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1200V 30mohm Silicon Carbide Power MOSFET AKCK2M030WAMH-A特征：高速切换性能•低电容•具有低反向的快速本征二极管恢复•无卤素，符合RoHS（注1）•具备合格的AEC-Q101和PPAP应用程序：•电动汽车电机驱动•DC/DC转换器•开关模式电源•太阳能逆变器•OBCAKC[详细]
瑶芯微650V 1.4欧姆超级结功率MOSFET说明：这种SJ设备为客户应用提供了良好的FOM性能和更好的EMI。特点：•低FOM RDS（ON）×QG•更好的EMI•100%UIS测试•符合RoHS（注1）•无卤素（注1）应用程序：•高频开关•快速充电和适配器关键性能参数：aks65n14km数据表：最大额定[详细]
瑶芯微600V 30欧姆超级结功率MOSFET说明：这种SJ设备为客户应用提供了良好的FOM性能和更好的EMI特点： 低FOM RDS（ON）x QG 更好的EMI 100%UIS测试 符合RoHS（注1） 无卤素（注1）应用程序： 开关电源（SMPS） 不间断电源（UPS） 功率因数校正[详细]
大图作为全球微控制器领先企业，新唐提供基于 Arm® Cortex®-M0 内核的新一代 NuMicro® 32 位微控制器。新唐 NuMicro® Cortex®-M0 家族微控制器采用 ARM 公司低功耗、具精简指令代码特性的 Cortex®-M0 处理器为核心，适合广泛的微控制器应用领域，并提供 2.1V 至 5.5V 宽工作电压，- 40[详细]
随着集成电路工艺技术的不断进步，芯片的设计难度及其复杂度也在不断提升。为有效降低芯片开发成本、缩短开发周期、提升产品竞争力，以IP/EDA为基础的芯片设计支撑产业迎来重大的发展机遇。栏目记者采访了国内IP/EDA的新锐企业隼瞻科技的CEO曾轶，探讨在中美贸易摩擦的大背景下，IP/EDA企业穿越周期业绩实现快速[详细]
日前，在《金融时报》最近的一篇文章中，Nvidia 报告称，预计 2023 年将在全球范围内出货 550,000 个最新的 H100 GPU。对 GPU 的需求显然来自生成式 AI 热潮，但 HPC 市场也在争夺这些加速器。大部分 GPU 将流向美国科技公司，但英国《金融时报》指出，沙特阿拉伯已经购买了至少 3,000 个 Nvidia H100 GPU，阿联[详细]
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出业界首款[1]2200V双碳化硅（SiC）MOSFET模块---“MG250YD2YMS3”。新模块采用东芝第3代SiC MOSFET芯片，其漏极电流（DC）额定值为250A，适用于光伏发电系统和储能系统等使用DC 1500V的应用。该产品于今日开始支持批量出货。 &nbs[详细]
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出两款600V小型智能功率器件（IPD）---“TPD4163F”和“TPD4164F”，可用于空调、空气净化器和泵等直流无刷电机驱动应用。“TPD4163F”和“TPD4164F”的输出电流（DC）额定值分别为1A和2A，于今日开始支持批量出货。 [详细]
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出两款采用东芝新型S-TOGLTM（小型晶体管轮廓鸥翼式引脚）封装与U-MOS IX-H工艺芯片的车载40V N沟道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。两款产品于今日开始支持批量出货。自动驾驶系统等高安全级别的应用可通过冗余设计确保可靠性，因此与标[详细]
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出业内先进的标准整流器与瞬变电压抑制器（TVS）二合一器件---R3T2FPHM3，为汽车应用提供新型表面贴装解决方案。Vishay General Semiconductor R3T2FPHM3采用氧化物平面芯片结设计和共阴极电路配置，将3 A，600 V标准整流器和200 W T[详细]
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