你好！欢迎来到深圳市颖特新科技有限公司！
ML51EC0AE 为内建 Flash 的增强型 1T 8051 内核微控制器，正常运行模式典型功耗可达 80 uA/MHz 以及休眠模式下功耗可低于 1 uA。此系列最高速可达 24 MHz，并内建 38.4 kHz 低速内部振荡器，支持宽电压工作范围 1.8 V 至 5.5 V 工作温度： - 40 ℃ 至 105 ℃。ML51EC0AE 包含 32 K 字节的 Flash 以及一个额外 2[详细]
ML51UB9AE 为内建 Flash 的增强型 1T 8051 内核微控制器，正常运行模式典型功耗可达 80 uA/MHz 以及休眠模式下功耗可低于 1 uA。此系列最高速可达 24 MHz，并内建 38.4 kHz 低速内部振荡器，支持宽电压工作范围 1.8 V 至 5.5 V 工作温度： - 40 ℃ 至 105 ℃。ML51UB9AE 包含 16 K 字节的 Flash 以及一个额外 1[详细]
ML51DB9AE 为内建 Flash 的增强型 1T 8051 内核微控制器，正常运行模式典型功耗可达 80 uA/MHz 以及休眠模式下功耗可低于 1 uA。此系列最高速可达 24 MHz，并内建 38.4 kHz 低速内部振荡器，支持宽电压工作范围 1.8 V 至 5.5 V 工作温度： - 40 ℃ 至 105 ℃。ML51DB9AE 包含 16 K 字节的 Flash 以及一个额外 1[详细]
ML51BB9AE 为内建 Flash 的增强型 1T 8051 内核微控制器，正常运行模式典型功耗可达 80 uA/MHz 以及休眠模式下功耗可低于 1 uA。此系列最高速可达 24 MHz，并内建 38.4 kHz 低速内部振荡器，支持宽电压工作范围 1.8 V 至 5.5 V 工作温度： - 40 ℃ 至 105 ℃。ML51BB9AE 包含 16 K 字节的 Flash 以及一个额外 1[详细]
工作原理编辑DS18B20的读写时序和测温原理与DS1820相同，只是得到的温度值的位数因分辨率不同而不同，且温度转换时的延时时间由2s减为750ms。 DS18B20测温原理如图3所示。图中低温度系数晶振的振荡频率受温度影响很小，用于产生固定频率的脉冲信号发送给计数器1。高温度系数晶振随温度变化其振荡频率明显改变，[详细]
AO8810概述AO8810为AOS畅销产品，主要应用于LCD Monitor/TV、DVB、DVD、汽车音响、无绳电话、无线耳机、对讲机、智能电话、Skepe Phone、智能充电器、彩色液晶模组、应急充电器等产品上。AO8810基本参数类别：分离式半导体产品家庭：MOSFETs-阵列FET型：2个N沟道（双）FET特点：逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss)[详细]
- 先进影像传感器增强驾乘人员监测功能，提高汽车安全性和舒适性- 完美匹配汽车和工业机器视觉的电子全局快门技术，开创性的像素内线性高动态范围- 在AutoSens展会和2018年德国慕尼黑电子展上，与Jungo联合展示新传感器在驾乘人员监测和自动驾驶市场上的发展前景中国，2018年12月5日 – 横跨多重电子应用领域的[详细]
中国，2018年12月3日 -- 意法半导体的STM8L001超低功耗微控制器在尺寸紧凑的低引脚数SO-8封装内整合高能效的8位STM8处理器内核与有实效的基本外设，目标应用定位于注重成本的产品设备。该微控制器提供开发基本感测、通信和控制模块所需的关键功能，包括两个比较器、SPI、I2C和UART接口，以及一[详细]
中国，2018年11月2日 - 意法半导体的 STM32L412和STM32L422微控制器（MCU）以功能专一和封装紧凑为特色，为注重成本预算的消费类、工业和医疗应用带来超低功耗技术和优异的处理性能。 新微控制器为设计人员提供了更大的发挥空间，突破各种设计资源的制约，不论是内核性能和能耗限制，还[详细]
扫码关注我们
0755-82591179
邮箱：ivy@yingtexin.net
地址：深圳市南山区桃源街道平山社区平山一路2号南山云谷创业园二期11栋410-411
Copyright © 2014-2026 颖特新科技有限公司 All Rights Reserved. 粤ICP备14043402号-4
