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2019-09东芝NAND闪存：TC58NYG2S0HBAI4

TC58NYG2S0HBAI4是一个1.8V4Gbit(4，563，402，752位)NAND电可擦和可编程只读存储器(NAND E2PROM)，组织为(4096 256)字节×64页×2048块。该装置具有两个4352字节的静态寄存器，允许在寄存器和存储器单元数组之间以4352字节增量的方式传输程序和读取数据。擦除操作是在单个块单元中实现的(256千字节16字节：435[详细]

2019-09东芝NAND闪存：TC58NYG2S0HBAI6

TC58NYG2S0HBAI6是一个1.8V 4 Gbit(4，563，402，752位)NAND电可擦和可编程只读存储器(NAND E2PROM)，组织为(4096 256)字节×64页×2048块。该设备具有两个4352字节的静态寄存器，允许在寄存器和存储单元数组之间以4352字节增量的方式传输程序和读取数据。擦除操作是在单个块单元中实现的(256千字节16字节：435[详细]

2019-09东芝NAND闪存：TH58BVG3S0HBAI4

TH58BVG3S0HBAI4是一个单一的3.3V 8 Gbit(8，858，370，048位)NAND电可擦和可编程只读存储器(NAND E2PROM)，组织为(4096 128)字节×64页×4096块。该设备具有4224字节静态寄存器，允许程序和读取数据以4224字节增量在寄存器和存储器单元阵列之间传输。擦除操作是在单个块单元中实现的(256千字节，8千字节：4224[详细]

2019-09东芝NAND闪存：TH58BVG3S0HBAI6

TH58BVG3S0HBAI6是一个3.3V8Gbit(8,858,370,048位)NAND电可擦可编程只读存储器(NANDE2PROM)，其组织为(4096+128)字节或64页或4096块。该装置具有4224字节静态寄存器，允许在寄存器和存储器单元数组之间以4224字节递增传输程序和读取数据。擦除操作是在单个块单元中实现的(256千字节，8千字节：4224字节×64页)。[详细]

2019-09东芝NAND闪存：TH58BVG3S0HTA00

TH58BVG3S0HTA00是一个3.3V8Gbit(8,858,370,048位)NAND电可擦可编程只读存储器(NANDE2PROM)，其组织为(4096+128)字节或64页或4096块。该装置具有4224字节静态寄存器，允许在寄存器和存储器单元数组之间以4224字节递增传输程序和读取数据。擦除操作是在单个块单元中实现的(256千字节，8千字节：4224字节×64页)。[详细]

2019-09东芝NAND闪存：TH58BVG3S0HTAI0

TH58BVG3S0HTAI0是一个3.3V 8Gbit(8，858，370，048位)NAND电可擦和可编程只读存储器(NAND E2PROM)，组织为(4096 128)字节×64页×4096块。该装置具有4224字节静态寄存器，允许在寄存器和存储器单元数组之间以4224字节递增传输程序和读取数据。擦除操作是在单个块单元中实现的(256千字节，8千字节：4224字节×6[详细]

2019-09东芝NAND闪存：TH58BYG3S0HBAI4

TH58BYG3S0HBAI4是一个1.8V 8Gbit(8，858，370，048位)NAND电可擦和可编程只读存储器(NAND E2PROM)，组织为(4096 128)字节×64页×4096块。该设备具有一个4224字节的静态寄存器，它允许在寄存器和存储器单元数组之间以4224字节递增传输程序和读取数据。擦除操作是在单个块单元中实现的(256千字节，8千字节：422[详细]

2019-09东芝NAND闪存：TH58BYG3S0HBAI6

TH58BYG3S0HBAI6是一个1.8V 8Gbit(8，858，370，048位)NAND电可擦和可编程只读存储器(NAND E2PROM)，组织为(4096 128)字节×64页×4096块。该设备具有一个4224字节的静态寄存器，它允许在寄存器和存储器单元数组之间以4224字节递增传输程序和读取数据。擦除操作在单个块单元中实现 (256Kbytes + 8Kbytes ： 422[详细]

