7 款 D2PAK 表贴器件提供出色的灵活性移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中 RF 解决方案的领先供应商 Qorvo?, Inc.（纳斯达克代码：QRVO）今日宣布推出 7 款采用表贴 D2PAK-7L 封装的 750V 碳化硅 (SiC) FET。凭借该封装方案，Qorvo 的 SiC FET 针对快速增长的车载充电器、软开关 DC/DC 转换器、
SMC 2000系列可为下一代CPU和SoC提供DDR存储带宽和容量扩展、可靠性和介质灵活性，提高人工智能和机器学习性能受处理器增加存储通道的限制，来自人工智能（AI）和机器学习（ML）工作负载、云计算和部署于传统并行连接存储器上的数据分析的连续计算需求已达到效率的极限。Microchip Technology Inc.（美
BittWare加入Intel的Agilex M系列早期使用计划，以推动开发用于内存密集型应用的FPGA解决方案BittWare新添两种全新的Intel Agilex I系列 SmartNIC加速器，打造最广泛的Intel基于FPGA加速器的企业级产品组合与Intel进行数十年的合作，使客户可随时获取高性能计算、计算存储、网络和传感器处理领域的的成
随着中国集成电路产业的持续发展，芯片设计企业对先进制程芯片的需求愈发强烈，对IP数量的需求也在成正比增长，因此，掌握上游核心IP的设计企业的价值也将愈加凸显。今年8月，正值奎芯科技创办一周年之际，我们首款IP产品PCIe4.0 PHY已成功验证并正式发布。此次新产品的亮相标志着国产自主IP研发在台积
最新款小尺寸SOM可简化设计和制造，加快上市时间随着嵌入式市场的持续快速增长和发展，开发人员正努力优化产品开发，否则可能需要从单片机（MCU）转型到微处理器（MPU）以应对更高的处理需求。为了帮助开发人员完成这一转型并降低设计复杂性，Microchip Technology Inc.（美国微芯科技公司）今日宣布推
公司全球首发238层?512Gb TLC 4D NAND闪存，将于明年上半年投入量产成功研发层数最高，面积最小的NAND闪存，并显著改善生产效率、数据传输速度、功耗等特性"公司将持续创新并不断突破技术瓶颈"SK海力士（或‘公司'，www.skhynix.com）于8月3日宣布成功研发全球首款业界最高层数的238层NAND闪存。图1.
存储器解决方案的全球领导者铠侠株式会社(Kioxia Corporation)宣布推出第二代XL-FLASH。这是一种基于其BiCS FLASH? 3D闪存技术的存储级存储器(SCM)解决方案，在提供高性能和低延迟的同时，还能大幅降低比特成本。产品样品预计于今年11月开始发货，并有望在2023年开始量产。第二代XL-FLASH在现有型号的单
SLB300单输出电源具有医疗和工业应用的双重认证，可简化与关键终端设备的集成美国Advanced Energy公司（纳斯达克：AEIS）是高度工程化的精密电源转换、测量和控制解决方案的全球领导者。公司现推出新型300W电源，通过该电源，扩大了SL Power旗下 SLB系列的产品范围。SLB300电源的设计旨在便于与关键医
今日，长江存储科技有限责任公司（长江存储）在2022年闪存峰会（FMS）上正式发布了基于晶栈?（Xtacking）3.0技术的第四代TLC三维闪存X3-9070。相比长江存储上一代产品，X3-9070拥有更高的存储密度，更快的I/O速度，并采用6-plane设计，性能提升的同时功耗更低，进一步释放系统级产品潜能。长江存储第四
支持高速DDR3L/DDR4内存接口和8线SPI内存接口的版本可实现更简化的设计全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（TSE：6723）今日宣布，推出RZ/A3UL微处理器（MPU）产品群——为需要高吞吐量和实时能力的应用实现高清人机界面（HMI）及快速启动功能。全新RZ/A3UL让用户能够充分发挥实时操作系统（RTOS）的潜
