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2018-01跟三星拼了，东芝、WD 扩大投资 3D 快闪内存

全球第二大储存型快闪内存东芝（Toshiba）与美国合作伙伴Western Digital（WD），拟大幅增加投资快闪内存，希望藉扩产力抗韩国共同强敌三星。 WD于5月完成购并SanDisk后，一并承接SanDisk与东芝在日本四日市合资设立的内存工厂。据日经新闻报导，WD与东芝未来[详细]

2018-01三星拟扩产 3D NAND闪存外资：2017 年产能将拉高近 4 成

韩国经济日报（KoreaEconomic Daily）15日报导，三星电子（SamsungElectronics Co.）打算在2017年底前扩充3D NAND型快闪内存产能，总共要斥资25兆韩元，主要扩产的是位于中国西安的厂房，预定今年稍晚会于该厂新设一条3DNAND生产线，另外还将在韩国平泽市的厂房投入资本。虽然根据韩国时报报导，三星电子已在[详细]

2017-12需求逐季回温，2016下半年 NAND Flash 价格有望止跌回稳

全球市场研究机构TrendForce及科技新报TechNews在31日于台北国际会议中心4楼贵宾室举办移动设备关键零部件与通讯技术研讨会。本次研讨会演讲嘉宾包含全球领先快闪内存储存解决方案厂商闪迪（SanDisk），以及高通、恩智浦等国际大厂。DRAMeXchange研究协理杨文得也和与会者深度解析2016下半年NAND Flash市场发[详细]

2017-09什么是3D NAND闪存？国内3D Nand Flash发展情况

上个月底武汉新芯科技主导的国家级存储器产业基地正式动工，在大基金的支持下该项目将投资240亿美元建设国内最大、最先进的存储器芯片基地。如此巨额的投资使得该项目争议不小，不过更应该注意的是国内公司这次进军存储芯片的起点不低，新建的12寸晶圆厂投产后直接生产3D NAND闪存，这可是当前闪存市场的大热门[详细]

2017-09科学家用石墨烯3D打印出超轻超薄的超级电容

2016年2月9日，美国Lawrence Livermore国家实验室(LLNL)和加州大学Santa Cruz分校的科学家们宣布，他们首次使用超轻的石墨烯凝胶3D打印出超级电容，从而为产品设计师更加自由、不受设计限制地将高效能源存储系统用于智能手机、可穿戴设备、可植入设备、电动汽车和无线传感器打开了大门。据了解，LLNL的研究团队[详细]

2017-08UMK063CG9R3DTHF规格书PDF/中文资料

原厂料号 UMK063CG9R3DTHF 品牌太阳诱电 | TaiyoYuden 容量（Capacitance） 9.3pF 精度（Tolerance） ±0.5pF 额定电压（Voltage） 50V 材质（Material） [详细]

2017-08UMK063CG8R3DTHF规格书PDF/中文资料

原厂料号 UMK063CG8R3DTHF 品牌太阳诱电 | TaiyoYuden 容量（Capacitance） 8.3pF 精度（Tolerance） ±0.5pF 额定电压（Voltage） 50V 材质（Material） [详细]

2017-08UMK063CG7R3DTHF规格书PDF/中文资料

原厂料号 UMK063CG7R3DTHF 品牌太阳诱电 | TaiyoYuden 容量（Capacitance） 7.3pF 精度（Tolerance） ±0.5pF 额定电压（Voltage） 50V 材质（Material） [详细]

2017-08UMK063CG6R3DTHF规格书PDF/中文资料

原厂料号 UMK063CG6R3DTHF 品牌太阳诱电 | TaiyoYuden 容量（Capacitance） 6.3pF 精度（Tolerance） ±0.5pF 额定电压（Voltage） 50V 材质（Material） [详细]

2017-08UMK063CG9R3DT-F规格书PDF/中文资料

原厂料号 UMK063CG9R3DT-F 品牌太阳诱电 | TaiyoYuden 容量（Capacitance） 9.3pF 精度（Tolerance） ±0.5pF 额定电压（Voltage） 50V 材质（Material） [详细]

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