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业界领先的半导体器件供应商兆易创新GigaDevice（股票代码 603986）今日宣布，获得由国际公认的测试、检验和认证机构通标标准技术服务有限公司（以下简称SGS）授予的ISO 26262:2018汽车功能安全最高等级ASIL D流程认证证书。这标志着兆易创新已经建立起完善的、符合汽车功能安全最高等级要求的产品软硬件开发流[详细]
内存条的时序参数是衡量内存模块性能的重要指标之一。其中，C14、C16和C18是常见的时序参数，表示内存模块的延迟和速度。颖特新将介绍这些时序参数的含义和影响，如果需要购买内存跳或者二eMCP等大容量存储产品，也可以联系我们。时序参数是指内存模块在处理数据时所需的时间。它们通常以CL（CAS Latency）的形[详细]
21日讯，据报道，英国首相里希·苏纳克（Rishi Sunak）计划斥资1亿英镑（约合1.3亿美元）购买数千颗高性能人工智能芯片。据悉，英国政府官员始终在与英伟达、AMD和英特尔等IT巨头讨论，为所谓的“国家人工智能研究资源”采购芯片。这项工作由科学资助机构英国研究与创新(UK Research and Innovation)牵头，据信[详细]
在全球碳达峰、碳中和的背景下，近年来新能源汽车行业快速增长，并且带动了充电桩等众多配套设施的发展。最近，芯八哥“走进产业链”栏目记者采访了国内领先的IGBT充电集企业安和威董事常务副总黄大强，探讨在充电桩配套行业景气度高企的背景下，当前安和威企业的发展情况以及对行业未来发展的展望。单套充电集[详细]
8脚运放芯片是一种常见的电子元器件，用于放大和调节电压信号。颖特新将详细介绍8脚运放芯片的引脚定义，帮助您了解每个引脚的功能和用途。1.V+（引脚1）：V+引脚是8脚运放芯片的正电源引脚。该引脚通常与正电源相连，提供芯片所需的正电压。2.V-（引脚2）：V-引脚是8脚运放芯片的负电源引脚。该引脚通常与负电[详细]
据台媒电子时报报道， 消息人士称，尽管NAND闪存价格即将上涨，但中国大陆存储器模组制造商最近已停止提供产品报价或接受订单，因为预计存储芯片制造商即将采取提价行动，并补充说模组制造商计划提高产品报价8-10%。尽管买家和供应商将进行新一轮价格谈判，但行业明显正走向涨价趋势，NAND闪存定价将更合理地反[详细]
低功耗 MUG51 系列为内建 Flash 的 1T 8051 内核低功耗微控制器，操作频率为 7.3728 MHz，内建 16 KB Flash 内存以及 1 KB SRAM 与 4 KB LDROM，工作电压范围 1.8V 至 5.5V，工作温度范围 - 40°C ~ 105°C，低功耗 MUG51 系列支持在上电后到 Flash 内存初始化完成前功耗约为 200 μA，其低功耗特性使其很适合用[详细]
DS6521 系列是高度集成的锂离子和锂聚合物电池的线性充电器组件，适用于空间受限的可携式电子产品应用。电池充电分为三个阶段：调节、恒流和恒压。 在所有充电阶段，内部控制环路会监控充电器温度并在超过内部温度阈值时降低充电电流。充电器包含功率组件及可设定充电电流之功能，充电器功能具有高精度电流和电[详细]
DS6521 系列是高度集成的锂离子和锂聚合物电池的线性充电器组件，适用于空间受限的可携式电子产品应用。电池充电分为三个阶段：调节、恒流和恒压。 在所有充电阶段，内部控制环路会监控充电器温度并在超过内部温度阈值时降低充电电流充电器包含功率组件及可设定充电电流之功能，充电器功能具有高精度电流和电压[详细]
ARMv7-M 架构32bit Cortex-M4 CPU，集成FPU、MPU，支持SIMD指令的DSP，及 CoreSight标准调试单元。最高工作主频200MHz，Flash加速单元实现0-wait程序执行，达到250DMIPS或680Coremarks的运算性能 1.内置存储器- 最大512KByte的Flash memory，支持安全保护及数据加密*1- 最大192KByte的SRAM，包括32K[详细]
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