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东芝NAND闪存:TC58NVG2S0HTAI0

TC58NVG2S0HTAI0

关键字:东芝闪存 toshiba存储 NAND闪存 作者: 来源: 发布时间:2019-09-04  浏览:14

TC58NVG2S0HTA0是一个3.3V4Gbit(4,563,402,752位)NAND电可擦可编程只读存储器(NANDE2PROM),其组织为(4096+256)字节或64页或2048块。该装置具有两个4352字节的静态寄存器,允许在寄存器和存储器单元数组之间以4352字节增量的方式传输程序和读取数据。擦除操作是在单个块单元中实现的(256千字节16字节:4352字节×64页)。

TC58NVG2S0HTAI0是一种串行型存储设备,它使用I/O引脚进行地址和数据输入/输出以及命令输入。自动执行擦除和程序操作,使该设备最适合于诸如固态文件存储、语音记录、静止相机图像文件存储器等应用。以及其他需要高密度、非易失性存储器数据存储的系统。

编辑:admin  最后修改时间:2019-09-06

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