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DRAM内部分割成多个L-Bank，每个L-Bank形状相同，彼此独立，可以独立工作。早期的DRAM芯片内部分为2个L-Bank，后来是4个，DDR3内存芯片为8个。在进行寻址时需要先确定是哪个L-Bank，然后再在这个选定的L-Bank中选择相应的行与列进行寻址。对内存的访问，一次只能是一个L-Bank，而每次与CPU交换的数据就是 L-Ban[详细]
1.NAND颗粒：浮栅极物理结构单元，通过电压驱动电子，由电压值来判定bit位0或1。分为SLC、MLC、TLC三种flash颗粒，擦除次数分别为1万-10万、1千-1万、几百-1千次。寿命是NAND Flash的最大问题，其次是由于特殊的结构，擦除时延较大，在大量写的时候由于垃圾回收机制导致较大时延，但由于HDD的存在，NAND Flash在[详细]
NAND FLASH的结构原理图见图1，可见每个Bit Line下的基本存储单元是串联的，NAND读取数据的单位是Page，当需要读取某个Page时，FLASH 控制器就不在这个Page的Word Line施加电压，而对其他所有Page的Word Line施加电压（电压值不能改变FloatingGate中电荷数量），让这些Page的所有基本存储单元的D和S导通，而我们[详细]
NOR FLASH的结构原理图图1，可见每个Bit Line下的基本存储单元是并联的，当某个Word Line被选中后，就可以实现对该Word的读取，也就是可以实现位读取（即Random Ａccess），且具有较高的读取速率，图2是一个3*8bit的NOR FLASH的原理结构图，图3是沿Bit Line切面的剖面图，展示了NOR FLASH的硅切面示意图，这种并[详细]
NOR(或非)和NAND(与非)是市场上两种主要的Flash闪存，sNORFLASH 和CPU之间不需要其他电路控制，NOR flash可以芯片内执行程序，而NAND FLASH 和CPU 的接口必须由相应的控制电路进行转换， NAND FLASH 以块的方式进行访问，不支持芯片内执行。 NAND FLASH 比NOR FLASH 容量大，价格低， NAND flash中每个块的[详细]
Nand Flash因为其电气特性，读和写是按页来读取的，而擦除是按照块来擦除的，了解这些，我们就比较容易去理解Nand Flash的擦写次数与使用寿命。通常，一个对NAND的写操作包括如下步骤:1) 从NAND中读取一个页面，内容放入NANDflash的寄存器中。2) 更新寄存器中的内容3) 找一个空白页4)[详细]
相较于EEPROM而言，SPI Flash的存储空间简直就是打开了一个新世界。以W25Q16为例，16Mb也就是2MB的空间，是AT24C08芯片的1KB空间的2048倍，价格也没有相差很多。同时使用SPI总线可以实现更高的读写速度，W25Qxx的SPI总线可以达到80MHz，这是IIC总线望尘莫及的，而且我比较喜欢用的STM32单片机的IIC总线总是让人[详细]
什么是固态硬盘固态驱动器（Solid State Disk或Solid State Drive，简称SSD），俗称固态硬盘，固态硬盘是用固态电子存储芯片阵列而制成的硬盘，是由FLASH闪存作为基础存储介质的存储设备，SSD由控制单元和存储单元（FLASH芯片、DRAM芯片）组成。被广泛应用于军事、车载、工控、视频监控、网络监控、网络终端、电[详细]
颖特新科技讯：2019年9月2日，紫光集团旗下长江存储科技有限责任公司（以下简称“长江存储”）在IC China 2019前夕宣布，公司已开始量产基于Xtacking®架构的64层256 Gb TLC 3D NAND闪存，以满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求。作为中国首款64层3DNAND闪存，该产品将亮相IC China 2019紫光集团展台[详细]
