W=3000MB/s。更高速度，更大容量，更长寿命，保障了数据安全性和可靠性。[详细]
E2000 pro性能级的企业M.2 PCIe SSD遵循PCle Gen3x4标准，支持128GB~1TB容量段，内建高性能的外置DDR3缓存芯片，最高可支持传输性能为R=2000MB/s, W=1900MB/s。更高速度，更大容量，更长寿命，包装数据安全性和可靠性。[详细]
S3000 Pro系列SSDPCIe Gen3×4，超高速行业级M.2 PCIe SSD8通道NAND flash 并行读取， 遵循NVMe协议标准，轻松满足主流PC的存储器解决方案需求。支持256GB~2TB容量段，最高可支持传输性能为R=3500MB/s, W=3000MB/s。提供多少种封装规格组合，功耗低，性能提升，保障数据的可靠性，适合高要求的行业级客户。[详细]
S2000 pro高性价比的行业M.2 PCIe SSD采用PCIe Gen3×4 M Key端口，提供可实现更高性能的存储空间，可支持128GB~1TB容量段，加入了DRAM做为数据缓存，最高可支持传输性能为R=2000MB/s, W=1600MB/s。I/O延迟更低，低耗能，支持电源管理等客户端功能，是主流PC的理想选择。[详细]
新一代接口的笔记本M.2 PCIe SSD遵循新一代NVMe协议标准，两款端口可选，接入通道更多，支持128GB~1TB容量段，最高可支持传输性能为R=2000MB/s, W=1600MB/s。具有多种尺寸选择，为追求高性能大容量存储需求的超薄电子产品首选。[详细]
三星 LPDDR5 是一款高速的内存芯片，具有高速传输、低延迟和低功耗等优点。三星 LPDDR5 拥有最高的读写速度，可支持超过 5M Bytes/cycles 的数据传输速度，对于高性能的设备，如智能手机、平板电脑等，具有非常重要的地位。此外，三星 LPDDR5 还具有低延迟和低功耗等优点。低延迟可以提高设备的响应速度，低功耗[详细]
上海贝岭非挥发存储器串口IIC类24C系列产品，容量从2K--2M, 以及各类封装形式包括SOP、TSSOP、DIP、UDFN、WLCSP、TSOT[详细]
国产EEPROM生产厂家 ——“上海贝岭“ 拥有2K~2M全系列EEPROM产品，封装形式从SOP，DIP，TSSOP，UDFN，TSOT23到WLCSP一应俱全。产品特点：零静态功耗、ESD 8KV 超越欧美品牌、品质可靠，在LCD Panel/TV、网通设备、仪表、CCM等领域拥有数亿颗的量产经验。[详细]
什么是EEPRO读书次数？开发电子产品时，常常需要断电后保存某些数据，这就需要使用EEPROM芯片，这种芯片，可擦除的次数是有限制的，通常EEPROM为100万甚至1000万次。 EEPROM可以单个字节进行擦除，存储容量不大，只适合存储少量的设置数据。[详细]
EEPROM (Electrically Erasable Programmable read only memory) 是指带电可擦可编程只读存储器 是一种掉电后数据不丢失的存储芯片， EEPROM 可以在电脑上或专用设备上擦除已有信息 重新编程，一般用在即插即用 EEPROM（带电可擦可编程只读存储器）是用户可更改的只读存储器（ROM） 其可通[详细]
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