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相对于旧式HDD硬盘的式微，NAND闪存及SSD固态硬盘的发展就成了储存市场的当红炸子鸡。不论是在移动设备、个人电脑、或是数据中心等市场上都在快速成长。而目前因为中国已经成为NAND闪存的最大市场，而SSD固态硬盘也是成长最快的市场。因此，也吸引了各家中国本土厂商的竞相投入。 在NAND闪存的市场[详细]
内存的3DNAND Flash大战即将开打！目前3DNAND由三星电子独家量产，但是先有东芝（Toshiba）杀入敌营，如今美光（Micron）也宣布研发出3D NAND芯片，而且已经送样，三星一家独大的情况将画下句点。 TechRadar、ComputerWorld报导，美光9日宣布开发出该公司第一款3D NAND芯片，采48层堆叠，容量为[详细]
竞争对手急起直追，三星电子冒冷汗，将豪掷17万亿韩元（约150亿美元），研发3D NAND Flash和OLED，巩固领先优势。 韩国先驱报29日报导，三星电子先前暗示，今年全年研发费用为26万亿韩元，略高于2015年的25.52万亿韩元。今年上半该公司用掉了8.8万亿韩元，意味还有17.2万亿韩元。这笔钱会用在哪边[详细]
紫光集团预计于武汉成立长江储存科技，未来将纳入武汉新芯并统筹旗下一切内存发展项目，目前整体规划朝向NANDFlash产业发展。TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange研究协理杨文得表示，紫光集团与武汉新芯联手，使中国内存产业发展进入新章，可望为后续中国布建自主性内存产业带来进展。中国业者近一[详细]
SSD等应用提升下，Nand Flash需求正快速成长，各家内存厂无不积极扩产，以扩展自身在NAND Flash的市占，半导体巨擘英特尔在2015年10月同样看好NAND Flash发展，宣布与大连市政府合作，将原本生产处理器芯片的厂房转型生产3D-NAND Flash芯片，而现在厂房改置完毕，在25日正式宣告投产。 据中国官方[详细]
星电子的3DNAND Flash霸主宝座出现危机？三星是第一家开发出3DNAND Flash业者，技术遥遥领先，不过据传日厂东芝（Toshiba）砸重金研发后，情势一夕骤变，东芝即将超车三星，成为首家生产64层3D NAND Flash的厂商。 BusinessKorea 20日报导，2013年三星电子率先制[详细]
日经新闻20日报导，因中国智能手机厂商纷纷强化产品功能，带动内存需求大增，加上三星电子西安工厂6月因附近变电厂爆炸而一度停工，带动使用于智能手机、记忆卡的NAND型快闪内存（Flash Memory）交易价格转趋走扬，指标性产品6月份批发价在1个月期间内飙涨22%。 [详细]
Thomson Reuters、时事通信社报导，东芝（Toshiba）统筹内存事业的副社长成毛康雄于6日举行的投资人说明会上表示，将冲刺NAND型快闪内存（Flash Memory）产量，目标在2018年度将NAND Flash产量扩增至2015年度的3倍水准（以容量换算）。 关于已在2016年度开始量[详细]
TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange最新报价显示，第三季NAND Flash供货吃紧的态势越发明显，TLC-Wafer与现货卡片价格自4月初以来已连续3个月份逐步走扬，而近一个月涨幅开始增加。 DRAMeXchange研究协理杨文得表示，NAND Flash原厂持续降低对于管道（[详细]
韩国经济日报（KoreaEconomic Daily）15日报导，三星电子（SamsungElectronics Co.）打算在2017年底前扩充3D NAND型快闪内存产能，总共要斥资25兆韩元，主要扩产的是位于中国西安的厂房，预定今年稍晚会于该厂新设一条3DNAND生产线，另外还将在韩国平泽市的厂房投入资本。虽然根据韩国时报报导，三星电子已在[详细]
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