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韩国媒体朝鲜日报、东亚日报1日报导，韩国科学技术院（KAIST）专利管理子公司KAIST IP于11月30日向德州联邦地方法院提起专利侵权诉讼，控告三星电子、高通（Qualcomm）和格罗方德（GlobalFoundries）擅自盗用其所拥有的“FinFET”技术专利，要求支付专利使用费。 KAIST IP指出，“长期以来持续和三[详细]
三星电子30日宣布，将开始大规模的采用14纳米FinFET制程开始大量生产入门款的手机芯片。该代号为Exynos 7570的芯片，预计将应用于中低端智能手机以及物联网（IOT）的产品使用上。不过，目前三星电子尚未正式公布未来究竟是哪些手机型号将会采用该款芯片。 根据韩国英文媒体《THE KOREA TIMES》的报[详细]
一、用指针式万用表对场效应管进行判别 （1）用测电阻法判别结型场效应管的电极 根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值[详细]
进行这种折中处理可得到一个用于 FET 选择的非常有用的起始点。通常，作为设计过程的一个组成部分，你会有一套包括了输入电压范围和期望输出电压的规范，并且需要选择一些 FET。另外，如果你是一名 IC 设计人员，你还会有一定的预算，其规定了 FET 成本或者封装尺寸。[详细]
关于MOSFET很多人都不甚理解，这次小编再带大家仔细梳理一下，也许对于您的知识系统更加全面。下面是对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结，其中参考了一些资料。 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，最大电压[详细]
日本知名半导体制造商罗姆株式会社（总部：日本京都市）面向太阳能发电的功率调节器市场，开发出实现了业内顶级低导通电阻的高耐压功率MOSFET“R5050DNZ0C9”(500V/50A/typ,34mΩmax45mΩ)。本产品采用散热性卓越的TO247PLUS封装，于2011年9月中旬开始提供样品，并[详细]
东芝公司(Toshiba Corporation)推出了一款低导通电阻MOSFET——TPN2R503NC。该产品采用最新的第八代工艺打造，可用于锂离子电池保护电路和手机电源管理开关。其他两款第八代产品TPN4R203NC和TPN6R303NC也被添加到该产品系列中，成为现有型号的换代产品。所有三款产品均[详细]
日前，德州仪器 (TI) 宣布面向智能手机与平板电脑等空间有限手持应用推出业界最小型低导通电阻 MOSFET。该最新系列 FemtoFET? MOSFET 晶体管采用超小型封装，支持不足 100 毫欧的导通电阻. 三个 N 通道及三个 P 通道 FemtoFET MOSFET 均采用平面栅格阵列 (LGA)[详细]
日前，Vishay宣布，推出采用PowerPAK? ChipFET?和PowerPAK 1212-8S封装的新器件，扩充其TrenchFET? P沟道Gen III功率MOSFET。今天推出的Vishay Siliconix MOSFET可提高便携式计算和工业控制设备中的电源效率，是-4.5V和-2.5V栅极驱动下具有业内最低导通电阻的-12V和-2[详细]
全球功率半导体和管理方案领导厂商 国际整流器公司扩充StrongIRFET系列，为高性能运算和通信等应用提供20V至30V的器件。IR L6283M 20V DirectFET是该系列的重点器件，具有极低的导通电阻 (RDS(on))。 ??IRL6283M采用超薄的30 mm2中罐式DirectFET封装，导通电阻典[详细]
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