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近日，由国家储存器基地主要承担单位长江储存科技有限责任公司（以下简称“长江存储”）与中国科学院微电子研究所联合承担的3D NAND存储器研发项目取得新进展。据长江存储CEO杨士宁在IC咖啡首届国际智慧科技产业峰会（ICTech Summit 2017）上介绍，32层3D NAND芯片顺利通过电学特性等各项指标测试，达到预期要求[详细]
金宝（2312）3D打印在美国消费性电子展（CES）再立威，上周以最轻巧的da Vinci Nano 3D打印机，获得美国TWICE杂志颁发的TWICE Picks Award。连续4年拿下CES大奖的金宝子公司三纬国际，靠着自有品牌XYZPrinting发威，再加上代工订单发威，今年目标力拚出货年增9成，且全年转盈。 CES元月8日圆满[详细]
美国DRAM大厂美光与台厂华亚科延宕多时的并购案终于在日前尘埃落定，华亚科预定于明6日下市，同时12日美光将举办庆祝典礼，正式宣告华亚科纳入美光，而今有消息传出，美光典礼同时将宣布在台兴建DRAM封测厂，扩大对中国台湾地区投资。 华亚科将于明6日完成与美光股权转换，成为美光100%子公司并于[详细]
东芝（Toshiba）8日发布新闻稿宣布，为了增产3DFlash Memory，将在四日市工厂内兴建新厂房“第6厂房（Fab 6）”。东芝指出，该座新厂房将做为3DFlash专用厂房，将分2期工程兴建，其中第1期工程将在2017年2月动工、并预计于2018年夏天完工。 东芝指出，关于上述新厂房具体的设备导入、开始生产时[详细]
随着当前智能手机、SSD等产品的市场需求强烈，包括闪存、内存等储存芯片需求大量成长，近期价格也摆脱低潮，持续上涨，这样的机会点也给了中国相关企业介入储存芯片市场的发展契机。根据外电的报导，在这波储存芯片的热潮下，中国本身也将在2017年推出32层堆叠的3D NAND闪存。虽然，这样的技术相较韩国三星[详细]
日经新闻27日报导，日本半导体（芯片）设备商订单明显回复，2016年度上半年期间（2016年4至9月）东京威力科创等日本7大设备商合计订单额达约7,300亿日元，较2015年度下半年（2015年10月至2016年3月）增加约4%，且订单额创下9年半来（2006年度下半年以来）新高纪录。 设备订单一般反映在3至6个月后[详细]
2017年适逢苹果（Apple）iPhone问世第10周年，因此盛传预计今年（2016年）秋天开卖的iPhone 7恐仅有小改版，大改版iPhone要等到明年才看得到，也让iPhone 7还没真正问世，2017年版iPhone却已有众多传闻流出。而最新传出，2017年苹果除了将推出2款iPhone 8系列机种之外，还会推出一款入门款iPhone 7 SE。[详细]
内存的3DNAND Flash大战即将开打！目前3DNAND由三星电子独家量产，但是先有东芝（Toshiba）杀入敌营，如今美光（Micron）也宣布研发出3D NAND芯片，而且已经送样，三星一家独大的情况将画下句点。 TechRadar、ComputerWorld报导，美光9日宣布开发出该公司第一款3D NAND芯片，采48层堆叠，容量为[详细]
韩国三星电子为全球第一家量产3D架构NAND型快闪记忆体(FlashMemory)的厂商，不过其NAND Flash最大竞争对手东芝(Toshiba)追赶速度惊人，宣布已领先全球同业、研发出堆叠64层的3D Flash产品，且开始进行送样。 东芝27日发布新闻稿宣布，已研发出堆叠64层的3D Flash制程技术，并自今日起领先全球同业[详细]
SSD等应用提升下，Nand Flash需求正快速成长，各家内存厂无不积极扩产，以扩展自身在NAND Flash的市占，半导体巨擘英特尔在2015年10月同样看好NAND Flash发展，宣布与大连市政府合作，将原本生产处理器芯片的厂房转型生产3D-NAND Flash芯片，而现在厂房改置完毕，在25日正式宣告投产。 据中国官方[详细]
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