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该系列产品包含1200V和650V两种规格－东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出新款功率器件---第三代碳化硅（SiC）MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。该系列具有低导通电阻，可显著降低开关损耗。该系列10款产品包括5款1200V产品和5款650V产品，已于今日开始出货。新产品的单位面积导[详细]
DFN0603封装提高性能并显著减少空间需求基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布推出采用超小DFN封装的新系列20 V和30 V MOSFET DFN0603。Nexperia早前已经提供采用该封装的ESD保护器件，如今更进一步，Nexperia成功地将该封装技术运用到MOSFET产品组合中，成为行业竞争的领跑者。该系列小型MOSFET[详细]
JAI宣布扩展Go-X系列小型机器视觉相机的产品阵容，新增24个型号的全局快门机型，配置索尼最新Pregius S CMOS传感器的。新增型号具备两个接口类型，其中12个型号配置CoaXPress 2.0接口，另12个型号配置GigE Vision（1000BASE-T）接口。此外，还有12个配置GigE Visio接口、支持5GBASE-T速度的机型将于今年末推出。[详细]
电源管理系统要实现高能源转换效率、完善可靠的故障保护，离不开高性能的开关器件。近日，豪威集团全新推出两款MOSFET：业内最低内阻双N沟道MOSFET WNMD2196A和SGT 80V N沟道MOSFET WNM6008。WNMD2196A 超低Rss(ON)，专为手机锂电池保护设计近几年，手机快充技术飞速发展，峰值充电功率屡创新高。在极大地缓解消[详细]
意法半导体40V MOSFET晶体管STL320N4LF8 和 STL325N4LF8AG 降低导通电阻和开关损耗，同时优化体寄生二极管特性，降低功率转换、电机控制和配电电路的能耗和噪声。新型 40V N 沟道增强型 MOSFET 利用最新一代 STPOWER STripFET F8 氧化物填充沟槽技术实现卓越的品质因数。在栅源电压 (VGS)为 10V 时，ST[详细]
思特威（上海）电子科技股份有限公司（股票简称：思特威，股票代码：688213），重磅推出2.5MP车规级图像传感器新品——SC220AT。新品搭载思特威创新的SmartClarity®-2成像技术，以及升级的自研ISP算法，创新的SFCPixel®、PixGain HDR®专利技术、LFS技术，集片上ISP二合一、高感光度、高动态范围、优[详细]
意法半导体的STPOWER MDmesh M9和DM9硅基N沟道超结多漏极功率MOSFET晶体管非常适用于设计数据中心服务器、5G基础设施、平板电视机的开关式电源 (SMPS)。首批上市的两款器件是650V STP65N045M9和600V STP60N043DM9。两款产品的单位面积导通电阻(RDS(on))都非常低，可以极大程度提高功率密度，并有助于缩减系统尺[详细]
意法半导体（简称：ST）推出基于红外信号的TMOS（温度感应半导体金属氧化物）人体存在检测传感器，助力智能产品实现性能和功能新飞跃。传统的红外热释电传感器，相信大家已经很熟悉了，热释电传感器通过检测人体移动发出的红外线变化来判断是否有人体存在。但是传统热释电红外传感器由于工作原理限制，无法对恒[详细]
新型硅基快速恢复体二极管超结 MOSFET系列为全桥相移ZVS拓扑提供理想的效率和可靠性ST超结快速恢复硅基功率MOSFET兼具超低恢复电荷(Qrr)和超快快恢复时间(trr)，以及出色的品质因数(RDS(on)x Qg)，能够为要求严苛的桥式拓扑和ZVS相移转换器带来极高的效率和功率水平，适用于工业和汽车应用。该产品系列提供了广[详细]
TCK42xG系列支持外部背对背MOSFET颖特新科技讯：东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，在其TCK42xG系列MOSFET栅极驱动IC产品中新增五款适用于可穿戴设备等移动电子设备的产品。该系列的新产品配备了过电压锁定功能，能根据输入电压控制外部MOSFET的栅极电压。新产品具体包括：用于24V电源线的“[详细]
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