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2019-0916位MCU的春天：蓝碧石半导体16位MCU介绍

颖特新科技讯：亚洲家电和小型工业设备市场增长显著，为了使配置于目标产品中的微控制器适用于新产品在功能和性能方面的提升，需要其能够快速对应多样化应用的丰富封装和ROM容量变化。同时，作为家电的核心元件，MCU也需要能够在任何情况下都能安全的控制系统功能。为此，罗姆(ROHM)集团旗下的蓝碧石半导体公司[详细]

2019-09东芝NAND闪存：TC58BVG1S3HBAI4

TC58BVG1S3HBA4是一个3.3V2Gbit(2,214,592,512位)NAND电可擦可编程只读存储器(NANDE2PROM)，其组织为(2048+64)字节或64页或2048块。该设备具有2112字节的静态寄存器,其允许程序和读取数据以2112字节增量在寄存器和存储器单元阵列之间传送,擦除操作在单个块单元(128KB+4KB：2112字节/64页)中实现。TC58BVG1S3HBa[详细]

2019-09东芝NAND闪存：TC58BVG1S3HBAI6

TC58 BVG1S 3HBAI6 是单个 3.3V 2Gbit（ 2,214 ，592 ，512 位）NAND 电气可擦除和可编程只读存储器 (NANDE2PROM) ，组织为（ 2048 + 64 ）字节× 64 页× 2048 块。该设备具有2112字节的静态寄存器,其允许程序和读取数据以2112字节增量在寄存器和存储器单元阵列之间传送,擦除操作在单个块单元(128KB+4KB：2112[详细]

2019-09东芝NAND闪存：TC58BVG1S3HTA00

TC58BVG1S3HTA00是一个3.3V2Gbit(2,214,592,512位)NAND电可擦可编程只读存储器(NANDE2PROM)，组织为(2048+64)字节或64页或2048块。该装置具有2112字节静态寄存器，允许在寄存器和存储器单元阵列之间以2112字节递增传输程序和读取数据。擦除操作在单个块单元(128KB+4KB：2112字节/64页)中实现。TC58BVG1S3HTA00是[详细]

2019-09东芝NAND闪存：TC58BVG1S3HTAI0

TC58BVG1S3HTAI0是一个单独的3.3V2Gbit(2，214，592，512位)NAND电可擦和可编程只读存储器(NAND E2PROM)，组织为(2048 64)字节×64页×2048块。该设备具有一个2112字节的静态寄存器，它允许在寄存器和存储器单元数组之间以2112字节递增传输程序和读取数据。擦除操作是在单个块单元中实现的(128 K字节、4K字节：[详细]

2019-09东芝NAND闪存：TC58BYG1S3HBAI4

TC58BYG1S3HBAI4是一个1.8V2Gbit(2,214,592,512位)NAND电可擦可编程只读存储器(NANDE2PROM)，其组织为(2048+64)字节或64页或2048块。该装置具有2112字节静态寄存器，允许在寄存器和存储器单元阵列之间以2112字节递增传输程序和读取数据。擦除操作是在单个块单元中实现的(128 K字节、4K字节：2112字节×64页)。T[详细]

2019-09东芝NAND闪存：TC58BYG1S3HBAI6

TC58BYG1S3HBAI6是一个1.8V2Gbit(2,214,592,512位)NAND电可擦可编程只读存储器(NANDE2PROM)，其组织为(2048+64)字节或64页或2048块。该装置具有2112字节静态寄存器，允许在寄存器和存储器单元阵列之间以2112字节递增传输程序和读取数据。擦除操作在单个块单元(128KB+4KB：2112字节/64页)中实现。TC58BYG1S3HBAI[详细]

2019-09东芝NAND闪存：TC58CVG1S3HRAIG

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2019-09东芝NAND闪存：TC58CYG1S3HRAIG