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IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管）作为一种重要的功率半导体器件，在电力电子领域具有广泛应用。其核心部分就是由硅晶圆制成的芯片。然而，通常情况下，晶圆的初始厚度可能并不符合设计要求，因此需要通过减薄工艺来实现最终所需的厚度。一、减薄原因1.设计需求首先，IGBT器件的设[详细]
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