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800V MOS管选型表-MOS管产品信息及优质MOS管品牌推荐 800V MOS管-高压 MOS管型号表 Part Number ID（A） BVDSS（v） Typical RDS(ON)@60% [详细]
晶体管是指可以执行开关和放大的半导体器件。 它可以用作开关或放大器的电子设备称为有源组件。 电开关和放大并不是从1948年晶体管的发明开始的。 但是，本发明是一个新时代的开始，因为与晶体管扩散之前使用的有源组件（称为真空管）相比，晶体管体积小，效率高且具有机械弹性。下面我们先来看看PN结。 PN结二[详细]
MOS管 400V选型 Part Number ID（A） BVDSS（v） Typical RDS(ON)@60% ID（Ω） MAX RDS(ON)@60% ID（Ω） ciss pF KNX9130A 40 300 0.11 0.13 3100 KNX3730A 50 300 0.05 0.065 3400 KIA6035A 11 350 0.38 0.48 844 KNX4540A 6 400 0.8 1 490 KNX6140A 10 400 0.35 0.5 1254 以上是MOS管 400V选型参数表，选择[详细]
（一）IGBT IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由晶体三极管和MOS管组成的复合型半导体器件。 IGBT作为新型电子半导体器件，具有输入阻抗高，电压控制功耗低，控制电路简单，耐高压，承受电流大等特性，在各种电子电路中获得极广泛的应用。 IGBT是电压控制电流，可是说是集成块[详细]
逆变器场效应管选型表及MOS品牌-逆变器中场效应管发热的原因有哪些 选择到一款正确的MOS管，可以很好地控制生产制造成本，最为重要的是，为产品匹配了一款最恰当的元器件，这在产品未来的使用过程中，将会充分发挥其“螺丝钉”的作用，确保设备得到最高效、最稳定、最持久的应用效果。 逆[详细]
场效应管 场效应管一般的晶体管是由两种极性的载流子，即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电，因此称为双极型晶体管，而FET仅是由多数载流子参与导电，它与双极型相反，也称为单极型晶体管。 它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高（108～109Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击[详细]
结型场效应管JFET知识详解（附上图文）结构及四个工作区 什么是场效应管（JFET） 场效应管（JFET）它不仅具有双极型三极管的体积小,重量轻,耗电少,寿命长等优点,而且还具有输入电阻高,热稳定性好,抗辐射能力强,噪声低,制造工艺简单,便于集成等特点.因而,在大规模及超大规模集成电路中得到了广泛的应用.根据结构[详细]
MOSFET是一种在模拟电路和数字电路中都应用的非常广泛的一种场效晶体管。三极管也成为双极型晶体管，他能够控制电流的的流动，将较小的信号放大成为幅值较高的电信号。MOSFET和三极管都有ON状态，那么在处于ON状态时，这两者有什么区别呢? MOSFET和三极管，在ON状态时，MOSFET通常用Rds，三极管通常用饱和Vce。[详细]
mos管推挽电路组成结构与特点 晶体管和CMOS驱动级推挽电路图 推挽电路 mos管推挽电路，什么是推挽电路。推挽电路就是两个不同极性晶体管间连接的输出电路。推挽电路采用两个参数相同的功率BJT管或MOSFET管，以推挽方式存在于电路中，各负责正负半周的波形放大任务，电路工作时，两只对称的功率开关管[详细]
MOS管 4810 9A/100V规格书 品牌推荐 MOS管原厂直销 免费送样 MOS管 4810 9A/100V产品特性 RDS(ON)=140mΩ(Typ.)@VGS=10V N沟道增强型，逻辑电平5V Pb-free镀铅;通过无铅认证 MOS管 4810 9A/100V产品参数 MOS管 4810 9A/100V产品封装图 MOS管 4810 [详细]
1，MOS管种类和结构MOSFET管是FET的一种（另一种是JFET），可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管型号和增强型的P沟道MOS管型号，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。至于为什么不使用耗尽型的MOS管，不建议刨根问底。对于这两种增强型MOS管，比较常[详细]
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