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开发板介绍 | 开发板特色 | 快速指南NuTiny- MS51FB开发板介绍新唐 NuTiny- MS51FB 开发板由两部分组成，采用NuMicro 8051 MS51FB9AE 微控制器的主控板，与 Nu-Link-Me 除错烧录器。使用者只需使用此开发板就可以开发、刻录并验证应用程序。NuTiny- MS51FB 的主控板带有 MS51FB9[详细]
方案介绍此 Fast Identification Online (FIDO) 身分识别认证 USB 随身碟，具备 NuMicro® M2351 单片机与 SunASIC® 指纹辨识模块之双安全机制，符合 Universal 2nd Factor (U2F) 协议，适用于各种身分识别认证应用，如数字货币加密钱包、笔记本电脑或行动装置之数据及密码保护等。方案架构图相关IC● M[详细]
方案介绍emWin 是一套专门用于图像化用户接口 (GUI) 设计的软件库，常用于人机接口的显示规划上，能快速且简单地设计出高质量的显示接口。此方案透过 NuMicro M480 系列单片机高达 192 MHz 的强大运算能力，搭配2吋 OLED 屏幕，流畅播放含 GIF 影像的显示接口。方案架构图相关IC● M480关于Nuvoton&颖特新颖[详细]
ML51XB9AE 为内建 Flash 的增强型 1T 8051 内核微控制器，正常运行模式典型功耗可达 80 uA/MHz 以及休眠模式下功耗可低于 1 uA。此系列最高速可达 24 MHz，并内建 38.4 kHz 低速内部振荡器，支持宽电压工作范围 1.8 V 至 5.5 V 工作温度： - 40 ℃ 至 105 ℃。ML51XB9AE 包含 16 K 字节的 Flash 以及一个额外 1[详细]
ML51UC0AE 为内建 Flash 的增强型 1T 8051 内核微控制器，正常运行模式典型功耗可达 80 uA/MHz 以及休眠模式下功耗可低于 1 uA。此系列最高速可达 24 MHz，并内建 38.4 kHz 低速内部振荡器，支持宽电压工作范围 1.8 V 至 5.5 V 工作温度： - 40 ℃ 至 105 ℃。ML51UC0AE 包含 32 K 字节的 Flash 以及一个额外 2[详细]
ML51UB9AE 为内建 Flash 的增强型 1T 8051 内核微控制器，正常运行模式典型功耗可达 80 uA/MHz 以及休眠模式下功耗可低于 1 uA。此系列最高速可达 24 MHz，并内建 38.4 kHz 低速内部振荡器，支持宽电压工作范围 1.8 V 至 5.5 V 工作温度： - 40 ℃ 至 105 ℃。ML51UB9AE 包含 16 K 字节的 Flash 以及一个额外 1[详细]
ML51TC0AE 为内建 Flash 的增强型 1T 8051 内核微控制器，正常运行模式典型功耗可达 80 uA/MHz 以及休眠模式下功耗可低于 1 uA。此系列最高速可达 24 MHz，并内建 38.4 kHz 低速内部振荡器，支持宽电压工作范围 1.8 V 至 5.5 V 工作温度： - 40 ℃ 至 105 ℃。ML51TC0AE 包含 32 K 字节的 Flash 以及一个额外 2[详细]
ML51TB9AE 为内建 Flash 的增强型 1T 8051 内核微控制器，正常运行模式典型功耗可达 80 uA/MHz 以及休眠模式下功耗可低于 1 uA。此系列最高速可达 24 MHz，并内建 38.4 kHz 低速内部振荡器，支持宽电压工作范围 1.8 V 至 5.5 V 工作温度： - 40 ℃ 至 105 ℃。ML51TB9AE 包含 16 K 字节的 Flash 以及一个额外 1[详细]
ML51PC0AE 为内建 Flash 的增强型 1T 8051 内核微控制器，正常运行模式典型功耗可达 80 uA/MHz 以及休眠模式下功耗可低于 1 uA。此系列最高速可达 24 MHz，并内建 38.4 kHz 低速内部振荡器，支持宽电压工作范围 1.8 V 至 5.5 V 工作温度： - 40 ℃ 至 105 ℃。ML51PC0AE 包含 32 K 字节的 Flash 以及一个额外 2[详细]
ML51PB9AE 为内建 Flash 的增强型 1T 8051 内核微控制器，正常运行模式典型功耗可达 80 uA/MHz 以及休眠模式下功耗可低于 1 uA。此系列最高速可达 24 MHz，并内建 38.4 kHz 低速内部振荡器，支持宽电压工作范围 1.8 V 至 5.5 V 工作温度： - 40 ℃ 至 105 ℃。ML51PB9AE 包含 16 K 字节的 Flash 以及一个额外 1[详细]
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