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2020-014G SLC NAND存储:AX20NV4G821BAI102

爱思存储AX20NV4G821BAI102AX20NV4G821BAI102 4 Gbit 2.7V – 3.6V x8 63-Ball BGA -40⁰C to +85⁰C[详细]


2019-12N76E003数据整合教程:APROM与LDROM数据整合

新唐1T 8051系列的MCU产品,一般其内存空间都可以划分为LDROM与APROM,多了一个引导程序后可以方便以后直接通过串口升级APROM中的固件,当这也给芯片烧录固件带来了麻烦,如果使用官方的Nu-link烧录,速度忙,而且失败率也相对高,如果采用第三方的烧录工具,为了提成烧录的速度,他们往往是将LDROM的数据与APR[详细]


2019-11意法半导体推出灵活的车规级12通道LED驱动芯片,简化当下最先进的车灯设计

2019年10月9日——意法半导体ALED1262ZT 12通道LED驱动器可用于驱动当下流行的汽车后组合灯和室内照明灯,支持炫酷创新的视觉效果设计。 每条通道都有独立的7位PWM调光功能,可以灵活地控制尾灯、刹车灯、转向灯,使灯光具有动态视觉效果。每条通道输出19V恒流,可以控制由多颗[详细]


2019-11让节能灯具面向未来:意法半导体推出低失真高压LED驱动器

中国,2019年9月17日——意法半导体发布,HVLED007 AC/DC LED驱动器采用新的失真抑制输入电流整形(ICS)电路,使节能型固态灯具符合日益严格的照明规定。 HVLED007是一个峰值电流模式PFC控制器,为隔离式高功率因数准谐振反激式转换器专门设计,ICS电路确保电网输入电流是真正的[详细]


2019-10DDR4与DDR3 不同之处

相对于DDR3, DDR4首先在外表上就有一些变化,比如DDR4将内存下部设计为中间稍微突出,边缘变矮的形状,在中央的高点和两端的低点以平滑曲线过渡,这样的设计可以保证金手指和内存插槽有足够的接触面从而确保内存稳定,另外,DDR4内存的金手指设计也有明显变化,金手指中间的防呆缺口也比DDR3更加靠近中央。当然[详细]


2019-10内存条DDR是代表什么意思

DDR=Double Data Rate,即双倍数据速率。DDRSDRAM=双倍速率同步动态随机存储器,人们习惯称为DDR。其中,SDRAM 是Synchronous Dynamic Random Access Memory的缩写,即同步动态随机存取存储器。而DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写,是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展[详细]


2019-10SDR、DDR、QDR存储器的比较

SDR:Single Data Rate, 单倍速率DDR:Dual Data Rate, 双倍速率QDR:Quad Data Rate, 四倍速率DRAM:Dynamic RAM, 动态随机存储器, 每隔一段时间就要刷新一次数据才能够保存数据SRAM:Static RAM, 静态随机存储器, 静态随机存储器,不需要刷新电路,数据不会丢失SDRAM: Synchronous DRAM, 同步状态随机[详细]


2019-09DDR协议解析

DRAM内部分割成多个L-Bank,每个L-Bank形状相同,彼此独立,可以独立工作。早期的DRAM芯片内部分为2个L-Bank,后来是4个,DDR3内存芯片为8个。在进行寻址时需要先确定是哪个L-Bank,然后再在这个选定的L-Bank中选择相应的行与列进行寻址。对内存的访问,一次只能是一个L-Bank,而每次与CPU交换的数据就是 L-Ban[详细]


2019-093D Xpoint技术与NAND Flash、DRAM的比较

1.NAND颗粒:浮栅极物理结构单元,通过电压驱动电子,由电压值来判定bit位0或1。分为SLC、MLC、TLC三种flash颗粒,擦除次数分别为1万-10万、1千-1万、几百-1千次。寿命是NAND Flash的最大问题,其次是由于特殊的结构,擦除时延较大,在大量写的时候由于垃圾回收机制导致较大时延,但由于HDD的存在,NAND Flash在[详细]


2019-09详解小型低噪声DC-DC转换器MonoBK

除了产品,包括外置元件在内,株式会社村田制作所(以下简称“村田”)还设计了尺寸小、噪声低的DC-DC转换器模块MonoBK or Mono Block解决方案。村田的MonoBK解决装置的空间问题。DC-DC转换器的简介DC-DC转换器是一种将直流(DC)转换(Convert)为直流(DC)的装置。配套的线路板上搭载的IC等,固有的工作电压[详细]


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