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美光半导体周四宣布，该公司一开始量产基于第三代 10nm 制程（又称 1z nm）制程的存储芯片，首批到来的便是 16Gb DDR4 / LPDDR4 DRAM 器件。随着时间的推移，该公司还将进一步扩大其产品组合。与第二代 10nm 工艺相比， 新工艺使得美光能够提升 DRAM 芯片密度，在增强性能的同时、降低产品的功耗。值得一提的是[详细]
16GB（TwinDie™）DDR4 SDRAM使用Micron的8GB DDR4 SDRAM模具；两个x8组合成一个x16。与mono x16类似，有一个额外的zq连接，用于更快的zq校准和x8寻址所需的bg1控制。请参阅Micron的8GB DDR4 SDRAM数据表（x8选项）本文件中未包含的规范。与双模制造零件号相关的基本零件号MT40A1G8规范MT40A1G16。[详细]
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