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2019年1月25日，加拿大广播公司CBC的报道，加拿大政府准备给诺基亚4000万加元（约2亿元人民币），这笔钱用于5G的技术研究。曾经赫赫有名的全球通信大国，却落得求助芬兰的下场，这是不是冥冥之中的报应呢？ 加拿大曾经的科技图腾北电网络，一部分成为爱立信的赚钱机器，一部分成为苹果微软的专利收益红利；[详细]
相对于DDR3, DDR4首先在外表上就有一些变化，比如DDR4将内存下部设计为中间稍微突出，边缘变矮的形状，在中央的高点和两端的低点以平滑曲线过渡，这样的设计可以保证金手指和内存插槽有足够的接触面从而确保内存稳定，另外，DDR4内存的金手指设计也有明显变化，金手指中间的防呆缺口也比DDR3更加靠近中央。当然[详细]
DDR=Double Data Rate，即双倍数据速率。DDRSDRAM=双倍速率同步动态随机存储器，人们习惯称为DDR。其中，SDRAM 是Synchronous Dynamic Random Access Memory的缩写，即同步动态随机存取存储器。而DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展[详细]
SDR：Single Data Rate, 单倍速率DDR：Dual Data Rate， 双倍速率QDR：Quad Data Rate， 四倍速率DRAM：Dynamic RAM， 动态随机存储器， 每隔一段时间就要刷新一次数据才能够保存数据SRAM：Static RAM， 静态随机存储器， 静态随机存储器，不需要刷新电路，数据不会丢失SDRAM: Synchronous DRAM， 同步状态随机[详细]
DRAM内部分割成多个L-Bank，每个L-Bank形状相同，彼此独立，可以独立工作。早期的DRAM芯片内部分为2个L-Bank，后来是4个，DDR3内存芯片为8个。在进行寻址时需要先确定是哪个L-Bank，然后再在这个选定的L-Bank中选择相应的行与列进行寻址。对内存的访问，一次只能是一个L-Bank，而每次与CPU交换的数据就是 L-Ban[详细]
1.NAND颗粒：浮栅极物理结构单元，通过电压驱动电子，由电压值来判定bit位0或1。分为SLC、MLC、TLC三种flash颗粒，擦除次数分别为1万-10万、1千-1万、几百-1千次。寿命是NAND Flash的最大问题，其次是由于特殊的结构，擦除时延较大，在大量写的时候由于垃圾回收机制导致较大时延，但由于HDD的存在，NAND Flash在[详细]
NAND FLASH的结构原理图见图1，可见每个Bit Line下的基本存储单元是串联的，NAND读取数据的单位是Page，当需要读取某个Page时，FLASH 控制器就不在这个Page的Word Line施加电压，而对其他所有Page的Word Line施加电压（电压值不能改变FloatingGate中电荷数量），让这些Page的所有基本存储单元的D和S导通，而我们[详细]
NOR FLASH的结构原理图图1，可见每个Bit Line下的基本存储单元是并联的，当某个Word Line被选中后，就可以实现对该Word的读取，也就是可以实现位读取（即Random Ａccess），且具有较高的读取速率，图2是一个3*8bit的NOR FLASH的原理结构图，图3是沿Bit Line切面的剖面图，展示了NOR FLASH的硅切面示意图，这种并[详细]
NOR(或非)和NAND(与非)是市场上两种主要的Flash闪存，sNORFLASH 和CPU之间不需要其他电路控制，NOR flash可以芯片内执行程序，而NAND FLASH 和CPU 的接口必须由相应的控制电路进行转换， NAND FLASH 以块的方式进行访问，不支持芯片内执行。 NAND FLASH 比NOR FLASH 容量大，价格低， NAND flash中每个块的[详细]
Nand Flash因为其电气特性，读和写是按页来读取的，而擦除是按照块来擦除的，了解这些，我们就比较容易去理解Nand Flash的擦写次数与使用寿命。通常，一个对NAND的写操作包括如下步骤:1) 从NAND中读取一个页面，内容放入NANDflash的寄存器中。2) 更新寄存器中的内容3) 找一个空白页4)[详细]
