东芝NAND闪存：TC58BYG0S3HBAI6
TC58BYG0S3HBAI6
TC58BYG0S3HBAI6是一个1.8V 1 Gbit(1，107，296，256位)NAND电可擦和可编程只读存储器(NAND E2PROM)，组织为(2048 64)字节×64页×1024块。该装置具有2112字节静态寄存器，允许在寄存器和存储器单元阵列之间以2112字节递增传输程序和读取数据。擦除操作在单个块单元(128KB+4KB：2112字节/64页)中实现。
TC58BYG0S3HBA6是一种串行式存储器装置，它利用I/O引脚用于地址和数据输入/输出以及命令输入。自动执行擦除和编程操作,使得该设备最适合于诸如固态文件存储、语音记录、用于静态照相机的图像文件存储器其它需要高密度非易失性存储器数据存储的系统。
芯片上的 TC58 BYG0S 3HBA I 6 具有 ECC 逻辑，每 528 字节的 8 位读取错误可以在内部校正。
编辑：admin 最后修改时间：2019-09-05
