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2023年11月5日，第六届中国国际进口博览会在上海国家会展中心开幕，三星电子连续第六年参展。在本次进博会上，三星半导体全面展示了面向智能汽车、消费电子、人工智能等热点应用及新兴产业的创新半导体技术。三星半导体在中国国际进口博览会上展示了一系列创新存储解决方案，包括第三代超高速高带宽内存HBM3E&n[详细]
1200V 30mohm Silicon Carbide Power MOSFET AKCK2M032WAMH特点：高速切换性能•低电容•具有低反向的快速本征二极管恢复•无卤素，符合RoHS（注1）应用程序•电动汽车电机驱动•DC/DC转换器•开关模式电源•太阳能逆变器•OBCAKCK2M032WAMH DATASHEET电气特性图（注4[详细]
1200V 30mohm Silicon Carbide Power MOSFET AKCK2M030WAMH-A特征：高速切换性能•低电容•具有低反向的快速本征二极管恢复•无卤素，符合RoHS（注1）•具备合格的AEC-Q101和PPAP应用程序：•电动汽车电机驱动•DC/DC转换器•开关模式电源•太阳能逆变器•OBCAKC[详细]
瑶芯微650V 1.4欧姆超级结功率MOSFET说明：这种SJ设备为客户应用提供了良好的FOM性能和更好的EMI。特点：•低FOM RDS（ON）×QG•更好的EMI•100%UIS测试•符合RoHS（注1）•无卤素（注1）应用程序：•高频开关•快速充电和适配器关键性能参数：aks65n14km数据表：最大额定[详细]
第三代半导体行业已进入加速发展阶段。氮化镓行业加速发展，竞争格局迎来巨变在碳化硅市场，包括意法半导体、Wolfspeed、英飞凌、罗姆、安森美等国际碳化硅器件大厂基本上每家厂商在手订单都在10亿美元以上；中国厂商方面，虽然目前订单量暂时不如国外传统功率大厂，但以天岳先进、东莞天域、瀚天天成、三安光电[详细]
作为第三代半导体材料的代表，SiC具有大禁带宽度、高击穿电场强度、高饱和漂移速度等优良特性，目前已经成为半导体领域最火热、最具前景的材料之一。供给侧：受衬底良率及产能影响，在2025年之前供给整体偏紧从产业链来看，碳化硅行业主要可分为衬底、外延和器件三个重点环节。其中，衬底在产业链中价值量占比最[详细]
半导体行情速递行业风向标【销售减少】2023Q2全球半导体销售额1245 亿美元，同比-17.3%，环比+4.7%（SIA）【产量下降】2023上半年我国集成电路产量1657亿块，同比下降3%（工信部）【进口下降】2023H1中国大陆集成电路进口同比下降18.5%（海关总署）【晶圆出货微增】2023Q2全球硅晶圆出货量环比+2.0%，同比-10.1[详细]
氮化镓（GaN）作为第三代半导体材料，和传统材料Si相比，具备禁带宽度大、击穿电压高、热导率大、开关频率高以及电子饱和速度快等优势，发展潜力巨大。氮化镓迎来爆发式增长，应用场景逐渐由消费电子向更多新兴市场拓展为此，自上世纪90年代起，一些全球领先的科研机构就开始着手氮化镓材料的研究，并致力于实现[详细]
氮化镓（GaN）作为第三代半导体材料，和传统材料Si相比，具备禁带宽度大、击穿电压高、热导率大、开关频率高以及电子饱和速度快等优势，发展潜力巨大。氮化镓迎来爆发式增长，应用场景逐渐由消费电子向更多新兴市场拓展为此，自上世纪90年代起，一些全球领先的科研机构就开始着手氮化镓材料的研究，并致力于实现[详细]
日前，日本半导体大厂罗姆宣布，与Solar Frontier达成基本协议，收购该公司原国富工厂（日本）资产。收购计划将在2023年10月进行，目的在于扩大SiC功率器件生产，此后国富工厂将成为罗姆主要生产基地之一。根据罗姆披露，收购资产总计占地面积达40万平方米，包括工厂和办公区域，将主要用于碳化硅产能扩张。不过[详细]
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