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美国加利福尼亚州戈莱塔，中国台湾新竹 — 2024年4月25日 — 全球领先的氮化镓（GaN）功率半导体供应商Transphorm, Inc.（纳斯达克：TGAN）与适配器USB PD控制器集成电路的全球领导者Weltrend Semiconductor Inc.（伟诠电子，TWSE：2436）今日宣布推出两款新型系统级封装氮化镓器件（SiP），与去年推出的伟诠电[详细]
代表着下一代电源系统未来的，氮化镓（GaN）功率半导体的全球领先供应商 Transphorm, Inc.（纳斯达克股票代码：TGAN）近日宣布新推出一款TOLT封装形式的SuperGaN FET。新产品TP65H070G4RS 晶体管的导通电阻为72毫欧，为业界首个采用JEDEC标准（MO-332）TOLT封装的顶部散热型表面贴装氮化镓器件。针对不适合[详细]
据了解，镓未来成立于2020年，专注宽禁带半导体氮化镓功率器件在电力电子领域的应用。近年来，公司的发展势头愈发亮眼，已研发出了650V、900V系列多款小功率（<300W）、中功率（300W~1kW）和大功率（1kW~10kW）GaN功率器件，广泛应用于消费电子、电动工具、数据中心、便携储能、微型逆变器、电动汽车、智能电[详细]
随着市场需求的急剧增长，氮化镓正从低功率场景向中高功率场景不断延伸。最近，芯八哥“走进产业链”栏目记者采访了国内氮化镓领域的新锐企业镓未来的销售总经理曾晨，探讨在以氮化镓等为代表的第三代半导体蓬勃发展的背景下，当前镓未来在氮化镓全场景功率段的快速发展之道。据了解，镓未来成立于2020年，专注[详细]
氮化镓（GaN）作为第三代半导体材料，和传统材料Si相比，具备禁带宽度大、击穿电压高、热导率大、开关频率高以及电子饱和速度快等优势，发展潜力巨大。氮化镓迎来爆发式增长，应用场景逐渐由消费电子向更多新兴市场拓展为此，自上世纪90年代起，一些全球领先的科研机构就开始着手氮化镓材料的研究，并致力于实现[详细]
氮化镓（GaN）作为第三代半导体材料，和传统材料Si相比，具备禁带宽度大、击穿电压高、热导率大、开关频率高以及电子饱和速度快等优势，发展潜力巨大。氮化镓迎来爆发式增长，应用场景逐渐由消费电子向更多新兴市场拓展为此，自上世纪90年代起，一些全球领先的科研机构就开始着手氮化镓材料的研究，并致力于实现[详细]
碳化硅，化学式为SiC，是由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料，是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一。碳化硅器件是指以碳化硅为原材料制成的器件，按照电阻性能的不同分为导电型碳化硅功率器件和半绝缘型碳化硅基射频器件。基本半导体碳化硅肖特基二极管导电型碳化硅功率器件主要是通过在[详细]
第三代半导体来到十字路口的当下，车用芯片龙头厂商英飞凌踩了一脚油门。当特斯拉在投资日宣布下一代驱动单元将减少75%碳化硅（SiC）的消息后，天岳先进、东尼电子、晶盛机电、乾照光电等多只概念股应声“跳水”。不过，当特斯拉“动动嘴皮子”带崩板块，汽车芯片大厂仍在用真金白银加码。就在特斯拉召开投资者[详细]
未来已来，氮化镓的社会经济价值加速到来。本文介绍了镓未来和纳芯微在氮化镓方面的技术合作方案。 镓未来提供的紧凑级联型氮化镓器件与纳芯微隔离驱动器配合，隔离驱动器保证了异常工作情况下对氮化镓器件的有效保护，完美展现了氮化镓在先进应用中高效率低损耗的核心价值，让工程师放心无忧采用氮化镓。普通消[详细]
从“砖头”手机到笨重的电视机，电源模块曾经在电子电器产品中占据相当大的空间，而且市场对更高功率密度的需求仍是有增无减。硅电源技术领域的创新曾一度大幅缩减这些应用的尺寸，但却很难更进一步。在现有尺寸规格下，硅材料无法在所需的频率下输出更高的功率。而对于即将推出的5G无线网络，以及未来的机器人[详细]
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