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日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用超小尺寸、热增强PowerPAK? SC-70封装的新款-30V、12V VGS P沟道TrenchFET?功率MOSFET---SiA453EDJ。该器件是2mm x 2mm占位面积的-30V器件，在-4.5V和-2.5V栅极驱动下具有业内最低的导通电阻，在便携电子产品里能够[详细]
??TT Electronics日前发布了全新的精密非水溶性氮化物 (Water Insoluble Nitride, WIN)电阻器系列，新的WIN系列薄膜贴片电阻使用了先进的金属膜技术，为精密与信号处理应用提供了极高水平的可靠性和稳定性。 ??WIN系列电阻器特点为采用非水溶性氮化物膜抵御湿[详细]
??日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款通用扁绕功率电阻---EDGU。通用的贴装EDGU电阻可方便地直接替换竞争产品，兼具高可靠性设计和在85A电流下连续工作的能力，可承受5秒钟的相当于10倍额定功率的短时过载。 ??Vishay Milwaukee EDGU采用卷在[详细]
??日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用金端接，可用于导电胶合的新系列精密薄膜片式电阻阵列---ACAS 0606 ATAU，该电阻阵列把两个电阻集成在一个衬底上，可在155℃高温下工作，相对公差低至±0.05%，相对TCR低至±5ppm/K。 ??除了优异的高温性能[详细]
??日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出新系列通孔单输入线薄膜电阻---HVPS。Vishay Dale薄膜HVPS器件适合精密、高压仪表和放大器中的高精度应用，具有高达10MΩ的阻值、低至±0.01%的严格公差和1800V的高工作电压。 ??发布的[详细]
??日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出新系列高功率表面贴装的精密薄膜片式电阻---PCAN系列器件。该系列器件采用氮化铝基板，功率等级为2W～6W，分别采用1206和2512小外形尺寸。 ??今天发布的Vishay Dale薄膜电阻的氮化铝基板采[详细]
??Vishay增强其通过AEC-Q200认证的PAT系列精密车用薄膜片式电阻，将阻值范围扩大到2.5Ω～3 M?。Vishay Dale Thin Film器件的标准TCR为±25ppm/℃，经过激光微调的公差低至±0.1%，可满足汽车行业对温度和湿度的要求，同时还具有一致的可重复性和稳定的性能。 [详细]
??日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用金端接，用导电胶合的新系列精密薄膜片式电阻。MC ATAU系列的外形尺寸为0402和0603，可在+ 155 ℃高温下工作，具有±0.1%的严格公差和±15ppm/K的TCR。 ??除了优异的高温性能，MC ATAU系列对恶劣的环境条件有极[详细]
??日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，发布业内首款采用2726和4026外形尺寸，工作温度高达+275℃的表面贴装、4接头的Power Metal Strip?检流电阻--- WSLT2726和WSLT4026。Vishay Dale WSLT2726和WSLT4026具有良好的高温性能和3W额定功率，以及低至0.002Ω的[详细]
日前，德州仪器 (TI) 推出其NexFET? 产品线11款新型N沟道功率MOSFET，其中包括具有业界最低导通电阻并采用QFN 封装的25-V CSD16570Q5B 和 30-V CSD17570Q5B，可应用于热插拔和ORing应用。此外，TI面向低电压电池供电型应用的新型12-V FemtoFET? CSD13383F4在采用0.6 mm x 1mm纤巧型封装的情况下实现了比同类竞[详细]
英国韦布里奇 – 2014年9月24日- TT Electronics推出一项将轴向插件电阻转换为表面贴装形式的新服务。高效的ZI成型选项使得在贴片或MELF (表面贴装无引脚) 形式中无法实现的插件电阻特性可以为表面贴装电路设计者所用。 ??新的ZI成型服务能够使客户提高其生产流[详细]
??日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，发布用于工业电源系统的新系列中性点接地电阻---NGR系列器件。Milwaukee Resistors(Vishay Dale Resistors的产品线)NGR系列器件由Vishay公司的GRE1高功率、高电流栅极电阻组成，安装在耐用、耐候，具有极高电压隔离的IP23[详细]
??Vishay宣布，发布两个新的无引线NTC热敏电阻裸片---NTCC300E4和NTCC200E4，在上表面和下表面实现接触，为设计者提供与IGBT半导体相同的安装方式。Vishay BCcomponents NTCC300E4使用金金属层，支持金线键合和导电胶胶合;NTCC200E4使用银金属层，支持铝线键合，可采[详细]
??日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出通过AEC-Q200认证的新系列高精度双列直插式薄膜电阻网络---AORN。Vishay Dale Thin Film AORN系列具有±5ppm/℃的TCR跟踪、±0.05%的严格分压比公差，在+155℃下经过1000小时后的长期分压比稳定率为0.015%。为提高ESD[详细]
噪声发射状态： 当噪声从基带电路部分流入RF电路部分时，将出现灵敏度抑制，导致BER (位差错率) 恶化。移动电话基带电路部分，一般为基带IC，控制各种信号，如语音信号和LCD信号。基带IC是一种重大的噪声源，因为工作速度较高，并连接许多数据线。如果此类噪声通过数[详细]
压电元件利用了压电陶瓷的机械谐振特性。谐振频率随振动模式的变化而变化。 谐振频率和振动模式的关系可以概述为以下表格: 不同的振动模式有以下不同的特性: 1. 弯曲振动模式弯曲方向上的振动。 2. 长度方向振动模式使薄片在长度上伸缩的振动。[详细]
1. 前言 汽车电子控制即被称之为ADAS（高级驾驶辅助系统）的先进驾驶支持系统近年来被逐渐放大了。ADAS使用了摄像头和毫米波、红外激光等，通过车辆周边的感测来识别步行者或者其他车辆和路沿等并发出接近警报，通过制动和转向操作避免撞击来提高驾驶的安全性。此类用[详细]
1. 静噪原理从噪声源发射出的噪声会通过许多复杂的路径传导，有时通过导体，有时通过辐射。当其到达装置或设备时，该设备便暴露在噪声当中。 噪声传导路径 为了妥当地抑制噪声，我们必须知道噪声源及其传导方法。如果初次检侧不准确，那么我们就不能断[详细]
振荡裕量是指振荡停止的裕量，这是振荡电路中最重要的术语。该裕量是以石英晶体电阻为基础的比值，表明振荡电路放大能力的大小。理论上来说，在裕量大于或等于1时，振荡电路可以运行。但是，在振荡裕量接近1时，由于振荡启动时间过长等原因，模块运行可能会失败。可以通[详细]
按干扰的耦合模式分类，电磁干扰分为以下五种类型。1.静电干扰2.磁场耦合干扰磁场耦合干扰是指大电流周围磁场对机电一体化设备回路耦合形成的干扰。3.漏电耦合干扰漏电耦合干扰是因绝缘电阻降低而由漏电流引起的干扰，多发生于工作条件比较恶劣的环境或器件性能退化、器件本身老化的情况下。4.共阻抗干扰共阻抗[详细]
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