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2012 年 12 月20 日，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出2010外形尺寸的新款表面贴装Power Metal Strip?电阻---WSLP2010。该电阻具有2W的高功率等级和0.001Ω的极低阻值，以及0.5%的稳定电阻容差。 WSLP2010电阻采用先进的结构，这种结构使用了具有低TCR (&[详细]
日前，德州仪器 (TI) 宣布面向智能手机与平板电脑等空间有限手持应用推出业界最小型低导通电阻 MOSFET。该最新系列 FemtoFET? MOSFET 晶体管采用超小型封装，支持不足 100 毫欧的导通电阻. 三个 N 通道及三个 P 通道 FemtoFET MOSFET 均采用平面栅格阵列 (LGA)[详细]
电阻与二极体(Diode)将朝更微型化推进。随着行动与穿戴式装置配备的功能更趋多元，其搭载的电阻、齐纳(Zener)二极体及萧特基(Schottky)二极体等离散式(Discrete)元件体积亦被要求朝更小尺寸演进，也因此，罗姆(ROHM)已透过全新制程技术，打造超微型电阻与二极体，满足品[详细]
日前，Vishay宣布，推出采用PowerPAK? ChipFET?和PowerPAK 1212-8S封装的新器件，扩充其TrenchFET? P沟道Gen III功率MOSFET。今天推出的Vishay Siliconix MOSFET可提高便携式计算和工业控制设备中的电源效率，是-4.5V和-2.5V栅极驱动下具有业内最低导通电阻的-12V和-2[详细]
??日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出高稳定性薄膜片式电阻的实验室样品套件---TNPW0402 e3 (LTW0402 e3 96/4)和TNPW0603 e3 (LTW0603 e3 96/4)，它们可帮助工程师开发原型，加快电子系统的上市时间。 ??今天发布的样品套件分别提供了采用TNPW0402[详细]
日前，Vishay宣布，推出新款5W轴向使用硅水泥的可熔断绕线安全电阻---AC05..CS。这颗电阻是业内首个能在过载条件下安全且无声地熔断的电阻，能够承受6kV的浪涌电压(1.2μs/50μs)。Vishay Draloric AC05..CS采用特殊的不易燃硅水泥涂层，在100W过载下的熔断时间小于4[详细]
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其0805外形尺寸的PATT精密车用薄膜片式电阻现已对外供货。PATT的工作温度范围比传统的片式电阻多85℃，可在+155℃和100%功率耗散的条件下工作，在+250℃下线性降额至0mW。器件通过AEC-Q200认证，绝对TCR低至±25ppm/℃，经过激光微调的公差可以低至±0.1%。今天发布[详细]
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，发布用于高功率表面贴装射频应用的新系列厚膜片式电阻---RCP系列。Vishay Dale RCP系列器件具有1206小外形尺寸，在+70℃和标准印制板贴装情况下的功率等级为1W，采用主动式温度控制后，功率等级可达11W。 RCP系列电阻适[详细]
??日本知名半导体制造商ROHM开发出适合于车载和工业设备等需要大功率的整机电流检测用途的、实现大功率与超低阻值的分流电阻器“PSR系列”。PSR400保证的额定功率为4W，PSR500保证的额定功率为5W，使功率电阻器的产品阵容又新增了PSR系列产品。 ??电流检测用途的电[详细]
日前，Vishay宣布，推出具有更强稳定性的新系列SMD NTC热敏电阻---NTCS....E3...SMT，可用于温度检测和补偿电路。NTCS....E3...SMT热敏电阻可在-40℃～+125℃温度范围内精确地测量温度，在整个温度范围内工作10000小时后，电阻值相对于+25℃下的初始电阻值(R25)的最大[详细]
全球功率半导体和管理方案领导厂商 国际整流器公司扩充StrongIRFET系列，为高性能运算和通信等应用提供20V至30V的器件。IR L6283M 20V DirectFET是该系列的重点器件，具有极低的导通电阻 (RDS(on))。 ??IRL6283M采用超薄的30 mm2中罐式DirectFET封装，导通电阻典[详细]
日前，Vishay Intertechnology宣布，将2512外形尺寸的PTN系列精密表面贴装薄膜片式电阻的功率等级提到2W。Vishay Dale薄膜器件采用自钝化的耐潮钽氮化物电阻膜技术，具有高功率等级和低至±25ppm/℃的绝对TCR，在-55℃～+125℃宽温条件下，经过激光微调的公差低至±0.1[详细]
?? 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出采用0406和1225外形尺寸的新器件--- RCL0406 e3和RCL1225 e3，扩充其RCL e3系列长边端接厚膜片式电阻。对于汽车电子电路和通用产品，RCL0406 e3和RCL1225 e3提供了增强的热循环性能，功率等级分别提高到0.25W和2.0W。[详细]
??Silego公司推出1.0 x1.6 mm STDFN封装而成的电阻为22.5mΩ ，电流为2.5A的负载开关产品SLG59M1563V。??2014年Silego公司于美国加州圣克拉拉推出GFET3负载开关系列一款新成员，命名为SLG59M1563V，导通电阻为22.5mΩ、支持2.5A持续电流、逆转电流阻断且以1.0 x1.6[详细]
??日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新螺栓安装版的线边绕制功率电阻---EDGS。该器件可方便地直接替换竞争方案，具有可靠性高、连续工作电流达85A的特点，可承受5秒钟、10倍于额定功率的短时过载。 ??Vishay Milwaukee EDGS(Vishay Dale Resistor[详细]
?? 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用0406和1225外形尺寸的新器件--- RCL0406 e3和RCL1225 e3，扩充其RCL e3系列长边端接厚膜片式电阻。对于汽车电子电路和通用产品，RCL0406 e3和RCL1225 e3提供了增强的热循环性能，功率等级分别提高到0.25W和2.0W。[详细]
??日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新系列涂硅胶的轴向引线线绕电阻---CW - High Surge。Vishay Dale CW - High Surge系列电阻具有比标准线绕电阻更好的短时浪涌保护能力，可在高可靠性设计里抵御12kV的高压浪涌，工作温度达350℃。 ??CW - High Sur[详细]
? 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 近日推出60V器件以扩充StrongIRFET MOSFET系列，适合多种工业应用，包括电动工具、轻型电动车逆变器、直流电机驱动器、锂离子电池组保护及开关模式电源二次侧同步整流等。 ??全新60V StrongIRFET功率MOS[详细]
??日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，提高其PTN系列精密表面贴装薄膜片式电阻的性能，提供±10ppm/℃的更低绝对TCR和± 0.05 %的更严格公差。Vishay Dale Thin Film器件使用自钝化、耐潮的钽氮化物电阻膜技术，在-55℃～+155℃温度范围内的功率等级达2W。 [详细]
??ROHM开发出最适用于智能手机和可穿戴式设备等小型设备电流检测用的低阻值贴片电阻器“UCR006”。 ??UCR006是0201 inch(0.6mm×0.3mm)的厚膜型产品，实现了业界最高级别的低阻值100mΩ，有助于设备的节能化。另外，作为低阻值范围的0201 inch贴片电阻器，业界[详细]
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