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新唐ML51DB9AE低功耗8051单片机

低功耗单片机 新唐单片机 8051单片机 作者: 来源: 发布时间:2019-01-24 11:25:38   浏览:13

ML51DB9AE 为内建 Flash 的增强型 1T 8051 内核微控制器,正常运行模式典型功耗可达 80 uA/MHz 以及休眠模式下功耗可低于 1 uA。此系列最高速可达 24 MHz,并内建 38.4 kHz 低速内部振荡器,支持宽电压工作范围 1.8 V 至 5.5 V 工作温度: - 40 ℃ 至 105 ℃。

ML51DB9AE 包含 16 K 字节的 Flash 以及一个额外 1 K 字节片上辅助 RAM(XRAM), 备有丰富的外设,如 11 个通用 I/O、2 组串口、1 组 ISO-7816 界面、2 组 I2C 与 1 组 SPI,并提供 TSSOP14 封装。

目标应用:

穿戴式装置、智能摇控器、互联网端点设备、智能家居、烟感侦测装置、电池装置等。

关键特性:

CPU
 -全静态 8 位 1T 8051 内核 CMOS 微控制器
 -指令集全兼容 MCS-51
 -4 级优先级中断配置
 -双数据指针 (DPTRs)
   
工作条件
 -宽电压工作范围 1.8 V 至 5.5 V
 -宽工作频率最高至 24 MHz
 -工业级工作温度 - 40 至 + 105 ℃
  
低功耗特性
 -正常运行模式典型功耗 80 uA/ MHz
 -低功耗运行模式典型功耗 15 uA
 -低功耗空闲模式功耗不超过 13 uA
 -掉电模式典型功耗小于 1 uA
 -掉电模式下唤醒时间为 10 us (HIRC运行)
   
内存
 -16 K 字节 APROM, 用于使用者代码
 -可配置 4K/3K/2K/1K 字节 LDROM, 用于启动系统程序设计(ISP)代码
 -APROM中应用编程(IAP)内存 128 字节每页累加
 -Flash 内存 100,000 次擦写寿命
 -代码安全加密
 -256 字节片上 RAM
 -额外 1 K字节片上辅助 RAM (XRAM) 通过 MOVX 指令访问
  
时钟源
 -24 MHz 高速内部振荡器 (HIRC) ± 1 %精度等级 (25 °C, 3.3 V) 全工作条件范围下精度 ±5 % 精度等级
 -38.4 kHz低速内部振荡器 (LIRC) ± 1 %精度等级 (25 °C, 3.3 V) , 全工作条件范围下精度 ± 10 % 精度等级
 -外置 4 ~ 24 MHz (HXT)晶振输入为精密定时操作
 -外置 32.768 kHz (LXT)晶振输入
 -运行中可通过软件对时钟源切
 -可编程系统时钟分频器从1/2, 1/4, 1/6, 1/8…, 最高到 1/512
   
   
外设
 -11 个通用输入输出引脚。所有输出引脚具有独立的2级电平转换速率控制
 -8 通道 GPIO 中断,具备边缘/电平检测,全部 11 个 GPIO 均可配置为输入源之一
 -标准中断引脚 INT0 和 INT1 兼容标准 8051
 -两组 16 位定时/计数器 0 和 1 兼容标准 8051
 -一组 16 位定时器 2 带 3 通道输入捕获模块
 -一组16位自动重载定时器 3
 -一组可程序设计看门狗定时器 (WDT)
 -一组专用的自唤醒定时器 (WKT)
 -两组全双工串口
 -一组智能卡接口支持 ISO7816-3
 -一组SPI端口支持主机和从机模式,当系统时钟为 24 MHz 时传输速率高达 6 Mbps
 -两组 I2C 总线支持主机和从机模式,数据传输率高达 400 kpbs
 -6 * 16 - bit 组,12 通道脉宽调制器(PWM)输出,高达 16 位分辨率
 -一组 12 位 ADC,当 VDD 大于 2.5 V 转换速率高达 500 Ksps
   
电源监视器
 -欠压检测 (BOD) 可用于低功耗模式,7 个级别可选,可配置中断或复位
 -上电复位 (POR)
 -低电压复位 (LVR)
   
强效ESD及EFT能力
 -ESD HBM 通过 8 kV
 -EFT > ± 4.4 kV
 -闩锁测试通过 150 mA
   
开发工具
 -Nuvoton Nu-Link 基于 KEILTM 和 IAR 开发环境
 -Nuvoton 电路编程 (Nu-Link)
 -Nuvoton 在系统编程 (ISP) 通过 UART
   

编辑:admin  最后修改时间:2019-01-24