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最热知识

2023-09n沟道MOS场效应管主要依靠什么导电

n沟道mos场效应管（NMOS）是一种重要的半导体器件，在现代电子技术中得到广泛应用。NMOS的导电主要依靠电子，在学习和理解该器件的工作原理和应用时，理解NMOS主要依靠电子导电的原理至关重要。NMOS的结构和工作原理NMOS由P型衬底上的N型沟道、P型掺杂的漏极和源极组成，其基本工作原理是通过在沟道和衬底上加上[详细]

2023-09双栅MOS场效应管的工作原理及特点

双栅MOS场效应管（Double-gate Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，简称DG-MOSFET）是一种拥有两个栅极的MOSFET器件。它结构上的改进使其具有独特的工作原理和特点。工作原理：双栅MOS场效应管的工作原理类似于传统单栅MOSFET，但其拥有两个栅极（前栅极和后栅极），使其具有更好的电流控制能[详细]

2023-09东芝推出用于工业设备的第3代碳化硅MOSFET

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用有助于降低开关损耗的4引脚TO-247-4L(X)封装的碳化硅（SiC）MOSFET---“TWxxxZxxxC系列”，该产品采用东芝最新的[1]第3代碳化硅MOSFET芯片，用于支持工业设备应用。该系列中五款额定电压为650V，另外五款额定电压为1200V，十款产品于今日开始批量[详细]

2023-08东芝开发业界首款2200V双SIC MOSFET模块产品

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出业界首款[1]2200V双碳化硅（SiC）MOSFET模块---“MG250YD2YMS3”。新模块采用东芝第3代SiC MOSFET芯片，其漏极电流（DC）额定值为250A，适用于光伏发电系统和储能系统等使用DC 1500V的应用。该产品于今日开始支持批量出货。 &nbs[详细]

2023-08东芝推出采用新型封装的车载40V MOSFET，有助于汽车实现高散热

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出两款采用东芝新型S-TOGLTM（小型晶体管轮廓鸥翼式引脚）封装与U-MOS IX-H工艺芯片的车载40V N沟道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。两款产品于今日开始支持批量出货。自动驾驶系统等高安全级别的应用可通过冗余设计确保可靠性，因此与标[详细]

2023-08东芝推出N沟道功率MOSFET，有助于汽车设备实现高散热和小型化

2023-08igbt和MOS管的区别是什么 igbt和MOS管的优缺点介绍

IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）和MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）是两种常见的功率半导体器件，用于电力电子应用。它们在结构、工作原理和性能方面有一些区别，下面是它们的主要区别：1.结构：IGBT是一种双极型晶体管，由PNP型双极晶体管和N型MOSFET组成。而MOSFET是[详细]

2023-07这家厂商率先量产4G线性CMOS PA射频功率放大器件

功率放大器（Power Amplifier, 简称PA）是射频前端信号发射的核心器件，其性能的高低直接影响终端设备的通信质量和实际体验，在射频前端芯片中处于较为核心的地位。在对性能不十分苛求的市场领域，CMOS PA正成为GaAs PA的替代产品近年来，在终端设备设计持续小型化的趋势下，射频前端模组化的趋势日益明显。与此[详细]

2023-06东芝推出N沟道功率MOSFET，有助提高电源效率

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用最新一代工艺制造[1]的TK055U60Z1，进一步扩充了N沟道功率MOSFET系列产品线。该器件采用超级结结构，耐压600V，适用于数据中心、开关电源和光伏发电机功率调节器。该新产品是东芝DTMOSVI系列中的首款600V产品，于今日开始批量出货。通过对栅极设计[详细]

2023-06智加科技完成2亿美元新一轮融资

日前，据报道，智加科技(Plus)已完成2亿美元新一轮融资，投资方包括领投国泰君安国际、CPE、万向汽车技术风险投资，老股东满帮集团等跟投。　　根据业内消息，智加科技本轮融资将用于加速自动驾驶重卡的全球商业化部署。具体来说，2021年，该公司计划实现新一代高等级自动驾驶重卡的量产。为[详细]

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