华邦SPI NAND FLASH闪存代理商

代码存储串行快闪存储器

华邦串行快闪存储器，也不是世界的领导者，提供了一个新的串行快闪记忆体与SPI接口的家庭。这些产品是在高密度的串行闪存产品的延伸，也不。简化生活的设计师寻找到存储代码对系统的密度超出也不闪光的密度为512MB，华邦提供串行NAND产品与解决方案在高密度像1GB和2GB的成本有效的NAND相同的SPI接口。使用华邦串行NAND效益同时也不闪光是更有效的成本在较低的密度，NAND Flash是一个更具成本效益的存储密度在1GB以上的范围。

NAND闪存需要一个控制器来管理NAND如检测内存和纠正这些错误的位置误差的功能，管理内存，有他们的错误的块，并且能够迁移或地图的位置误差的新位置，无误。产品系列NAND家族的设计采取的一些控制其肩上的担子。这些产品都有内置的ECC（纠错码检测和纠正错误）并提供连续记忆力好（坏块管理），因此负载这些功能的控制器。

附加的优点，从华邦串行NAND闪存，它提供了连续读取功能。最典型的系统，代码存储在非易失性存储器，如Flash，转移到动态随机存取存储器与处理器的代码执行得更快。这就是所谓的代码跟踪。系统设计人员一直在寻找的产品，可以将代码很快从FLASH DRAM。华邦串行NAND提供了一个连续读模式，将NAND闪存的内容很快DRAM。

的串行NAND家庭主要特征在华邦的12“Fab 46nm SLC NAND技术首先提供的是1GB 2GB，与路线图3V电源需要52兆/秒连续代码遮蔽程序读取数据吞吐量的理想有轻微的增加完全向后兼容spiflash指令集低引脚数封装（spiflash wson-8，tfbga-24）与MCP选项芯片位ECC校正和坏块管理灵活的设备配置根据客户的需要（缓冲/连续读取，阵列/设备锁定/ OTP /写保护）工业级

SPI NAND FLASH闪存

(2019-07-04)W25N04KV 2.7V - 3.6V 104MHz -40℃ ~ 85℃ 4Gb
(2019-07-04)W25M02GV 2.7V - 3.6V 104MHz -40℃ ~ 85℃ / -40℃ ~ 105℃ 2Gb
(2019-07-04)W25M02GW 1.70V - 1.95V 104MHz -40℃ ~ 85℃ 2Gb
(2019-07-04)W25N02KV 2.7V - 3.6V 104MHz -40℃ ~ 85℃ 2Gb
(2019-07-04)W25N01GV 2.7V - 3.6V 104MHz -40℃ ~ 85℃ / -40℃ ~ 105℃ 1Gb
(2019-07-04)W25N01GW 1.70V - 1.95V 104MHz -40℃ ~ 85℃ 1Gb
(2019-07-04)W25N512GV 2.7V - 3.6V 104MHz -40℃ ~ 85℃ / -40℃ ~ 105℃ 512Mb
(2019-07-04)W25N512GW 1.70V - 1.95V 104MHz -40℃ ~ 85℃ 512Mb

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