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IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）和MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）是两种常见的功率半导体器件，用于电力电子应用。它们在结构、工作原理和性能方面有一些区别，下面是它们的主要区别：1.结构：IGBT是一种双极型晶体管，由PNP型双极晶体管和N型MOSFET组成。而MOSFET是[详细]
电源mos管驱动电路如何选型 电源mos管优质品牌推荐 电源mos管，选择到一款正确的MOS管，可以很好地控制生产制造成本，最为重要的是，为产品匹配了一款最恰当的元器件，这在产品未来的使用过程中，将会充分发挥其“螺丝钉”的作用，确保设备得到最高效、最稳定、最持久的应用效果。今天分享一下电源mos管驱[详细]
MOS管开关频率最高多少如何测算及MOS开关管的损耗计算 MOS管开关电路 MOS管开关频率最高多少如何测算详解，先来看看MOS管开关电路。下为一张典型的N沟道增强型MOS管开关电路原理图： D1作用：续流二极管 R1作用：1、限流电阻，减小瞬间电流值：MOS管属于压控型器件，两两引脚之间存在寄生电容[详细]
MOS管 7910 -28A -100V参数 封装 规格书 优质品牌商推荐 MOS管 7910 -28A -100V产品概述 1、采用CRM(CQ)先进的沟槽技术 2、极低通阻RDS(on) 3、符合JEDEC标准 MOS管 7910 -28A -100V产品特性及应用 RDS(ON),typ.=60mΩ@VGS=10V 电机控制与驱动 电池管理 UPS [详细]
mosfet的阈值电压及电压输出特点解析阈值电压 mosfet的阈值电压详解，什么是阈值电压？阈值电压 (Threshold voltage):通常将传输特性曲线中输出电流随输入电压改变而急剧变化转折区的中点对应的输入电压称为阈值电压.在描述不同的器件时具有不同的参数。如描述场发射的特性时，电流达到10mA时的电压被称为阈值电[详细]
详解mosfet应用电路 mos管开关电路知识通俗易懂 mosfet应用电路，MOS管最显著的特性是开关特性好，所以被广泛应用在需要电子开关的电路中，常见的如开关电源和马达驱动，也有照明调光。MOS电路为单极型集成电路，又称为MOS集成电路，它采用金属－氧化物半导体场效应管制造，其主要特点是结构简单、制造方便、集[详细]
细说MOS管知识-MOS管高端驱动和低端驱动解析及原理及区别高端驱动和低端驱动的原理及区别详解 详解MOS管的高端驱动和低端驱动，我们先来看看什么是高端驱动、什么是低端驱动。 高端驱动： 高端功率开关驱动的原理非常简单，和低端功率开关驱动相对应，就是负载一端和开关管相连，另外一端直接接地。正常情况下，[详细]
350V MOS管-MOS优质品牌推荐 高效高品质 技术支持 免费送样 350V MOS管产品概述 350V MOS管，这种功率MOSFET是KIA半导体使用先进的平面条纹DMOS技术生产。这种先进的技术是KIA半导体特别定制的，可以减少冲击，并有着开关性能好的优势，能承受雪崩和换向模式下的高能量脉冲。 350V MOS管产[详细]
250V MOS管选型-250V MOS管参数、封装、价格等详情 原厂直销250V MOS管特性-KNX3725A 专利新平面技术 RDS(ON),typ.=45mΩ@VGS=10V 低栅电荷使开关损耗最小化250V MOS管参数详情-KNX3725A 250V MOS管封装图-KNX3725A 250V MOS管原厂介绍 深圳市可易亚半导体科技有限公司.是一家专业从事中、大、功率场效应管[详细]
MOS管知识-MOS管开关损耗和导通损耗分析 人们对开关电源的要求越来越高，要求开关电源的体积越来越小，这也意味着开关频率越来越高。随着开关频率的提高，降低变换器的开关损耗也变得极其重要。开关频率越高，每秒钟开关管改变状态的次数就越多，开关损耗也就越大。这次就来弄清楚在每次开关转换过程中所发生事[详细]
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