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意法半导体的第三代Bluetooth系统芯片BlueNRG-LP是世界上第一个支持同时连接多达128个节点的Bluetooth LE 5.2认证系统芯片，可以让用户无缝、低延迟监控大量的连接设备，例如，通过时尚直观的手机应用界面控制各种设备。 最高可设为+ 8dBm的射频输出功率，配合高达-104dBm的接收灵敏度，现在BlueNRG-LP 射[详细]
意法半导体40V MOSFET晶体管STL320N4LF8 和 STL325N4LF8AG 降低导通电阻和开关损耗，同时优化体寄生二极管特性，降低功率转换、电机控制和配电电路的能耗和噪声。新型 40V N 沟道增强型 MOSFET 利用最新一代 STPOWER STripFET F8 氧化物填充沟槽技术实现卓越的品质因数。在栅源电压 (VGS)为 10V 时，ST[详细]
低工作电流和低关机电流有助于尽可能延长手机电池续航时间基础半导体器件领域的专家Nexperia今日宣布推出其电平转换器系列的新晋产品：NXT4557GU和NXT4556UP。新器件可实现下一代低压手机基带处理器与用户身份模块(SIM)卡的无缝连接。随着处理器的几何尺寸向个位数纳米节点发展，先进SOC的核心电压也正[详细]
基础半导体器件领域的专家Nexperia今日宣布，位于英国曼彻斯特的新8英寸晶圆生产线启动，首批产品使用最新的NextPower芯片技术的低RDS(on)和低Qrr，80 V和100 V MOSFET。新生产线将立即扩大Nexperia的产能，新的PSMN3R9-100YSF (100 V)和PSMN3R5-80YSF (80 V)器件将具有行业内极低的Qrr品质因数(RDS(on) x Qrr)[详细]
基于MasterGaN平台的创新优势，意法半导体推出了MasterGaN2，作为新系列双非对称氮化镓(GaN)晶体管的首款产品，是一个适用于软开关有源钳位反激拓扑的GaN集成化解决方案。两个650V常关型GaN晶体管的导通电阻 (RDS(on))分别是150mΩ和225mΩ，每个晶体管都集成一个优化的栅极驱动器，使GaN晶体管像普通硅器件一样[详细]
5月12日，上海复旦微电子集团股份有限公司近日推出了低功耗超宽电压FM24LNXXX系列I2C串行EEPROM存储器，可满足CCM、白电、电表仪器、5G通讯、车载等相关应用领域的应用需求。 该系列首批容量包含FM24LN64（64Kbit）和FM24LN128（128Kbit）两个型号。产品支持1.1V~5.5V超宽工作电压范围，温度覆盖-40℃~+85[详细]
HK32F103x/C/D/E是航顺芯片公司推出的中大容量的32位MCU芯片，内部集成丰富且强大的外设，如SPI/IIC/UART/USB/FSMC/SDIO等。有客户在快速替换使用过程中，遇到过使用HAL库的USB枚举失败的情况：直接插入电脑USB口是枚举失败，不能识别；经过HUB插入的话能识别，但是驱动有问题（带黄色三角形、感叹号）。通过逻[详细]
Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 推出两款新的多路复用/解复用线性 ReDriver，支持 20Gbps DisplayPort超高比特率 (UHBR20) 传输模式。这两款 ReDriver 装置率先业界满足了 DisplayPort 如此高速的数据传输需求。PI3DPX20021 是一款 2 对 1、4 信道的多任务装置，而PI3DPX20012 则为 1 对 2、4 信道的解多[详细]
高性能、高能效的天玑9000系列移动平台赋能旗舰智能手机2022年6月22日，MediaTek发布天玑9000+旗舰5G移动平台，作为天玑创新之路上的又一力作，再次突破旗舰5G体验。天玑9000+承袭了天玑9000的技术优势，助力旗舰终端拥有更优异的性能和能效表现。天玑9000+采用台积电4nm制程和Armv9架构，八核CPU包括1[详细]
NCN26010支持多点以太网，布线数量减少达70%，安装成本降低80%领先于智能电源和智能感知技术的安森美，今天宣布推出新的10BASE-T1S以太网控制器，旨在为工业环境提供可靠的多点通信。NCN26010简化了安装，实现了更大的数据吞吐量，并在一条双绞线上实现了40多个节点，超过了IEEE 802.3cg标准节点数量要求的五倍[详细]
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