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2018-01PC DRAM 供应缺口造成供不应求，价格应声大涨！

日前，中国西安发生的变电所爆炸案，对DRAM厂三星、美光，以及封测厂力成造成影响。目前，虽大多数已回复正常，但对DRAM市场仍因为供应缺口而造成影响。另外，三星、SK海力士、美光等三大DRAM厂，在第2季大动作进行产品组合调整，包括提高Mobile DRAM及绘图用GDDR5产能[详细]

2018-01DRAM 报价止血，三星、海力士营收有望拨云见日

动态随机存取内存（DRAM）市况趋于稳定，让三星、SK海力士等韩国两大内存大厂本季获利预期跟着好转。自从2014年底以来，DRAM报价已连续19个月下滑。韩联社报导，据市调机构TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange报价数据，以及产业消息指出，DDR512×8现货报价6月6日已止跌回扬。由于现货价格会影响合约[详细]

2018-01原厂控制产出，2017 年 DRAM 价格止跌回稳露曙光

DRAM产业因长期需求不振，合约价格已历经连续19个月的跌幅趋势。今年5月底DDR4合约均价为1.31美元，而DDR3仅1.25美元，各厂都面临庞大的成本压力。TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange研究协理吴雅婷表示，第三季个人电脑（PC）将进入出货高峰、中国品牌智能手机[详细]

2017-12Windbond代理商-介绍Flash、DRAM芯片

华邦电子以DRAM产品事业群、闪存IC事业群及记忆IC制造事业群三大事业群为核心，不断追求产品与技术的创新，以落实竞争优势。DRAM产品方面，以所擅长的高速度和低功率内存核心设计技术，推出包含Specialty DRAM、以及Pseudo SRAM 和Low Power SDRAM之Mobile RAM系列产品，可广泛应用在消费性(Consumer)、通讯(Co[详细]

2017-12DRAM 价格持续下跌，Q1 全球 DRAM 总产值季衰退达 16.6%

TrendForce旗下存储器储存事业处DRAMeXchange最新报告显示，受到市况持续供过于求、平均销售单价下降的影响，2016年第一季全球DRAM总产值为85.6亿美元，季衰退16.6%。 DRAMeXchange研究协理吴雅婷表示，第一季为传统淡季，除中国市场的智能手机略有库存回补的[详细]

2017-12DRAM 市占之争白热化，SK 海力士与美光降价急追三星

根据市调机构集邦科技、IDC的估计，今年（2016年）第二季全球DRAM的位出货量成长率预料会达到3-4%。然而，几家DRAM大厂却都一致预期，Q2位出货量会有双位数的成长率。分析人士认为，这显意味着DRAM大厂打算去化库存，而芯片价格也将因供给增加面临压力。 Business Korea 11日报导，三星电子预估的Q2 DRAM位出[详细]

2017-09韩厂DRAM市占飙新高，SK 海力士 2017 年量产 18nm

韩联社6日报导，根据美国调查公司IHS公布的资料显示，2015年Q4（10-12月）韩厂（三星+ SK Hynix）于全球DRAM市场的市占率达74.5%，已连续第6季创下史上新高纪录。就2015年全年来看，三星DRAM市占率达45.3%、SK Hynix达27.7%，合计市占率高达73.0%，创史上新高纪录。其中，在服务器用DRAM市场上，三星市占率达50[详细]

2017-09 逃离 DRAM 杀价战，传三星率先量产 18nm

全球内存霸主三星电子拉大与对手差距，据传已经抢先业界开始生产 18纳米（nm）DRAM，美光远远落后，技术差距扩大到两年以上。三星技术领先将可维持获利，不用担心 DRAM 价格滑落侵蚀利润。韩媒 etnews、韩国时报报导，业界人士透露，三星韩国华城工厂生产的 18 纳米 [详细]

2017-08Winbond W956D6KBK pSRAM

W956D6KBKThe is a 64M bit CellularRAM™ compliant products, organized as 4M word by 16 bite; high-speed, CMOS pseudo-static random access memories developed for low-power, portable applications.产品特点Supports asynchronous and burst operations VCC, VCCQ Voltages:1.7V–1.95V VC[详细]

2015-04SK海力士拟投资15兆韩元建新厂 DRAM股挫

韩国内存厂海力士(Hynix)计划投入15兆韩元资金在韩国建新厂，再次引发市场疑虑，冲击台厂动态随机存取内存(DRAM)厂南亚科及华亚科股价连袂下挫。外电报导，海力士将在2021年前陆续投入15兆韩元到正在兴建的仁川新半导体厂；其中，3.3兆韩元将用于厂房兴建工程，11.7兆韩元投入机器与生产设备。尽管海力士投资新[详细]

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