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一、QM4015SP 沟道 40V 快速开关 MOSFET特征先进的高细胞密度 Trench 技术。超低栅极电荷。出色的 CdV/dt 衰减效果。100% EAS 保证。绿色设备可用。应用用于 MB/NB/UMPC/VGA 的高频负载点同步降压转换器。联网 DC-DC 电源系统。负载开关。描述QM4015S 是最高性能的沟槽 P 沟道 MOSFET，具有极高的单元密度，可为[详细]
描述DS6091 系列是可充电单节锂离子 ( Li + ) 电池的保护 IC，可避免电池充电过压/放电欠压或充电过流/放电过流之保护。它还包括一个短路保护器，以防止较大的外部短路电流。此 IC 由两个电压检测器、参考单元、延迟电路、短路保护器、逻辑电路和 MOSFET 开关所组成。充电时电池端电压从低值到超过检测器阈值 V[详细]
MOSFET全称为金属-氧化物半导体场效应晶体管，由于具有高频、驱动简单、抗击穿性好等特点，目前已广泛使用在电力电子电路中。| MOSFET百亿美元市场，主要厂商交期和价格依然保持在高位从市场规模来看，据Omdia统计，2020年全球MOSFET市场规模达80.67 亿美元，其中中国占比43.65%，约为35.21亿美元。据其预测，未[详细]
该系列产品包含1200V和650V两种规格－东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出新款功率器件---第三代碳化硅（SiC）MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。该系列具有低导通电阻，可显著降低开关损耗。该系列10款产品包括5款1200V产品和5款650V产品，已于今日开始出货。新产品的单位面积导[详细]
DFN0603封装提高性能并显著减少空间需求基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布推出采用超小DFN封装的新系列20 V和30 V MOSFET DFN0603。Nexperia早前已经提供采用该封装的ESD保护器件，如今更进一步，Nexperia成功地将该封装技术运用到MOSFET产品组合中，成为行业竞争的领跑者。该系列小型MOSFET[详细]
电源管理系统要实现高能源转换效率、完善可靠的故障保护，离不开高性能的开关器件。近日，豪威集团全新推出两款MOSFET：业内最低内阻双N沟道MOSFET WNMD2196A和SGT 80V N沟道MOSFET WNM6008。WNMD2196A 超低Rss(ON)，专为手机锂电池保护设计近几年，手机快充技术飞速发展，峰值充电功率屡创新高。在极大地缓解消[详细]
意法半导体40V MOSFET晶体管STL320N4LF8 和 STL325N4LF8AG 降低导通电阻和开关损耗，同时优化体寄生二极管特性，降低功率转换、电机控制和配电电路的能耗和噪声。新型 40V N 沟道增强型 MOSFET 利用最新一代 STPOWER STripFET F8 氧化物填充沟槽技术实现卓越的品质因数。在栅源电压 (VGS)为 10V 时，ST[详细]
意法半导体的STPOWER MDmesh M9和DM9硅基N沟道超结多漏极功率MOSFET晶体管非常适用于设计数据中心服务器、5G基础设施、平板电视机的开关式电源 (SMPS)。首批上市的两款器件是650V STP65N045M9和600V STP60N043DM9。两款产品的单位面积导通电阻(RDS(on))都非常低，可以极大程度提高功率密度，并有助于缩减系统尺[详细]
新型硅基快速恢复体二极管超结 MOSFET系列为全桥相移ZVS拓扑提供理想的效率和可靠性ST超结快速恢复硅基功率MOSFET兼具超低恢复电荷(Qrr)和超快快恢复时间(trr)，以及出色的品质因数(RDS(on)x Qg)，能够为要求严苛的桥式拓扑和ZVS相移转换器带来极高的效率和功率水平，适用于工业和汽车应用。该产品系列提供了广[详细]
TCK42xG系列支持外部背对背MOSFET颖特新科技讯：东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，在其TCK42xG系列MOSFET栅极驱动IC产品中新增五款适用于可穿戴设备等移动电子设备的产品。该系列的新产品配备了过电压锁定功能，能根据输入电压控制外部MOSFET的栅极电压。新产品具体包括：用于24V电源线的“[详细]
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