2019-09东芝NAND闪存：TH58NVG3S0HBAI4

TH58NVG3S0HBAI4是一个单一的3.3V 8Gbit(9，126，805，504位)NAND电可擦和可编程只读存储器(NAND E2PROM)，组织为(4096 256)字节×64页×4096块。该装置具有两个4352字节的静态寄存器，允许在寄存器和存储器单元数组之间以4352字节增量的方式传输程序和读取数据。擦除操作是在单个块单元中实现的(256千字节16字[详细]

2019-09东芝NAND闪存：TH58NVG3S0HBAI6

TH58NVG3S0HBAI6是一个单一的3.3V 8Gbit(9，126，805，504位)NAND电可擦和可编程只读存储器(NAND E2PROM)，组织为(4096 256)字节×64页×4096块。该装置具有两个4352字节的静态寄存器，允许在寄存器和存储器单元数组之间以4352字节增量的方式传输程序和读取数据。擦除操作是在单个块单元中实现的(256千字节16字[详细]

2019-09东芝NAND闪存：TH58NVG3S0HTA00

TH58NVG3S0HTA00是一个单一的3.3V 8Gbit(9，126，805，504位)NAND电可擦和可编程只读存储器(NAND E2PROM)，组织为(4096 256)字节×64页×4096块。该装置具有两个4352字节的静态寄存器，允许在寄存器和存储器单元数组之间以4352字节增量的方式传输程序和读取数据。擦除操作是在单个块单元中实现的(256千字节16字[详细]

2019-09东芝NAND闪存：TH58NVG3S0HTAI0

TH58NVG3S0HTAI0是一个单一的3.3V 8Gbit(9，126，805，504位)NAND电可擦和可编程只读存储器(NAND E2PROM)，组织为(4096 256)字节×64页×4096块。该装置具有两个4352字节的静态寄存器，允许在寄存器和存储器单元数组之间以4352字节增量的方式传输程序和读取数据。擦除操作是在单个块单元中实现的(256千字节16字[详细]

2019-09东芝NAND闪存：TH58NVG4S0HTA20

TH58NVG4S0HTA20是一个单一的3.3V 16 Gbit(18，253，611，008位)NAND电可擦和可编程只读存储器(NANDE2PROM)，组织为(4096256)字节64页8192块。该装置具有两个4352字节的静态寄存器，允许在寄存器和存储器单元数组之间以4352字节增量的方式传输程序和读取数据。擦除操作以单个块单元(25[详细]

2019-09东芝NAND闪存：TH58NVG4S0HTAK0

TH58NVG4S0HTAK0是一个单一的3.3V 16 Gbit(18，253，611，008位)NAND电可擦除和可编程只读存储器(NANDE2PROM)，组织为(4096256)字节64 Pages8192块。该装置具有两个4352字节的静态寄存器，允许在寄存器和存储器单元数组之间以4352字节增量的方式传输程序和读取数据。擦除操作以单个块单[详细]

2019-09东芝NAND闪存：TH58NYG3S0HBAI4

TH58NYG3S0HBaI4是一个1.8V8Gbit(9,126,805,504位)NAND电可擦可编程只读存储器(NANDE2PROM)，其组织为(4096+256)字节或64页或4096块。装置具有两个4352字节的静态寄存器，允许在寄存器和存储器单元数组之间以4352字节增量的方式传输程序和读取数据。擦除操作是在单个块单元中实现的(256千字节16字节：4352字节×[详细]

2019-09东芝NAND闪存：TH58NYG3S0HBAI6

TH58NYG3S0HBaI6是一个1.8V8Gbit(9,126,805,504位)NAND电可擦可编程只读存储器(NANDE2PROM)，其组织为(4096+256)字节或64页或4096块。该设备具有两个4352字节的静态寄存器，允许在寄存器和存储单元数组之间以4352字节增量的方式传输程序和读取数据。擦除操作是在单个块单元中实现的(256千字节16字节：4352字节×[详细]

2019-09东芝首发UFS 3.0闪存有三种容量可供选择

根据外媒的报道，东芝内存公司（Toshiba Memory Corporation）已开始对业界首款UFS 3.0闪存嵌入式设备进行采样。新产品系列采用了该公司最先进的96层BiCS FLASH 3D闪存，有三种容量可供选择：128GB，256GB和512GB。据介绍，东芝宣布推出业界首款采用超快速通用闪存（UFS）3.0版技术的嵌入式闪存芯片。新[详细]

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