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TT electronics公司推出全面的绕线电阻系列，具有范围从2W至7W的业界最高额定浪涌能量。WHS系列防燃电阻适用于广泛的脉冲应用，特别瞄准需要线路输入电阻来实现启动电流限制和保护的电源设计人员的需求。 优化的浪涌性能源自这些电阻产品的特殊绕线设计，其中的[详细]
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新系列轴向水泥绕线电阻---Z300-C系列，是业内首个具有12kV定制高压浪涌承受能力的器件。 Vishay Draloric器件是为高压浪涌期间限制涌入电流而设计的，适用于电表、工业和家用电器[详细]
东芝公司(Toshiba Corporation)推出了一款低导通电阻MOSFET——TPN2R503NC。该产品采用最新的第八代工艺打造，可用于锂离子电池保护电路和手机电源管理开关。其他两款第八代产品TPN4R203NC和TPN6R303NC也被添加到该产品系列中，成为现有型号的换代产品。所有三款产品均[详细]
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，强化其采用标准0402～1206外形尺寸的MC AT专业和精密系列车用薄膜片式电阻。Vishay Beyschlag器件是为了在汽车和工业应用等恶劣环境下提供稳定的性能而设计，具有低至±10ppm/K的TCR和1Ω～1MΩ的阻值。 增强型MC AT[详细]
2012 年 12 月20 日，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出2010外形尺寸的新款表面贴装Power Metal Strip?电阻---WSLP2010。该电阻具有2W的高功率等级和0.001Ω的极低阻值，以及0.5%的稳定电阻容差。 WSLP2010电阻采用先进的结构，这种结构使用了具有低TCR (&[详细]
日前，德州仪器 (TI) 宣布面向智能手机与平板电脑等空间有限手持应用推出业界最小型低导通电阻 MOSFET。该最新系列 FemtoFET? MOSFET 晶体管采用超小型封装，支持不足 100 毫欧的导通电阻. 三个 N 通道及三个 P 通道 FemtoFET MOSFET 均采用平面栅格阵列 (LGA)[详细]
日前，Vishay宣布，推出采用PowerPAK? ChipFET?和PowerPAK 1212-8S封装的新器件，扩充其TrenchFET? P沟道Gen III功率MOSFET。今天推出的Vishay Siliconix MOSFET可提高便携式计算和工业控制设备中的电源效率，是-4.5V和-2.5V栅极驱动下具有业内最低导通电阻的-12V和-2[详细]
??日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出高稳定性薄膜片式电阻的实验室样品套件---TNPW0402 e3 (LTW0402 e3 96/4)和TNPW0603 e3 (LTW0603 e3 96/4)，它们可帮助工程师开发原型，加快电子系统的上市时间。 ??今天发布的样品套件分别提供了采用TNPW0402[详细]
日前，Vishay宣布，推出新款5W轴向使用硅水泥的可熔断绕线安全电阻---AC05..CS。这颗电阻是业内首个能在过载条件下安全且无声地熔断的电阻，能够承受6kV的浪涌电压(1.2μs/50μs)。Vishay Draloric AC05..CS采用特殊的不易燃硅水泥涂层，在100W过载下的熔断时间小于4[详细]
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其0805外形尺寸的PATT精密车用薄膜片式电阻现已对外供货。PATT的工作温度范围比传统的片式电阻多85℃，可在+155℃和100%功率耗散的条件下工作，在+250℃下线性降额至0mW。器件通过AEC-Q200认证，绝对TCR低至±25ppm/℃，经过激光微调的公差可以低至±0.1%。今天发布[详细]
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