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2017-12TI推出NexFET N沟道功率MOSFET 可实现业界最低电阻

日前,德州仪器 (TI) 推出其NexFET? 产品线11款新型N沟道功率MOSFET,其中包括具有业界最低导通电阻并采用QFN 封装的25-V CSD16570Q5B 和 30-V CSD17570Q5B,可应用于热插拔和ORing应用。此外,TI面向低电压电池供电型应用的新型12-V FemtoFET? CSD13383F4在采用0.6 mm x 1mm纤巧型封装的情况下实现了比同类竞[详细]


2017-12CrOSsbar放大招:邮票大小的芯片可存储1TB数据

美国加州的创业公司Crossbar20日发布了一种新型芯片,能以邮票大小的体积存储1TB的数据。这种芯片采用RRAM技术(可变电阻式记忆体,Resistive Random Access Memory),颠覆传统的闪速存储器,数据存储速度是其20倍,很有可能成为每年600亿美元闪存市场的有力竞争者。[详细]


2017-12Sony CMOS 停工危机解除,组装、晶圆产线 17 日起复工

Sony 13日于日股盘后公布了因熊本强震而停工的熊本工厂最新状况:位于高楼层、做为后段工程之一的测试产线已自5月9日起陆续复工,组装产线等其他工程预计将自5月17日起陆续复工;另外,位于低楼层的晶圆加工产线预计将自5月21日起陆续复工。熊本工厂主要生产数码相[详细]


2017-12汽车、监控商机不断爆发,CMOS 产值有望连续 5 年创新高

研调机构IC Insights最新报告指出,汽车、医疗与安全监控未来将取代智能手机与数码相机,成为CMOS主要成长动能。由于嵌入式数码摄影技术终端应用范围不断扩大,CMOS未来5年营收有望年年破纪录,IC Insights预测2020年CMOS市场规模将从2015年的99亿美元成长至152亿美元,换算年复合成长率达9%。IC Insights最[详细]


2017-09智能手机厂松口气?Sony CMOS?感测器部分产线已复工

日本熊本县14日晚间发生311大地震以来最强震度的强震,导致Sony生产CMOS影像感测器的熊本工厂(熊本县菊阳町)被迫停工;16日凌晨又发生芮氏规模达7.3的强震,芮氏规模同于1995年发生的阪神大地震,据日本气象厅指出,16日的强震才是主震,14日的为前震(芮氏规模6.5)[详细]


2017-09TDK推出了爱普科斯 (EPCOS) 新 X1 电容器系列

TDK 集团最近推出了爱普科斯 (EPCOS) 新 X1 电容器系列。该系列电容器工作电压高达 530 V AC,适用于 EMI 抑制电路中的 X1 位置(L-N)。B32911*至 B32918*系列电容器电容 范围为 1 nF 至 5.6 μF。此外,该系列电容器结构极为紧凑,尺寸范围从 4.0 mm x 9.0 mm x13.0 mm[详细]


2017-09Power Integrations推出全新900V InnOSwitch-EP IC,适用于工业及

ower Integrations公司今日发布900 V恒压/恒流离线反激式开关IC器件,为InnoSwitch?-EP产品系列再添新成员。新器件适用于由高压直流或三相电供电的工业控制、电机驱动、仪表计量和可再生能源方面的应用,同时也适用于在输入浪涌和电压骤升情况下要求电源仍能连续工作的标[详细]


2017-09epcOS电容公司实力展现

在选择电容品牌的时候,深入了解品牌实力是很重要的。在诸多的电容品牌中,epcos电容可谓是诸多消费者或者是厂家所青睐的品牌。的确如此,而这正是因为该公司的实力展现,不妨一起来探究一下该公司的实力吧。 epcos电容集团是西门子松下电子的继承者,制造超过四万多种[详细]


2017-09TDK集团现推出两个全新系列的爱普科斯 (EPCOS) SMT电流互感器

TDK集团现推出两个全新系列的爱普科斯 (EPCOS) SMT电流互感器TDK集团现推出两个全新系列的爱普科斯 (EPCOS) SMT电流互感器,适用于电力电子领域。其中B78417A*系列的所有型号均基于EP7铁氧体磁芯,并具有10.6 mm x 12.2 mm x 11.0 mm的紧凑型尺寸,可用于测量高达20A的脉冲电流。一次绕组的最大直流电阻为1.9 m[详细]


2017-09Vishay 推出的新款VRPower?集成式DrMOS功率级解决方案

2016 年 2 月17 日 — 日前,VishayIntertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,为满足下一代笔记本电脑、超便携笔记本和桌面PC对大电流、高效率和高功率密度的性能需求,推出5款新的VRPower?集成式DrMOS功率级解决方案---SiC530、SiC531、SiC532、SiC631和SiC632,[详细]


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