你好！欢迎来到深圳市颖特新科技有限公司！
据韩国《中央日报》报道，因贸易争端在日本政府限制向韩国出口氟化氢、光刻胶、含氟聚酰亚胺等尖端半导体材料后，SK海力士设在中国无锡的半导体工厂已经完全使用中国生产的氟化氢取代了日本产品。报道还指出，三星电子和SK海力士负责材料开发的工程师正在对韩国生产的氟化氢试验品进行成分分析，三星电子已经开[详细]
TC58BVG0S3HBAI4是一个单一的3.3V1Gbit(1，107，296，256位)NAND电可擦和可编程只读存储器(NAND E2PROM)，组织为(2048 64)字节×64页×1024块。该设备具有一个2112字节的静态寄存器，它允许在寄存器和存储器单元数组之间以2112字节递增传输程序和读取数据。擦除操作是在单个块单元中实现的(128 K字节、4K字节：[详细]
TC58BVG0S3HBAI6 是一个单一的 3.3V 1Gbit(1,107 ，296 ，256 位) NAND 电气可擦除和可编程只读存储器 (NANDE2PROM) 组织为 (2048 ，64)字节× 64 页× 1024 块。该装置具有2112字节静态寄存器，允许在寄存器和存储器单元阵列之间以2112字节递增传输程序和读取数据。擦除操作在单个块单元(128KB+4KB：211[详细]
TC58BVG0S3HTA00是一个单一的3.3V 1Gbit(1，107，296，256位)NAND电可擦和可编程只读存储器(NAND E2PROM)，组织为(2048 64)字节×64页×1024块。该装置具有2112字节静态寄存器，允许在寄存器和存储器单元阵列之间以2112字节递增传输程序和读取数据。擦除操作在单个块单元(128KB+4KB：2112字节/64页)中实现。TC5[详细]
TC58BVG0S3HTAI0是一个单一的3.3V 1Gbit(1，107，296，256位)NAND电可擦和可编程只读存储器(NAND E2PROM)，组织为(2048 64)字节×64页×1024块。该装置具有2112字节静态寄存器，允许在寄存器和存储器单元阵列之间以2112字节递增传输程序和读取数据。擦除操作在单个块单元(128KB+4KB：2112字节/64页)中实现。TC5[详细]
TC58BVG1S3HBA4是一个3.3V2Gbit(2,214,592,512位)NAND电可擦可编程只读存储器(NANDE2PROM)，其组织为(2048+64)字节或64页或2048块。该设备具有2112字节的静态寄存器,其允许程序和读取数据以2112字节增量在寄存器和存储器单元阵列之间传送,擦除操作在单个块单元(128KB+4KB：2112字节/64页)中实现。TC58BVG1S3HBa[详细]
TC58 BVG1S 3HBAI6 是单个 3.3V 2Gbit（ 2,214 ，592 ，512 位）NAND 电气可擦除和可编程只读存储器 (NANDE2PROM) ，组织为（ 2048 + 64 ）字节× 64 页× 2048 块。该设备具有2112字节的静态寄存器,其允许程序和读取数据以2112字节增量在寄存器和存储器单元阵列之间传送,擦除操作在单个块单元(128KB+4KB：2112[详细]
TC58BVG1S3HTA00是一个3.3V2Gbit(2,214,592,512位)NAND电可擦可编程只读存储器(NANDE2PROM)，组织为(2048+64)字节或64页或2048块。该装置具有2112字节静态寄存器，允许在寄存器和存储器单元阵列之间以2112字节递增传输程序和读取数据。擦除操作在单个块单元(128KB+4KB：2112字节/64页)中实现。TC58BVG1S3HTA00是[详细]
TC58BVG1S3HTAI0是一个单独的3.3V2Gbit(2，214，592，512位)NAND电可擦和可编程只读存储器(NAND E2PROM)，组织为(2048 64)字节×64页×2048块。该设备具有一个2112字节的静态寄存器，它允许在寄存器和存储器单元数组之间以2112字节递增传输程序和读取数据。擦除操作是在单个块单元中实现的(128 K字节、4K字节：[详细]
TC58BVG2S0HBa4是一个3.3V4Gbit(4,429,185,024位)NAND电可擦可编程只读存储器(NANDE2PROM)，其组织为(4096+128)字节或64页或2048块。该装置具有4224字节静态寄存器，允许在寄存器和存储器单元数组之间以4224字节递增传输程序和读取数据。擦除操作是在单个块单元中实现的(256千字节，8千字节：4224字节×64页)。[详细]
