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深圳市颖特新与瑶芯微电子科技（上海）有限公司联手合作，颖特新代理瑶芯微主要致力于功率器件、智能传感器和信号链IC的设计、研发和销售，主营产品为功率器件（中低压Trench MOS以及SGT MOS，高压SJ超结MOS，IGBT，FRD，SiC MOS和SiC 二极管）和MEMS传感器以及信号链IC。主要应用领域为： 消费类和工业类以及车[详细]
1200V 30mohm Silicon Carbide Power MOSFET AKCK2M032WAMH特点：高速切换性能•低电容•具有低反向的快速本征二极管恢复•无卤素，符合RoHS（注1）应用程序•电动汽车电机驱动•DC/DC转换器•开关模式电源•太阳能逆变器•OBCAKCK2M032WAMH DATASHEET电气特性图（注4[详细]
1200V 30mohm Silicon Carbide Power MOSFET AKCK2M030WAMH-A特征：高速切换性能•低电容•具有低反向的快速本征二极管恢复•无卤素，符合RoHS（注1）•具备合格的AEC-Q101和PPAP应用程序：•电动汽车电机驱动•DC/DC转换器•开关模式电源•太阳能逆变器•OBCAKC[详细]
思特威（上海）电子科技股份有限公司（股票简称：思特威，股票代码：688213），重磅推出8K和16K两颗高分辨率高速工业CMOS图像传感器——SC830LA和SC1630LA。该背照式（BSI）图像传感器搭载先进的SmartClarity-3技术，基于创新的掩膜拼接工艺，依托思特威卓越的模拟电路设计，提供黑白和彩色两个版本、32x模拟增[详细]
瑶芯微650V 1.4欧姆超级结功率MOSFET说明：这种SJ设备为客户应用提供了良好的FOM性能和更好的EMI。特点：•低FOM RDS（ON）×QG•更好的EMI•100%UIS测试•符合RoHS（注1）•无卤素（注1）应用程序：•高频开关•快速充电和适配器关键性能参数：aks65n14km数据表：最大额定[详细]
瑶芯微600V 30欧姆超级结功率MOSFET说明：这种SJ设备为客户应用提供了良好的FOM性能和更好的EMI特点： 低FOM RDS（ON）x QG 更好的EMI 100%UIS测试 符合RoHS（注1） 无卤素（注1）应用程序： 开关电源（SMPS） 不间断电源（UPS） 功率因数校正[详细]
n沟道mos场效应管（NMOS）是一种重要的半导体器件，在现代电子技术中得到广泛应用。NMOS的导电主要依靠电子，在学习和理解该器件的工作原理和应用时，理解NMOS主要依靠电子导电的原理至关重要。NMOS的结构和工作原理NMOS由P型衬底上的N型沟道、P型掺杂的漏极和源极组成，其基本工作原理是通过在沟道和衬底上加上[详细]
双栅MOS场效应管（Double-gate Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，简称DG-MOSFET）是一种拥有两个栅极的MOSFET器件。它结构上的改进使其具有独特的工作原理和特点。工作原理：双栅MOS场效应管的工作原理类似于传统单栅MOSFET，但其拥有两个栅极（前栅极和后栅极），使其具有更好的电流控制能[详细]
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用有助于降低开关损耗的4引脚TO-247-4L(X)封装的碳化硅（SiC）MOSFET---“TWxxxZxxxC系列”，该产品采用东芝最新的[1]第3代碳化硅MOSFET芯片，用于支持工业设备应用。该系列中五款额定电压为650V，另外五款额定电压为1200V，十款产品于今日开始批量[详细]
全球领先的光学解决方案供应商艾迈斯欧司朗（瑞士证券交易所股票代码：AMS）与全球领先的三维视觉领域科技创新企业先临三维宣布，先临旗下品牌先临齿科最新的Aoralscan 3i口腔数字印模仪采用了艾迈斯欧司朗OSLON P1616系列的小型高功率红外LED，为智能口内扫描提供高效率、低能耗、高可靠的辅助照明。SFH [详细]
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