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随着物联网行业的发展，RFID技术逐步大众化，越来越多地应用在我们的日常生活中，给人们的生活带来了方便快捷。RFID(Radio Frequency Identification)的实质是借助无线射频技术(RF)来实现对物品的身份和信息识别。零售业从采购、存储、包装、装卸、运输、配送、销售到服务，整个供应链环环相扣。企业必须实时地[详细]
NAND FLASH的结构原理图见图1，可见每个Bit Line下的基本存储单元是串联的，NAND读取数据的单位是Page，当需要读取某个Page时，FLASH 控制器就不在这个Page的Word Line施加电压，而对其他所有Page的Word Line施加电压（电压值不能改变FloatingGate中电荷数量），让这些Page的所有基本存储单元的D和S导通，而我们[详细]
说起韩国巨头SK海力士，大家肯定都知道他家的NAND闪存、DRAM内存芯片，不过其实在早些年，SK海力士还做过零售SSD产品的，只不过一直没有什么突破，就悄悄退出了，专心经营上游芯片。 现在，SK海力士又重新回到了零售SSD市场，正式发布了SuperCore系列产品，首发型号Gold S31。 作为回归首作，G[详细]
颖特新科技讯，美光科技首席执行官Sanjay Mehrotra最近访问了中国，三星电子和SK海力士都感到不安。因为中国半导体公司与世界三大存储芯片制造商之一的美光科技之间的密切关系可能对韩国公司产生不利影响，尽管它们之间没有立即合作。据《Business Korea》报道，美光科技在中国拥有大量客户，可能会在新投资或与[详细]
据韩国《中央日报》报道，因贸易争端在日本政府限制向韩国出口氟化氢、光刻胶、含氟聚酰亚胺等尖端半导体材料后，SK海力士设在中国无锡的半导体工厂已经完全使用中国生产的氟化氢取代了日本产品。报道还指出，三星电子和SK海力士负责材料开发的工程师正在对韩国生产的氟化氢试验品进行成分分析，三星电子已经开[详细]
Nand Flash因为其电气特性，读和写是按页来读取的，而擦除是按照块来擦除的，了解这些，我们就比较容易去理解Nand Flash的擦写次数与使用寿命。通常，一个对NAND的写操作包括如下步骤:1) 从NAND中读取一个页面，内容放入NANDflash的寄存器中。2) 更新寄存器中的内容3) 找一个空白页4)[详细]
TC58BVG0S3HBAI4是一个单一的3.3V1Gbit(1，107，296，256位)NAND电可擦和可编程只读存储器(NAND E2PROM)，组织为(2048 64)字节×64页×1024块。该设备具有一个2112字节的静态寄存器，它允许在寄存器和存储器单元数组之间以2112字节递增传输程序和读取数据。擦除操作是在单个块单元中实现的(128 K字节、4K字节：[详细]
TC58BVG0S3HBAI6 是一个单一的 3.3V 1Gbit(1,107 ，296 ，256 位) NAND 电气可擦除和可编程只读存储器 (NANDE2PROM) 组织为 (2048 ，64)字节× 64 页× 1024 块。该装置具有2112字节静态寄存器，允许在寄存器和存储器单元阵列之间以2112字节递增传输程序和读取数据。擦除操作在单个块单元(128KB+4KB：211[详细]
TC58BVG0S3HTA00是一个单一的3.3V 1Gbit(1，107，296，256位)NAND电可擦和可编程只读存储器(NAND E2PROM)，组织为(2048 64)字节×64页×1024块。该装置具有2112字节静态寄存器，允许在寄存器和存储器单元阵列之间以2112字节递增传输程序和读取数据。擦除操作在单个块单元(128KB+4KB：2112字节/64页)中实现。TC5[详细]
TC58BVG0S3HTAI0是一个单一的3.3V 1Gbit(1，107，296，256位)NAND电可擦和可编程只读存储器(NAND E2PROM)，组织为(2048 64)字节×64页×1024块。该装置具有2112字节静态寄存器，允许在寄存器和存储器单元阵列之间以2112字节递增传输程序和读取数据。擦除操作在单个块单元(128KB+4KB：2112字节/64页)中实现。TC5[详细]
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