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2018-10N9H20K11N

N9H20K11N系列采用ARM926EJ-S核心，执行速度高达200 MHz，堆叠2 MB SDRAM记忆体於同一封裝，提供128-pin，大幅减少PCB尺寸和降低电磁干扰 (EMI)。丰富的周边功能包含：2组UART、SDIO/eMMC 介面、NAND Flash 介面24bit LCD控制器和高速USB Host/Device 等，可以满足客户对弹性设计的需求。N9H20K11N符合 -20℃至[详细]

2018-10N9H20K31N

N9H20K31N系列采用ARM926EJ-S核心，执行速度高达200 MHz，堆叠8 MB SDRAM记忆体於同一封裝，提供128-pin，大幅减少PCB尺寸和降低电磁干扰 (EMI)。丰富的周边功能包含：2组UART、SDIO/eMMC 介面、NAND Flash 介面24bit LCD控制器和高速USB Host/Device 等，可以满足客户对弹性设计的需求。N9H20K31N符合 -20℃至[详细]

2018-10N9H20K51N

N9H20K51N系列采用ARM926EJ-S核心，执行速度高达200 MHz，堆叠32 MB SDRAM记忆体於同一封裝，提供128-pin，大幅减少PCB尺寸和降低电磁干扰 (EMI)。丰富的周边功能包含：2组UART、SDIO/eMMC 介面、NAND Flash 介面24bit LCD控制器和高速USB Host/Device 等，可以满足客户对弹性设计的需求。N9H20K51N符合 -20℃至[详细]

2018-10N9H26K51N

N9H26K51N系列采用ARM926EJ-S核心，执行速度高达264 MHz，堆叠或32 MB SDRAM记忆体于同一封装，提供128-pin，大幅减少PCB尺寸和降低电磁干扰 (EMI)。丰富的周边功能包含：2组UART、SDIO/eMMC 接口、NAND Flash 接口24bit LCD控制器和高速USB Host/Device 等，可以满足客户对弹性设计的需求。N9H26K51N符合 -20℃[详细]

2018-10N9H30F51I

N9H30F51I系列采用ARM926EJ-S核心，执行速度高达300 MHz，堆叠32 MB DDR-II记忆体於同一封裝，提供128-pin和216-pin LQFP封装，大幅减少PCB尺寸和降低电磁干扰 (EMI)。丰富的周边功能包含：11组UART、SDIO/eMMC 介面、NAND Flash 介面、24bit LCD控制器和高速USB 2.0 Host/Device 等，可以满足客户对弹性设计的[详细]

2018-10N9H30F51IEC

N9H30F51IEC系列采用ARM926EJ-S核心，执行速度高达300 MHz，堆叠32 MB DDR-II记忆体於同一封裝，提供 216-pin LQFP封装，大幅减少PCB尺寸和降低电磁干扰 (EMI)。丰富的周边功能包含：11组UART、SDIO/eMMC 介面、NAND Flash 介面、24bit LCD控制器、2组CAN, 2組10/100Mbps 以太网口和高速USB 2.0 Host/Device等，[详细]

2018-10N9H30K41I

N9H30K41I系列采用ARM926EJ-S核心，执行速度高达300 MHz，堆叠16 MB DDR-II记忆体於同一封裝，提供128-pin LQFP封装，大幅减少PCB尺寸和降低电磁干扰 (EMI)。丰富的周边功能包含9组UART、SDIO/eMMC 介面、NAND Flash 介面、16bit LCD控制器和高速USB 2.0 Host/Device 等，可以满足客户对弹性设计的需求。N9H30K[详细]

2018-10N9H30K41IEC

N9H30K41IEC系列采用ARM926EJ-S核心，执行速度高达300 MHz，堆叠16 MB DDR-II记忆体於同一封裝，提供128-pin LQFP封装，大幅减少PCB尺寸和降低电磁干扰 (EMI)。丰富的周边功能包含9组UART、SDIO/eMMC 介面、NAND Flash 介面、16bit LCD控制器、1组CAN, 10/100Mbps 以太网口和高速USB 2.0 Host/Device 等，可以满[详细]

2018-10新唐HMI emWin 微处理器

新唐科技 HMI emWin 微处理器以ARM926EJ-S为核心，产品系列包含N9H20、N9H26与N9H30，执行速度分别为200 MHz、264 MHz与300 MHz，可堆栈2 MB至32 MB 不同容量的DDRII SDRAM内存，此种多芯片封装方式 (Multi Chip Package, MCP) 可大幅减少PCB尺寸和降低电磁干扰 (EMI)，缩短厂商设计时间与降低设计困难度。N9H系[详细]

2018-05Winbond W97BH2LBVX

This is a 2Gb Low Power DDR2 SDRAM organized as 8M words x 8 banks x 32bits产品特点Power supply VDD1 = 1.7V~1.95V、VDD2/VDDCA/VDDQ = 1.14V~1.30V Data width: x32 Burst Type: Sequential or Interleave、Clock rate : 400MHzStandard Self Refresh Mode PASR、ATCSR、Power Down Mode[详细]

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