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根据外媒的报道，东芝内存公司（Toshiba Memory Corporation）已开始对业界首款UFS 3.0闪存嵌入式设备进行采样。 新产品系列采用了该公司最先进的96层BiCS FLASH 3D闪存，有三种容量可供选择：128GB，256GB和512GB。据介绍，东芝宣布推出业界首款采用超快速通用闪存（UFS）3.0版技术的嵌入式闪存芯片。新[详细]
电磁兼容性（EMC）是电子设备存在于电磁环境中而不会对该环境中的其他电子设备造成干扰或干扰的能力。EMC如何测试及整改是大部分电子设备都需要考虑的问题，下面由村田的代理颖特新科技给您进行简单的讲解。EMC通常分为两类：1.辐射 - 电子设备发出的电磁干扰可能会对同一环境中的其他电子设备造成干扰/故障。也[详细]
美光半导体周四宣布，该公司一开始量产基于第三代 10nm 制程（又称 1z nm）制程的存储芯片，首批到来的便是 16Gb DDR4 / LPDDR4 DRAM 器件。随着时间的推移，该公司还将进一步扩大其产品组合。与第二代 10nm 工艺相比， 新工艺使得美光能够提升 DRAM 芯片密度，在增强性能的同时、降低产品的功耗。值得一提的是[详细]
业界领先的芯片制造商美光科技(MU)最近开始大规模生产16Gb的DDR4产品，使用1z纳米(纳米)工艺技术。因此，美光成为第一家使用最小DRAM节点来扩展DRAM功能的内存芯片公司。使用1z nm节点生产16Gb DDR4产品将消耗更少的电能。值得注意的是，与之前的基于8Gb DDR4的产品相比，DDR4产品将减少40%的功耗。较小的1z nm[详细]
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