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英飞凌（Infineon）最近推出了面向高能效电源应用的第七代分立式650V TRENCHSTOP IGBTs H7新品。这些新产品采用了英飞凌独有的TRENCHSTOP技术，具有更高的能效和更低的开关损耗。第七代TRENCHSTOP IGBTs H7采用了改进的结构设计和优化的材料，能够在高温下提供更高的可靠性和性能。这些新产品还具有较低的漏电流[详细]
随着气候变化的严重影响和能源消耗的不断增加，储能技术逐渐成为解决能源问题的重要途径之一。在第11届EEVIA年度中国硬科技媒体论坛暨产业链研创趋势展望研讨会上，英飞凌电源与传感系统事业部应用管理高级经理徐斌发表了题为“英飞凌一站式系统解决方案，助力户用储能爆发式发展”的演讲，为行业带来了全球市场[详细]
SIC模块（Silicon Carbide Module）和IGBT模块（Insulated Gate Bipolar Transistor Module）是两种不同的功率半导体模块，它们在材料、特性和应用方面有一些区别。1. 材料：SIC模块采用碳化硅（SiC）作为半导体材料，而IGBT模块则采用硅（Si）作为半导体材料。碳化硅具有较高的热导率和较高的电场饱和漂移速度[详细]
2023年，晶圆代工行业发生了很多值得关注的大事件，在不同程度地影响着库存去化。国产替代加速，中国大陆晶圆代工市场份额不断增长在国内市场，领先的晶圆代工企业晶合集成、华虹公司相继在A股科创板实现上市。在国际市场，英特尔近日宣布终止收购以色列半导体代工厂高塔半导体，让整个晶圆代工行业格局迎来进一[详细]
瑶芯微电子产品着重于链接真实与数字世界间的传感、转化和驱动的过程，我们致力于提供更多、更广泛的产品选择。主要有三大产品线【功率器件，传感器，混合信号和模拟芯片】，包含多个关键产品领域。公司总部坐落于上海浦东张江，在西安和成都有研发分部，深圳有分公司，公司核心团队来自国内外超过 15 年的半导[详细]
平面MOS（Planar MOS）和超结MOS（Super Junction MOS）是两种不同的MOS结构1. 结构区别：平面MOS是一种传统的MOS结构，其特点是沟道和控制栅极在同一平面上，通过控制栅极电压来调节沟道电阻，实现电流的控制。超结MOS则是一种改进的MOS结构，其特点是在沟道区域加入了周期性的掺杂结构，形成P-N结，从而减小了[详细]
站长之家(ChinaZ.com) 10月7日消息:三星在日前的 System LSI Tech Day 2023 活动中发布了多项新的半导体技术和芯片，其中最重要的是 Exynos 2400。这是三星的下一代旗舰智能手机处理器，继承了 2022 年推出的 Exynos 2200，首次亮相于 [详细]
据知情人士透露，美国预计将无限期延长韩国芯片制造商三星电子和SK海力士在向中国出口使用美国芯片制造设备制造的芯片时需要获得许可的豁免。该豁免意味着，这将使得三星电子和SK海力士这两大韩国芯片公司能够将美国生产的芯片制造设备运往这两大公司在中国的工厂。据知情人士透露，美国商务部已经与韩国芯片制[详细]
思特威（上海）电子科技股份有限公司（股票简称：思特威，股票代码：688213），正式推出Cellphone Sensor（CS）Series手机应用1300万像素图像传感器产品——SC1320CS。此款背照式（BSI）图像传感器新品拥有23.61mm2超小芯片尺寸，搭载思特威独特的SmartClarity-3技术，具备高感度、高动态范围、优异噪声控制等性[详细]
Flash存储器是一种非易失性存储器，与传统的硬盘驱动器相比具有许多独特的特点。Flash存储器的三大特点的揭秘：高速读写：Flash存储器具有非常快的读写速度。相比于传统的机械硬盘驱动器，Flash存储器没有机械部件，数据的读取和写入是通过电子信号完成的，因此速度更快。Flash存储器的读取速度通常可以达到几百[详细]
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