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最新消息，行业人士透露，三星电子、SK海力士等存储半导体企业正在推动HBM产线的扩张。两家公司计划在明年年底前投资超过2万亿韩元，使HBM生产线目前的产能增加一倍以上。据悉，SK海力士计划利用利川现有HBM生产基地后的清州工厂的闲置空间。三星电子正在考虑扩大位于忠清南道天安市的HBM核心生产线，该地区是设[详细]
SGM3836A是为需要VAVDD、VELVDD和VELvss的AMOLED显示器设计的。该装置集成了两个Boost变换器，VELvpp的VO1和VAypp的VO3，以及用于Velyss的倒置降压变换器VO2。所有三种转换器的输出电压都可以通过数字接口控制引脚(CTRL)按数字步骤编程。该SGM3836A可在一个绿色TOFN-3x3-16L封装。可在-40°℃至+85℃的环境温度[详细]
SGM3833A和SGM3833B是为要求VAvpp、VELpp和Vrlyss的AMOLED显示器供电而设计的。该装置集成了两个Boost变换器，VO1用于VELVDD和VO3用于VAVDo，以及一个用于Velvss的反向降压Boost转换器VO2。所有三种转换器的输出电压都可以通过数字接口控制引脚(CTRL)按数字步骤编程。SGM3833A和SGM3833B均可用绿色TQFN-3x3-16L[详细]
SGM3804产生积极和消极的精度requiled电压电源，与正在申请专利的单电感双输出转换器的控制方案。输出在2.4V至6.4V范围内以100mV步进可编程，通常用于LCD显示器和AMOLED显示器的驱动器，以及需要两个导轨的任何其他电路，每个导轨上有不同的负载。该设备配备了2C接口。随着在2.7V至5.5V的范围内输入，该设备进行[详细]
氮化镓（GaN）作为第三代半导体材料，和传统材料Si相比，具备禁带宽度大、击穿电压高、热导率大、开关频率高以及电子饱和速度快等优势，发展潜力巨大。氮化镓迎来爆发式增长，应用场景逐渐由消费电子向更多新兴市场拓展为此，自上世纪90年代起，一些全球领先的科研机构就开始着手氮化镓材料的研究，并致力于实现[详细]
半导体业绩两级分化，行业触底回升信号渐强进入七月份，A股半导体上市公司上半年业绩预告密集出炉。截至7月25日，在已披露业绩预告的28家公司中，大部分公司上半年净利润出现下滑，甚至多家企业出现亏损。具体来看，仅有5家公司预喜（即同比增长），占比不到20%。此外，还有17家预减、6家预亏。不过可喜的是，部[详细]
存储市场冰火两重天，HBM价格暴涨5倍实际上，自去年Q3以来，DRAM市场进入寒冬。今年以来时不时听到存储要触底反弹的声音，但目前市场仍未解冻。据TrendForce最新研究显示，由于DRAM供应商减产速度不及需求走弱速度，DRAM产品Q2均价季度跌幅扩大至13~18% 。在DRAM的整体颓势之中，HBM却在逆势增长。据悉，2023年[详细]
圣邦微sgmicro电源管理芯片是一种高性能、高可靠性的芯片，在许多领域都有着广泛的应用。颖特新下面将从以下几个方面详细介绍圣邦微sgmicro电源管理芯片的优势。1.高性能圣邦微电源管理芯片采用先进的技术和高精度的电流采样，具有高效率和高的输出功率。同时，芯片内置多种保护功能，能够确保芯片的安全和稳定[详细]
概述：SGM3803是一个恒定的频率，电流模式，同步升压开关稳压器与200mA负电荷泵逆变器产生一个不受管制的输入电压范围为1.4V至5.5V的负输出电压。该设备通常用于从电池产生+5V和-5V。高开关频率使电感和电容的尺寸最小化。该器件只需要三个外部电容器的一个完整的DC/DC电荷泵逆变器。集成功率MOSFET和升压DC/DC[详细]
功率放大器（Power Amplifier, 简称PA）是射频前端信号发射的核心器件，其性能的高低直接影响终端设备的通信质量和实际体验，在射频前端芯片中处于较为核心的地位。在对性能不十分苛求的市场领域，CMOS PA正成为GaAs PA的替代产品近年来，在终端设备设计持续小型化的趋势下，射频前端模组化的趋势日益明显。与此[详细]
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