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2015-04TLC存储加速 大存储应用成为FlaSh需求成长的亮点

2015年NAND Flash容量需求升级,主要表现在消费群体庞大的智能型手机市场,受苹果iPhone 6和三星Galaxy S6推出128GB容量选择影响,存储需求向128GB大跃进,刺激智能型手机中高阶机型存储向32GB、64GB提升,以及向128GB迈进,低端机型以16GB为标配。现在手机品牌厂中高阶智能型手机都采用的是eMMC存储方案,据中[详细]


2015-04三星推mSATA和M.2 850 EVO系列SSD

4月1日,三星电子(Samsung Electronics)宣布推出mSATA和M.2接口类型的850 EVO系列SSD,并采用3D V-NAND,适用于超薄型个人计算机(PC)产品,即日起在南韩、美国、大陆等共53个国家销售。mSATA接口类型的SSD容量各为120GB、250GB、500GB和1TB,读取速度可达到540MB/s,写入速度可以达到520MB/s。M.2接口类型的SSD[详细]


2015-04创见3月营收月增28.5% SSD出货创新高

在工作天数恢复正常后,创见信息2015年3月营收22.6亿元(新台币,下同),月增28.5%;SSD单月出货创新高,带动工控及策略性产品营收11.6亿元,占整体营收比重拉高至51.4%。创见表示,3月整体营收逐步加温。标准型消费产品在通路需求开始回笼后,出货逐渐回归正常。工控及策略性产品方面,在客户端项目顺利量产带[详细]


2015-04SK海力士拟投资15兆韩元建新厂 DRAM股挫

韩国内存厂海力士(Hynix)计划投入15兆韩元资金在韩国建新厂,再次引发市场疑虑,冲击台厂动态随机存取内存(DRAM)厂南亚科及华亚科股价连袂下挫。外电报导,海力士将在2021年前陆续投入15兆韩元到正在兴建的仁川新半导体厂;其中,3.3兆韩元将用于厂房兴建工程,11.7兆韩元投入机器与生产设备。尽管海力士投资新[详细]


2015-04NorFlaSh、NandFlaSh、eMMC比较区别

快闪存储器(英语:Flash Memory),是一种电子式可清除程序化只读存储器的形式,允许在操作中被多次擦或写的存储器。这种科技主要用于一般性数据存储,以及在电脑与其他数字产品间交换传输数据,如储存卡与U盘。闪存是非易失性的存储器,所以单就保存数据而言, 它是不需要消耗电力的。与硬盘相比,闪存也有更佳[详细]


2015-04小容量nand flaSh|替换三星的小容量nand flaSh

小容量nand flash一般是指SLC,主要应用在手机上。目前小容量nand flash大部分已经停产,目前有个韩国的生产厂家在生产小容量nand flash。[详细]


2015-04芯片MLC|颖特新winbond专业NAND FLASH MLC芯片专家

芯片MLC是什么芯片,这是SSD上最常见的芯片,就是存储芯片,颖特新专业winbond NAND FLASH芯片代理商,专业销售MLC芯片。你也可以了解MLC芯片的姐妹,SLC芯片。[详细]


2015-04英特尔Slc固态硬盘

强强联合是取得1+1>2的最快捷方式,Intel与美光联合推出3D NAND FLASH将给闪存行业带来怎样的惊喜呢?这是题外话了,我们介绍一下英特尔的SLC固态硬盘。SSD固态硬盘的品牌也不少,intel也算是老牌子了。我在京东商城看了一下intel的SSD固态硬盘,并没发现闪存类型为SLC的英特尔固态硬盘。如果有朋友知道英特[详细]


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