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现在手机集成度越来越高，今天颖特新科技给大家介绍下集成度更高的两种芯片：国产的eMCP与国产的uMCP，这两者都与之前介绍的eMMC、UFS和LPDDR有一定的关系。国产的eMCP是结合eMMC和LPDDR封装而成的智慧型手机记忆体标准，与传统的MCP相较之下，eMCP因为有内建的NAND Flash控制晶片，可以减少主晶片运算的负担，[详细]
摘要： eMCP(eMMC+LPDDR3)8GB+8Gb，新料目前报价约在$6.3美金上下浮动，同等容量回收的eMCP8GB+8Gb，行业内报价在18人民币左右，这就决定了eMCP在芯片回收领域大有可为。一颗集成电路芯片的生命历程就是点沙成金的过程：芯片公司设计芯片---芯片代工厂生产芯片---封测厂封装测试---整机商采购芯片用于整机生产。[详细]
12月22日，国民技术发布公告称：2018年初对自己收购的斯诺实业承诺，2018年度实现净利润数额不低于人民币1.8亿元。如今恐怕无法完成业绩承诺，且差异较大，国民技术将承担补偿。一年前买了前海旗隆5亿元理财产品，遭遇人去楼空的黑天鹅事件；随后投资“半导体生态园”，但是被重要投资人坑了一把；最后又玩跨界[详细]
1999年，中国芯“909”工程启动，为了配套华虹集团的8寸线制造，国家选择了8家芯片设计领域的种子选手，最牛逼的特长班尖子生，进行重点培养。 光阴荏苒，岁月如梭，快20年过去了，这些种子选手们长成参天大树了吗？ 历史会铭记这8家企业的试点和贡献，它们分别是：深圳市国微电子有限公司、华为集成[详细]
嫦娥四号成功登陆月背，引发了国内外无数目光的注视，此次“登月”的过程中，地面上也有数十双天线和雷达组成的“眼睛”在时刻关注着“嫦娥”，它们都是由中国电科研制。此外，中国电科还为“嫦娥”配备了众多关键核心器件，为其精确探测保驾护航，如深空测控系统低温接收机，混合步进电机，宇航用电缆，压力传[详细]
美国国家长期安全和经济繁荣至关重要的22项技术中有6项与传感器信息处理技术直接相关。美国空军15项有助于提高21世纪空军能力关键技术，传感器技术名列第二。美国的芯片技术，一般都是先用于军事，然后再普及到民用；所以，在众多的上市公司里，藏着无数的隐形冠军！比如，下面这家芯片和系统公司就成功的让波音[详细]
2018年5月，在历经周折后，贝恩资本联合海力士收购东芝存储芯片部门，现代集团+SK旗下的海力士一跃成为暨三星之后芯片行业最耀眼的明星企业。 在禁运风险之下，中国整机企业辛辛苦苦建立的以经济利益为核心的供应链，可能一文不值。也许，他们不知道的是，当下芯片领域最牛逼的玩家，有些居然还是裁判员。[详细]
据《电子时报》2月15日报道，全球第三大代工厂格罗方德可能在去年裁员之后面临被出售的命运。谁是格罗方德？格罗方德（格芯）的前身是AMD的foundry部门，由于AMD前些年被Intel压的喘不过气来，自然也带不动这么庞大，又不赚钱的部门，于是一甩手把它卖给中东的阿布扎比财团。在石油资本的支持下，2009年成立的格[详细]
2019年1月，知名咨询机构Gartner发布2018年全球半导体营收和25强榜单，2018年全年，全球半导体产业总营收达4767亿美元，同比增长13.4%。 三星继续扩大对英特尔的领先优势，差距从11亿美元到了100亿美元，三星狂飙势不可挡。而SK海力士则以38.2%的成长率力压群雄荣膺增长冠军！ 值得一提的是，除了联发[详细]
出生于1947年的冷战元年，成名于美日贸易战，再度受命于中美贸易谈判，试图通过芯片和软件两大致命杀器，从而成功扮演引领和重塑两大经济体关系的关键角色。 具有讽刺意味的是，莱特希泽曾在1991年代表中国机电产品进出口商会，与美国政府打过贸易官司，这种大心脏，不就是传说中的翻手为云覆手为雨？&nbs[详细]
据上海证券报报道，中国移动2019年5G一期无线工程设计及可行性研究服务集采工作已经启动。这是5G牌照发放后，我国的第一轮5G集中采购计划。中国移动人士表示，2019年5G一期无线工程设计及可行性研究服务预估工程费1（设计费计价基数）为192.578亿元（不含税）；预估工程费2（可研计价基数）为192.578亿元（不含[详细]
