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东芝(Toshiba)出售NAND Flash事业群的竞标案炒得热闹，近期经济部工业局也找台湾多家存储器相关业者密谈应对之策，将再找晶圆代工业者作第二轮商议，业界透露，台积电有意藉由此案进入3D NAND代工，更说服东芝在台湾设厂生产，此举目的是击破三星电子(Samsung Electronics)长期来以存储器利润补贴逻辑亏损的策略[详细]
近日，由国家储存器基地主要承担单位长江储存科技有限责任公司（以下简称“长江存储”）与中国科学院微电子研究所联合承担的3D NAND存储器研发项目取得新进展。据长江存储CEO杨士宁在IC咖啡首届国际智慧科技产业峰会（ICTech Summit 2017）上介绍，32层3D NAND芯片顺利通过电学特性等各项指标测试，达到预期要求[详细]
内存模块厂创见（2451）、威刚（3260）11月营收与10月相当，但已明显感受到DRAM及NAND Flash缺货问题难获纾解。创见及威刚均表示，上游厂商供给不足的状况持续，DRAM及NAND Flash缺货状况预料将延续至明年第一季，价格则持续看涨。 创见11月营收19.70亿元，约与10月持平。创见表示，由于原物料价格[详细]
TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange最新调查显示，受惠于智能手机需求强劲，及供给端2D-NAND转进3D-NAND所导致的整体产出减少，第三季NAND Flash开始涨价，使得NANDFlash原厂营收季成长19.6%，营业利益率也较上季大幅进步。 DRAMeXchange研究协理杨文得表示，第四季各项终端设备出货进入今[详细]
NAND Flash控制IC大厂群联10日举行法说会，对于明年闪存（NAND Flash）市况看法，群联董事长潘健成表示，目前NANDFlash市场确实很缺，若美国总统当选人特朗普维持正常运作，没有乱来，则预估明年NANDFlash将持续缺货至明年。 潘健成指出，造成NANDFlash大缺货的原因，主要因为各种电子用品的渗[详细]
日经新闻报导，使用于智能手机、记忆卡的NAND型闪存（Flash Memory）批发价格进一步走升，10月份指标性产品MLC（Multi-Level Cell）类型64Gb产品价格月增约6%至每个3.3美元左右，为2年来首度突破3美元关卡，128Gb产品也月增1%至4.1美元左右。因生产技术提升，内存价格一般来说都会随着时间推移而下滑、因此[详细]
随着当前智能手机、SSD等产品的市场需求强烈，包括闪存、内存等储存芯片需求大量成长，近期价格也摆脱低潮，持续上涨，这样的机会点也给了中国相关企业介入储存芯片市场的发展契机。根据外电的报导，在这波储存芯片的热潮下，中国本身也将在2017年推出32层堆叠的3D NAND闪存。虽然，这样的技术相较韩国三星[详细]
先前，因为受到连续7年作假帐风波，因而导致公司商誉严重受损，并且冲击投资人信心的日本电子大厂东芝（Toshiba），28日宣布上调2016年上半年度的获利预测，预估将上调至850亿日元的水准，较原本预估的700亿日元调高21.43%，每股EPS也将达到20.08日元，等于宣告正式摆脱公司作假帐的阴霾。 东芝于[详细]
受惠于中国智能手机品牌的高容量eMMC／eMCP及iPhone7备货需求，第二季整体NAND Flash供货逐渐吃紧。TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange最新报告显示，第二季eMMC、用户级固态硬盘与企业级固态硬盘的合约价跌幅开始收敛，渠道端wafer价格更从4月起逐月走扬，第二季NAND Flash品牌商营收逆势季成长3.[详细]
日经新闻27日报导，日本半导体（芯片）设备商订单明显回复，2016年度上半年期间（2016年4至9月）东京威力科创等日本7大设备商合计订单额达约7,300亿日元，较2015年度下半年（2015年10月至2016年3月）增加约4%，且订单额创下9年半来（2006年度下半年以来）新高纪录。 设备订单一般反映在3至6个月后[详细]
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