东芝NAND闪存：TC58NYG1S3HBAI6
TC58NYG1S3HBAI6
TC58NYG1S3HBAI6是一个1.8V2Gbit(2,281,701,376位)NAND电可擦可编程只读存储器(NANDE2PROM)，其组织为(2048+128)字节或64页或2048块。该设备具有两个2176字节的静态寄存器，允许程序和读取数据以2176字节的增量在寄存器和内存单元数组之间传输。擦除操作在单个块单元(128KB+8KB：2176字节/64页)中实现。
TC58NYG1S3HBAI6是一种串行式存储器装置，它利用I/O引脚用于地址和数据输入/输出以及命令输入。自动执行擦除和程序操作，使该设备最适合于诸如固态文件存储、语音记录、静止相机图像文件存储器等应用。以及其他需要高密度、非易失性存储器数据存储的系统。
编辑：admin 最后修改时间：2019-09-06
