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ML51OB9AE 为内建 Flash 的增强型 1T 8051 内核微控制器，正常运行模式典型功耗可达 80 uA/MHz 以及休眠模式下功耗可低于 1 uA。此系列最高速可达 24 MHz，并内建 38.4 kHz 低速内部振荡器，支持宽电压工作范围 1.8 V 至 5.5 V 工作温度： - 40 ℃ 至 105 ℃。ML51OB9AE 包含 16 K 字节的 Flash 以及一个额外 1[详细]
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中国，2019年1月22日 - 意法半导体的MDmesh DM6 600V MOSFET含有一个快速恢复体二极管，将该公司最新的超结(super-junction)技术的性能优势引入到全桥和半桥拓扑、零电压开关(ZVS)相移转换器等通常需要一个稳定可靠的二极管来处理动态dV/dt的应用和拓扑结构里。 MDmesh DM6 MOSFET利用[详细]
中国，2019年1月15日 - 意法半导体STEVAL-FKI001V1双射频开发套件支持低能耗蓝牙Bluetooth® Low Energy (BLE) 和Sub-1GHz并行无线通信，大幅提高物联网设备的设计、开发效率和连接灵活性，例如，通过各种网络拓扑、协议和服务实现配置、更新、远程监控和跟踪功能的智能传感器、探测器和[详细]
- 高人气的STM32CubeMX软件工具扩展包STM32Cube.AI可生成优化代码，在STM32微控制器（MCU）上运行神经网络 - STM32Cube.AI附带即用型软件函数包，包含用于识别人类活动和音频场景分类的代码示例，可立即用于意法半导体参考传感器板和移动应用程序 - ST合作伙伴计划和STM32 AI / ML社区的[详细]
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