TC58BVG2S0HBAI6是一个3.3V4Gbit(4，429，185，024位)NAND电可擦和可编程只读存储器(NAND E2PROM)，组织为(4096 128)字节×64页×2048块。该装置具有4224字节静态寄存器，允许在寄存器和存储器单元数组之间以4224字节递增传输程序和读取数据。TC58BVG2S0HBai6是一种串行型存储设备，它使用I/O引脚进行地址和数据[详细]
TC58BVG2S0HTA00是一个单独的3.3V4Gbit(4，429，185，024位)NAND电可擦和可编程只读存储器(NAND E2PROM)，组织为(4096 128)字节×64页×2048块。该装置具有4224字节静态寄存器，允许在寄存器和存储器单元数组之间以4224字节递增传输程序和读取数据。擦除操作是在单个块单元中实现的(256千字节，8千字节：4224字[详细]
TC58BVG2S0HTAI 0是一个3.3V4Gbit(4，429，185，024位)NAND电可擦和可编程只读存储器(NAND E2PROM)，组织为(4096 128)字节×64页×2048块。该装置具有4224字节静态寄存器，允许在寄存器和存储器单元数组之间以4224字节递增传输程序和读取数据。该装置具有4224字节静态寄存器，允许在寄存器和存储器单元数组之间[详细]
TC58 BYG0S 3HBAI4 是一个单一的 1.8V 1Gbit(1,107 ，296 ，256 位) NAND 电气可擦除和可编程只读存储器 (NANDE2PROM) ，组织为 (2048 ，64)字节× 64 页× 1024 块。该装置具有2112字节静态寄存器，允许在寄存器和存储器单元阵列之间以2112字节递增传输程序和读取数据。擦除操作在单个块单元(128KB+4KB：[详细]
TC58BYG0S3HBAI6是一个1.8V 1 Gbit(1，107，296，256位)NAND电可擦和可编程只读存储器(NAND E2PROM)，组织为(2048 64)字节×64页×1024块。该装置具有2112字节静态寄存器，允许在寄存器和存储器单元阵列之间以2112字节递增传输程序和读取数据。擦除操作在单个块单元(128KB+4KB：2112字节/64页)中实现。TC58BYG0[详细]
TC58BYG1S3HBAI4是一个1.8V2Gbit(2,214,592,512位)NAND电可擦可编程只读存储器(NANDE2PROM)，其组织为(2048+64)字节或64页或2048块。该装置具有2112字节静态寄存器，允许在寄存器和存储器单元阵列之间以2112字节递增传输程序和读取数据。擦除操作是在单个块单元中实现的(128 K字节、4K字节：2112字节×64页)。T[详细]
TC58BYG1S3HBAI6是一个1.8V2Gbit(2,214,592,512位)NAND电可擦可编程只读存储器(NANDE2PROM)，其组织为(2048+64)字节或64页或2048块。该装置具有2112字节静态寄存器，允许在寄存器和存储器单元阵列之间以2112字节递增传输程序和读取数据。擦除操作在单个块单元(128KB+4KB：2112字节/64页)中实现。TC58BYG1S3HBAI[详细]
TC58BYG2S0HBAI4是一个1.8V4Gbit(4,429,185,024位)NAND电可擦可编程只读存储器(NANDE2PROM)，其组织为(4096+128)字节或64页或2048块。TC58BYG2S0HBAI4 是一个串行类型的存储器设备，它利用 I/O引脚进行地址和数据输入/ 输出以及命令输入。自动执行擦除和编程操作,使得该设备最适合于诸如固态文件存储、语音记录[详细]
TC58BYG2S0HBAI6是一个1.8V 4Gbit(4，429，185，024位)NAND电可擦和可编程只读存储器(NAND E2PROM)，组织为(4096 128)字节×64页×2048块。该装置具有4224字节静态寄存器，允许在寄存器和存储器单元数组之间以4224字节递增传输程序和读取数据。擦除操作是在单个块单元中实现的(256千字节，8千字节：4224字节×6[详细]
TC58CVG0S3HxAIx是支持SPI接口的嵌入式应用程序的串行接口NANDFlash。组织为(2048 64)字节×64页×1024块。该设备具有2112字节数据缓冲器，其允许程序和读取数据以2112字节增量在缓冲器和存储器单元阵列之间传送。擦除操作是在一个单一块单元中实现的(128 K字节、4字节：2112字节×64页)。该装置具有连续读页操[详细]
扫码关注我们
0755-82591179
传真：0755-82591176
邮箱：vicky@yingtexin.net
地址：深圳市龙华区民治街道民治大道973万众润丰创业园A栋2楼A08
Copyright © 2014-2025 颖特新科技有限公司 All Rights Reserved. 粤ICP备14043402号-4