相较于EEPROM而言，SPI Flash的存储空间简直就是打开了一个新世界。以W25Q16为例，16Mb也就是2MB的空间，是AT24C08芯片的1KB空间的2048倍，价格也没有相差很多。同时使用SPI总线可以实现更高的读写速度，W25Qxx的SPI总线可以达到80MHz，这是IIC总线望尘莫及的，而且我比较喜欢用的STM32单片机的IIC总线总是让人[详细]
什么是固态硬盘固态驱动器（Solid State Disk或Solid State Drive，简称SSD），俗称固态硬盘，固态硬盘是用固态电子存储芯片阵列而制成的硬盘，是由FLASH闪存作为基础存储介质的存储设备，SSD由控制单元和存储单元（FLASH芯片、DRAM芯片）组成。被广泛应用于军事、车载、工控、视频监控、网络监控、网络终端、电[详细]
颖特新科技讯：2019年9月2日，紫光集团旗下长江存储科技有限责任公司（以下简称“长江存储”）在IC China 2019前夕宣布，公司已开始量产基于Xtacking®架构的64层256 Gb TLC 3D NAND闪存，以满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求。作为中国首款64层3DNAND闪存，该产品将亮相IC China 2019紫光集团展台[详细]
FLASH闪存目前有两种类型分别是NOR和NAND，1988年inter首先开发出NOR flash技术，紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。现在就来讲讲二者的主要区别吧。一.存储区别NOR的特点是芯片内执行，这样应用程序可以接在flash闪存内运[详细]
RAS： Row Address Strobe，行地址选通脉冲；CAS： Column Address Strobe，列地址选通脉冲；tRCD： RAS to CAS Delay，RAS至CAS延迟；CL： CAS Latency，CAS潜伏期（又称读取潜伏期），从CAS与读取命令发出到第一笔数据输[详细]
三星半导体的eUFS有哪些呢？以下是颖特新工程师为客户整理的SamSung 常用eUFS 型号列表，可方便客户选型。Part NumberVersionDensityVoltagePackage SizeKLUBG4G1ZF-B0CPUFS 2.132GB1.8 / 3.3 V11.5 x 13 x 1.2 mmKLUBG4G1ZF-B0CQUFS 2.132GB1.8 / 3.3 V11.5 x 13 x 1.2 mmKLUCG2K1EA-B0C1UFS 2.164GB1.8 / 3.3[详细]
单片机的分为数据存储器和程序存储器。单片机内部的存储器称为片内存储器，片外扩展的存储器成为片外存储器。比如8031内部有数据存储器而没有程序存储器，所以它一般要外接一块程序存储芯片，内部的数据存储器叫做9031的片内存储器，外部扩展的存储芯片叫做片外存储器。早期，片内存储器，还是片外存储器，确实[详细]
关于程序的执行，以前想的不多，没有意识到一个程序在运行时，从哪里读指令，数据又写在哪里。最近在看CSAPP时这个念头经常在脑袋中晃荡。从单片机上知道，在上电的那一刻，MCU的程序指针PC会被初始化为上电复位时的地址，从哪个地址处读取将要执行的指令，由此程序在MCU上开始执行(当然在调用程序的 main之前[详细]
在硬件工程师和普通用户看来，内存就是插在或固化在主板上的内存条，它们有一定的容量——比如64 MB。但在应用程序员眼中，并不过度关心插在主板上的内存容量，而是他们可以使用的内存空间——他们可以开发一个需要占用1 GB内存的程序，并让其在OS平台上运行，哪怕这台运行主机上只[详细]
预备知识—程序的内存分配一个由C/C++编译的程序占用的内存分为以下几个部分栈区(stack)— 由编译器自动分配释放，存放函数的参数值，局部变量的值等。其操作方式类似于数据结构中的栈。堆区(heap) — 一般由程序员分配释放，若程序员不释放，程序结束时可能由OS回收 。注意它与数据结[详细]
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