FLASH闪存目前有两种类型分别是NOR和NAND，1988年inter首先开发出NOR flash技术，紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。现在就来讲讲二者的主要区别吧。一.存储区别NOR的特点是芯片内执行，这样应用程序可以接在flash闪存内运[详细]
RAS： Row Address Strobe，行地址选通脉冲；CAS： Column Address Strobe，列地址选通脉冲；tRCD： RAS to CAS Delay，RAS至CAS延迟；CL： CAS Latency，CAS潜伏期（又称读取潜伏期），从CAS与读取命令发出到第一笔数据输[详细]
三星半导体的eUFS有哪些呢？以下是颖特新工程师为客户整理的SamSung 常用eUFS 型号列表，可方便客户选型。Part NumberVersionDensityVoltagePackage SizeKLUBG4G1ZF-B0CPUFS 2.132GB1.8 / 3.3 V11.5 x 13 x 1.2 mmKLUBG4G1ZF-B0CQUFS 2.132GB1.8 / 3.3 V11.5 x 13 x 1.2 mmKLUCG2K1EA-B0C1UFS 2.164GB1.8 / 3.3[详细]
单片机的分为数据存储器和程序存储器。单片机内部的存储器称为片内存储器，片外扩展的存储器成为片外存储器。比如8031内部有数据存储器而没有程序存储器，所以它一般要外接一块程序存储芯片，内部的数据存储器叫做9031的片内存储器，外部扩展的存储芯片叫做片外存储器。早期，片内存储器，还是片外存储器，确实[详细]
关于程序的执行，以前想的不多，没有意识到一个程序在运行时，从哪里读指令，数据又写在哪里。最近在看CSAPP时这个念头经常在脑袋中晃荡。从单片机上知道，在上电的那一刻，MCU的程序指针PC会被初始化为上电复位时的地址，从哪个地址处读取将要执行的指令，由此程序在MCU上开始执行(当然在调用程序的 main之前[详细]
在硬件工程师和普通用户看来，内存就是插在或固化在主板上的内存条，它们有一定的容量——比如64 MB。但在应用程序员眼中，并不过度关心插在主板上的内存容量，而是他们可以使用的内存空间——他们可以开发一个需要占用1 GB内存的程序，并让其在OS平台上运行，哪怕这台运行主机上只[详细]
预备知识—程序的内存分配一个由C/C++编译的程序占用的内存分为以下几个部分栈区(stack)— 由编译器自动分配释放，存放函数的参数值，局部变量的值等。其操作方式类似于数据结构中的栈。堆区(heap) — 一般由程序员分配释放，若程序员不释放，程序结束时可能由OS回收 。注意它与数据结[详细]
刚学单片机的学长告诉我单片机的晶振电路中就是用22pf或30pf的电容就行，听人劝吃饱饭吧，照着焊电路一切ok，从没想过为什么，知其所以然而不知其为什么所以然，真是悲哀，最近状态好像一直不太好，也难以说清楚为什么，前几天跟着老师去别的实验室听课，其实也就是听一听老师和师傅给别的实验室的同学讲嵌入式[详细]
梳理下下ARM代码编译链接的工作流程，以及过程中需要的相关概念信息，不具体关注编译链接的具体命令。一、编译过程编译过程就是把源代码编译生成目标代码的过程。而采用ARM编译命令，可以将源代码编译成带有ELF格式的目标文件。除了编译命令可以选择相应的编译选项之外，源代码中的pragmas以及特别的关[详细]
JTAG不仅仅用于调试和下载程序你可能熟悉JTAG是因为你使用过带有JTAG接口的工具。处理器经常使用JTAG来实现调试/仿真功能，而且所有的FPGA和CPLD都利用JTAG来实现下载程序功能。JTAG不仅仅是一种用于处理器调试/仿真的技术JTAG不仅仅是一种为FPGA/CPLD下载程序的技术通常与JTAG有关的调试和编程工具[详细]
一、ARM的指令结构1、ARM汇编程序组成：汇编指令+伪操作+宏指令(instruction directive pseudo-instruction);伪操作：定义符号、数据等使用宏指令：使用宏定义指令方式2、汇编指令的组成：操作码、操作条件(根据CPSR中的N、Z、C、V等标志)、操作数(源、目的/地址或寄存器)、条件、地址变化等等;3、[详细]
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