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2023-08东芝开发业界首款2200V双SIC MOSFET模块产品

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出业界首款[1]2200V双碳化硅（SiC）MOSFET模块---“MG250YD2YMS3”。新模块采用东芝第3代SiC MOSFET芯片，其漏极电流（DC）额定值为250A，适用于光伏发电系统和储能系统等使用DC 1500V的应用。该产品于今日开始支持批量出货。 &nbs[详细]

2023-08东芝推出采用新型封装的车载40V MOSFET，有助于汽车实现高散热

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出两款采用东芝新型S-TOGLTM（小型晶体管轮廓鸥翼式引脚）封装与U-MOS IX-H工艺芯片的车载40V N沟道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。两款产品于今日开始支持批量出货。自动驾驶系统等高安全级别的应用可通过冗余设计确保可靠性，因此与标[详细]

2023-08东芝推出N沟道功率MOSFET，有助于汽车设备实现高散热和小型化

2023-08igbt和mOS管的区别是什么 igbt和mOS管的优缺点介绍

IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）和MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）是两种常见的功率半导体器件，用于电力电子应用。它们在结构、工作原理和性能方面有一些区别，下面是它们的主要区别：1.结构：IGBT是一种双极型晶体管，由PNP型双极晶体管和N型MOSFET组成。而MOSFET是[详细]

2023-08瑞萨电子MCU和MPU产品线将支持MicrOSoft代码写入

全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（TSE：6723）今日宣布其客户现可以使用Microsoft Visual Studio Code（VS Code）开发瑞萨全系列微控制器（MCU）和微处理器（MPU）。瑞萨已为其所有嵌入式处理器开发了工具扩展，并将其发布在Microsoft VS Code网站上，使习惯于使用这款流行的集成开发环境（IDE）和代码编[详细]

2023-07这家厂商率先量产4G线性CMOS PA射频功率放大器件

功率放大器（Power Amplifier, 简称PA）是射频前端信号发射的核心器件，其性能的高低直接影响终端设备的通信质量和实际体验，在射频前端芯片中处于较为核心的地位。在对性能不十分苛求的市场领域，CMOS PA正成为GaAs PA的替代产品近年来，在终端设备设计持续小型化的趋势下，射频前端模组化的趋势日益明显。与此[详细]

2023-07AI芯片产能缺口最高达20%！HPC订单旺盛，台积电加急扩产

最新消息，AI芯片订单居高不下，让台积电的先进封装CoWoS产能持续供不应求，6月份就传出缺口高达20%，如今台积电加急扩产，也向设备厂商追单，要求供应商全力缩短交期支援。此前，有消息称，由于英伟达等HPC客户订单旺盛，导致台积电先进封装CoWoS产能吃紧，缺口高达一至二成，客户要求台积电扩充CoWoS产能。台[详细]

2023-07新唐 NUC980 微处理器平台支持 RT-Thread 与 Linux 双 OS

新唐科技提供NUC980系列微处理器的工业物联网开发平台，核心是300MHz的Arm9核心并内嵌最高128MB DDR，支持丰富的周边：包含2组Ethernet、2组USB 主机、4组CAN Bus、2组SD Card/SDIO和10组UART…等及硬件安全加密 Crypto，并可执行RT-Thread、FreeRTOS和Linux OS，同时满足Cortex-M4和M7等执行RTOS的简易快速开发[详细]

2023-06东芝推出N沟道功率MOSFET，有助提高电源效率

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用最新一代工艺制造[1]的TK055U60Z1，进一步扩充了N沟道功率MOSFET系列产品线。该器件采用超级结结构，耐压600V，适用于数据中心、开关电源和光伏发电机功率调节器。该新产品是东芝DTMOSVI系列中的首款600V产品，于今日开始批量出货。通过对栅极设计[详细]

2023-06智加科技完成2亿美元新一轮融资

日前，据报道，智加科技(Plus)已完成2亿美元新一轮融资，投资方包括领投国泰君安国际、CPE、万向汽车技术风险投资，老股东满帮集团等跟投。　　根据业内消息，智加科技本轮融资将用于加速自动驾驶重卡的全球商业化部署。具体来说，2021年，该公司计划实现新一代高等级自动驾驶重卡的量产。为[详细]

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