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导语：深圳市发展和改革委员会日前发布《深圳市2023年重大项目计划清单》，从行业领域看，现代产业类项目247个，年度计划投资898.9亿元，占比32%。其中涉及多个半导体项目，包括华润微深圳12英寸集成电路生产线建设项目、中芯国际12英寸集成电路生产线项目、鑫巨半导体先进光刻制程湿法设备生产项目等。日前，深[详细]
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布推出车载直流无刷电机栅极驱动IC[1]---“TB9083FTG”，该IC适用于电动转向助力系统（EPS）、电动制动系统和线控换档系统等应用。产品于今日开始批量出货。 &nb[详细]
VDS 40V,60VParts numberData sheetTypeVDS [V]VGS [V]ID*1 [A]Rss(on)Typ.[mΩ]Package Size[mm]VGS 10VVGS 4.5VxytFK9B0439ZL N-Single40+20/-10119.5111.941.940.1KFK9B0463ZL N-Single40+20/-1010.811163.053.050.5KFK9B0652ZL N-S[详细]
在台系MCU大厂新唐线上说明会，董事长苏源茂表示，因为需求会影响到产品价格，因此2022年第四季的毛利滑落，预期今年运营，整体市场都发布上半年会落底的信号，目前新唐看到第一季运营仍会衰退，但从第二季开始整个毛利率、运营都会慢慢回升。苏源茂表示，新唐去年第四季主要产品线表现，车用及工控领域，通过由[详细]
一、QM4015SP 沟道 40V 快速开关 MOSFET特征先进的高细胞密度 Trench 技术。超低栅极电荷。出色的 CdV/dt 衰减效果。100% EAS 保证。绿色设备可用。应用用于 MB/NB/UMPC/VGA 的高频负载点同步降压转换器。联网 DC-DC 电源系统。负载开关。描述QM4015S 是最高性能的沟槽 P 沟道 MOSFET，具有极高的单元密度，可为[详细]
描述DS6091 系列是可充电单节锂离子 ( Li + ) 电池的保护 IC，可避免电池充电过压/放电欠压或充电过流/放电过流之保护。它还包括一个短路保护器，以防止较大的外部短路电流。此 IC 由两个电压检测器、参考单元、延迟电路、短路保护器、逻辑电路和 MOSFET 开关所组成。充电时电池端电压从低值到超过检测器阈值 V[详细]
MOSFET全称为金属-氧化物半导体场效应晶体管，由于具有高频、驱动简单、抗击穿性好等特点，目前已广泛使用在电力电子电路中。| MOSFET百亿美元市场，主要厂商交期和价格依然保持在高位从市场规模来看，据Omdia统计，2020年全球MOSFET市场规模达80.67 亿美元，其中中国占比43.65%，约为35.21亿美元。据其预测，未[详细]
该系列产品包含1200V和650V两种规格－东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出新款功率器件---第三代碳化硅（SiC）MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。该系列具有低导通电阻，可显著降低开关损耗。该系列10款产品包括5款1200V产品和5款650V产品，已于今日开始出货。新产品的单位面积导[详细]
7 款 D2PAK 表贴器件提供出色的灵活性移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中 RF 解决方案的领先供应商 Qorvo?, Inc.（纳斯达克代码：QRVO）今日宣布推出 7 款采用表贴 D2PAK-7L 封装的 750V 碳化硅 (SiC) FET。凭借该封装方案，Qorvo 的 SiC FET 针对快速增长的车载充电器、软开关 DC/DC 转换器、[详细]
DFN0603封装提高性能并显著减少空间需求基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布推出采用超小DFN封装的新系列20 V和30 V MOSFET DFN0603。Nexperia早前已经提供采用该封装的ESD保护器件，如今更进一步，Nexperia成功地将该封装技术运用到MOSFET产品组合中，成为行业竞争的领跑者。该系列小型MOSFET[详细]
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