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深圳市颖特新科技有限公司目前可以提供基于新唐科技（Nuvoton）的可应用于VR系统的Type-C数字耳机解决方案，本解决方案用到新唐的NUC123主控与NAU88L25语音IC。 图示1-采用USB-Type C接口的数字耳机根据IHS Technology的报告预测，USB-Type C接口使用量最大的市场将集中在智能手机、平板和笔记本电脑上。从[详细]
村田制作所已将端子间距为4mm以上且经汽车用安全标准认定的金属端子型多层陶瓷电容器 KCA系列Type MF商品化。主要可用于电动汽车的车载充电器（OBC*1）、变频器、DC-DC转换器等。本商品计划于2018年12月起开始量产。经汽车用安全标准认定的金属端子型多层陶瓷电容器 KCA系列Type MF已获得电容器国际安全标准IEC[详细]
前言：新唐N32905U1DN单片机不支持用户将程序烧录到内部FLASH，必须外挂FLASH存储用户程序，可以是SPI FLASH、NAND FLASH、SD卡。用户采用裸机开发的方式可使用官方提供的lib文件和对应的头文件。本工程代码是在内部SDRAM下调试，如需固化程序，可通过USB下载。1.1 &[详细]
N9H20K11N系列采用ARM926EJ-S核心，执行速度高达200 MHz，堆叠2 MB SDRAM记忆体於同一封裝，提供128-pin，大幅减少PCB尺寸和降低电磁干扰 (EMI)。丰富的周边功能包含：2组UART、SDIO/eMMC 介面、NAND Flash 介面24bit LCD控制器和高速USB Host/Device 等，可以满足客户对弹性设计的需求。N9H20K11N符合 -20℃至[详细]
N9H20K31N系列采用ARM926EJ-S核心，执行速度高达200 MHz，堆叠8 MB SDRAM记忆体於同一封裝，提供128-pin，大幅减少PCB尺寸和降低电磁干扰 (EMI)。丰富的周边功能包含：2组UART、SDIO/eMMC 介面、NAND Flash 介面24bit LCD控制器和高速USB Host/Device 等，可以满足客户对弹性设计的需求。N9H20K31N符合 -20℃至[详细]
N9H20K51N系列采用ARM926EJ-S核心，执行速度高达200 MHz，堆叠32 MB SDRAM记忆体於同一封裝，提供128-pin，大幅减少PCB尺寸和降低电磁干扰 (EMI)。丰富的周边功能包含：2组UART、SDIO/eMMC 介面、NAND Flash 介面24bit LCD控制器和高速USB Host/Device 等，可以满足客户对弹性设计的需求。N9H20K51N符合 -20℃至[详细]
N9H26K51N系列采用ARM926EJ-S核心，执行速度高达264 MHz，堆叠或32 MB SDRAM记忆体于同一封装，提供128-pin，大幅减少PCB尺寸和降低电磁干扰 (EMI)。丰富的周边功能包含：2组UART、SDIO/eMMC 接口、NAND Flash 接口24bit LCD控制器和高速USB Host/Device 等，可以满足客户对弹性设计的需求。N9H26K51N符合 -20℃[详细]
N9H30F51I系列采用ARM926EJ-S核心，执行速度高达300 MHz，堆叠32 MB DDR-II记忆体於同一封裝，提供128-pin和216-pin LQFP封装，大幅减少PCB尺寸和降低电磁干扰 (EMI)。丰富的周边功能包含：11组UART、SDIO/eMMC 介面、NAND Flash 介面、24bit LCD控制器和高速USB 2.0 Host/Device 等，可以满足客户对弹性设计的[详细]
N9H30F51IEC系列采用ARM926EJ-S核心，执行速度高达300 MHz，堆叠32 MB DDR-II记忆体於同一封裝，提供 216-pin LQFP封装，大幅减少PCB尺寸和降低电磁干扰 (EMI)。丰富的周边功能包含：11组UART、SDIO/eMMC 介面、NAND Flash 介面、24bit LCD控制器、2组CAN, 2組10/100Mbps 以太网口和高速USB 2.0 Host/Device等，[详细]
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