2019年1月25日，加拿大广播公司CBC的报道，加拿大政府准备给诺基亚4000万加元（约2亿元人民币），这笔钱用于5G的技术研究。曾经赫赫有名的全球通信大国，却落得求助芬兰的下场，这是不是冥冥之中的报应呢？ 加拿大曾经的科技图腾北电网络，一部分成为爱立信的赚钱机器，一部分成为苹果微软的专利收益红利；[详细]
相对于DDR3, DDR4首先在外表上就有一些变化，比如DDR4将内存下部设计为中间稍微突出，边缘变矮的形状，在中央的高点和两端的低点以平滑曲线过渡，这样的设计可以保证金手指和内存插槽有足够的接触面从而确保内存稳定，另外，DDR4内存的金手指设计也有明显变化，金手指中间的防呆缺口也比DDR3更加靠近中央。当然[详细]
DDR=Double Data Rate，即双倍数据速率。DDRSDRAM=双倍速率同步动态随机存储器，人们习惯称为DDR。其中，SDRAM 是Synchronous Dynamic Random Access Memory的缩写，即同步动态随机存取存储器。而DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展[详细]
SDR：Single Data Rate, 单倍速率DDR：Dual Data Rate， 双倍速率QDR：Quad Data Rate， 四倍速率DRAM：Dynamic RAM， 动态随机存储器， 每隔一段时间就要刷新一次数据才能够保存数据SRAM：Static RAM， 静态随机存储器， 静态随机存储器，不需要刷新电路，数据不会丢失SDRAM: Synchronous DRAM， 同步状态随机[详细]
DRAM内部分割成多个L-Bank，每个L-Bank形状相同，彼此独立，可以独立工作。早期的DRAM芯片内部分为2个L-Bank，后来是4个，DDR3内存芯片为8个。在进行寻址时需要先确定是哪个L-Bank，然后再在这个选定的L-Bank中选择相应的行与列进行寻址。对内存的访问，一次只能是一个L-Bank，而每次与CPU交换的数据就是 L-Ban[详细]
1.NAND颗粒：浮栅极物理结构单元，通过电压驱动电子，由电压值来判定bit位0或1。分为SLC、MLC、TLC三种flash颗粒，擦除次数分别为1万-10万、1千-1万、几百-1千次。寿命是NAND Flash的最大问题，其次是由于特殊的结构，擦除时延较大，在大量写的时候由于垃圾回收机制导致较大时延，但由于HDD的存在，NAND Flash在[详细]
NAND FLASH的结构原理图见图1，可见每个Bit Line下的基本存储单元是串联的，NAND读取数据的单位是Page，当需要读取某个Page时，FLASH 控制器就不在这个Page的Word Line施加电压，而对其他所有Page的Word Line施加电压（电压值不能改变FloatingGate中电荷数量），让这些Page的所有基本存储单元的D和S导通，而我们[详细]
NOR FLASH的结构原理图图1，可见每个Bit Line下的基本存储单元是并联的，当某个Word Line被选中后，就可以实现对该Word的读取，也就是可以实现位读取（即Random Ａccess），且具有较高的读取速率，图2是一个3*8bit的NOR FLASH的原理结构图，图3是沿Bit Line切面的剖面图，展示了NOR FLASH的硅切面示意图，这种并[详细]
NOR(或非)和NAND(与非)是市场上两种主要的Flash闪存，sNORFLASH 和CPU之间不需要其他电路控制，NOR flash可以芯片内执行程序，而NAND FLASH 和CPU 的接口必须由相应的控制电路进行转换， NAND FLASH 以块的方式进行访问，不支持芯片内执行。 NAND FLASH 比NOR FLASH 容量大，价格低， NAND flash中每个块的[详细]
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