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2023年，对于新能源汽车市场而言，依然延续了2022年以来的增长趋势。根据Clean Technica的数据，2023年H1全球汽车销量达到4243万台，同比增长11%。其中新能源汽车销量达583.2万辆，同比大幅增长40.2%，市场渗透率达到15%。据其预测，2023年整年全球新能源汽车销量将达到1380万辆，同比增幅在30%左右。新能源汽车[详细]
一些常见的功率半导体包括： 1.功率二极管（Power Diode）：用于整流和保护电路。 2. 功率MOSFET（Power MOSFET）：用于开关和放大电路。 3. 功率IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）：结合了MOSFET和双极型晶体管的特点，用于高压和高电流应用。 &n[详细]
作为第三代半导体材料的代表，SiC具有大禁带宽度、高击穿电场强度、高饱和漂移速度等优良特性，目前已经成为半导体领域最火热、最具前景的材料之一。供给侧：受衬底良率及产能影响，在2025年之前供给整体偏紧从产业链来看，碳化硅行业主要可分为衬底、外延和器件三个重点环节。其中，衬底在产业链中价值量占比最[详细]
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出业界首款[1]2200V双碳化硅（SiC）MOSFET模块---“MG250YD2YMS3”。新模块采用东芝第3代SiC MOSFET芯片，其漏极电流（DC）额定值为250A，适用于光伏发电系统和储能系统等使用DC 1500V的应用。该产品于今日开始支持批量出货。 &nbs[详细]
作为第三代半导体材料的代表，SiC具有大禁带宽度、高击穿电场强度、高饱和漂移速度等优良特性，目前已经成为半导体领域最火热、最具前景的材料之一。供给侧：受衬底良率及产能影响，在2025年之前供给整体偏紧从产业链来看，碳化硅行业主要可分为衬底、外延和器件三个重点环节。其中，衬底在产业链中价值量占比最[详细]
功率模块是一种集成了功率半导体器件和驱动电路的模块化电子元件，广泛应用于电力电子领域。在功率模块中，常见的器件包括IBGT单管、IGBT模块、IPM模块和SiC模块。下面将对它们的区别进行详细介绍。1.IBGT单管（Insulated Gate Bipolar Transistor）： IBGT单管是一种功率半导体器件，结合了MOSFET和双极晶体管[详细]
氮化镓（GaN）作为第三代半导体材料，和传统材料Si相比，具备禁带宽度大、击穿电压高、热导率大、开关频率高以及电子饱和速度快等优势，发展潜力巨大。氮化镓迎来爆发式增长，应用场景逐渐由消费电子向更多新兴市场拓展为此，自上世纪90年代起，一些全球领先的科研机构就开始着手氮化镓材料的研究，并致力于实现[详细]
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出最新一代[1]用于工业设备的碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管（SBDs）——“TRSxxx65H系列”。首批12款产品（均为650V）中有7款产品采用TO-220-2L封装，其余5款采用DFN8×8封装，于今日开始支持批量出货。关于东芝电子元件及存储装置株式会社东芝电子元件[详细]
日前，日本半导体大厂罗姆宣布，与Solar Frontier达成基本协议，收购该公司原国富工厂（日本）资产。收购计划将在2023年10月进行，目的在于扩大SiC功率器件生产，此后国富工厂将成为罗姆主要生产基地之一。根据罗姆披露，收购资产总计占地面积达40万平方米，包括工厂和办公区域，将主要用于碳化硅产能扩张。不过[详细]
SIC模块和IGBT模块是两种不同类型的功率电子器件，它们在材料和性能特征上存在显著差异，适用于不同的应用领域，下面颖特新详细介绍一下这两者之间的差别。SIC模块与IGBT模块的区别：1.材料差异：sic是宽禁带材料，而igbt是基于硅的材料。sic具有更高的击穿电场强度、更高的热导率、更高的工作温度和更小的芯片[详细]
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