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进行这种折中处理可得到一个用于 FET 选择的非常有用的起始点。通常，作为设计过程的一个组成部分，你会有一套包括了输入电压范围和期望输出电压的规范，并且需要选择一些 FET。另外，如果你是一名 IC 设计人员，你还会有一定的预算，其规定了 FET 成本或者封装尺寸。[详细]
关于MOSFET很多人都不甚理解，这次小编再带大家仔细梳理一下，也许对于您的知识系统更加全面。下面是对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结，其中参考了一些资料。 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，最大电压[详细]
日本知名半导体制造商罗姆株式会社（总部：日本京都市）面向太阳能发电的功率调节器市场，开发出实现了业内顶级低导通电阻的高耐压功率MOSFET“R5050DNZ0C9”(500V/50A/typ,34mΩmax45mΩ)。本产品采用散热性卓越的TO247PLUS封装，于2011年9月中旬开始提供样品，并[详细]
东芝公司(Toshiba Corporation)推出了一款低导通电阻MOSFET——TPN2R503NC。该产品采用最新的第八代工艺打造，可用于锂离子电池保护电路和手机电源管理开关。其他两款第八代产品TPN4R203NC和TPN6R303NC也被添加到该产品系列中，成为现有型号的换代产品。所有三款产品均[详细]
日前，德州仪器 (TI) 宣布面向智能手机与平板电脑等空间有限手持应用推出业界最小型低导通电阻 MOSFET。该最新系列 FemtoFET? MOSFET 晶体管采用超小型封装，支持不足 100 毫欧的导通电阻. 三个 N 通道及三个 P 通道 FemtoFET MOSFET 均采用平面栅格阵列 (LGA)[详细]
日前，Vishay宣布，推出采用PowerPAK? ChipFET?和PowerPAK 1212-8S封装的新器件，扩充其TrenchFET? P沟道Gen III功率MOSFET。今天推出的Vishay Siliconix MOSFET可提高便携式计算和工业控制设备中的电源效率，是-4.5V和-2.5V栅极驱动下具有业内最低导通电阻的-12V和-2[详细]
? 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 近日推出60V器件以扩充StrongIRFET MOSFET系列，适合多种工业应用，包括电动工具、轻型电动车逆变器、直流电机驱动器、锂离子电池组保护及开关模式电源二次侧同步整流等。 ??全新60V StrongIRFET功率MOS[详细]
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用超小尺寸、热增强PowerPAK? SC-70封装的新款-30V、12V VGS P沟道TrenchFET?功率MOSFET---SiA453EDJ。该器件是2mm x 2mm占位面积的-30V器件，在-4.5V和-2.5V栅极驱动下具有业内最低的导通电阻，在便携电子产品里能够[详细]
日前，德州仪器 (TI) 推出其NexFET? 产品线11款新型N沟道功率MOSFET，其中包括具有业界最低导通电阻并采用QFN 封装的25-V CSD16570Q5B 和 30-V CSD17570Q5B，可应用于热插拔和ORing应用。此外，TI面向低电压电池供电型应用的新型12-V FemtoFET? CSD13383F4在采用0.6 mm x 1mm纤巧型封装的情况下实现了比同类竞[详细]
IR/Vishay大电流肖特基二极管42CTQ030，耐压30V，平均电流40A，在20A电流下压降只有0.38V，这类肖特基二极管绝大多数用在低压大电流开关电源里。42CTQ030参数大全制造商: Vishay/IR RoHS: 符合RoHS产品: 肖特基二极管Schottky Rectifiers安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-220-3 If - 正向电流: 40 A Vrr[详细]
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